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- [实用新型]智能功率模块IPM 电路-CN201320775742.2有效
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韦泽锋;郭旭;曾玉文
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比亚迪股份有限公司
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2013-11-29
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2014-05-28
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H02M1/088
- 本实用新型公开了一种智能功率模块IPM电路，包括：第一至第N IGBT；每个RC电路均包括栅极电阻和栅极电容的第一至第N RC电路，每个RC电路中的栅极电容并联在对应的IGBT的栅极和发射极之间；具有N个输出端且分别与每个RC电路中的栅极电阻相连的用于输出驱动信号以驱动第一至第N IGBT开通或关断的驱动电路。该IPM电路通过在每个IGBT的栅极和发射极之间并联栅极电容，从而实现调小栅极电阻的阻值，且栅极电容能有效吸收IGBT栅极产生的寄生振荡杂波，提高IGBT的噪声承受能力即抗干扰能力，使栅极电压更加平稳，
- 智能功率模块ipm电路
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210990570.4在审
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上田岳洋
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瑞萨电子株式会社
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2022-08-18
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2023-03-03
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H01L27/06
- 一种场效应晶体管具有嵌入在半导体衬底的上表面中的沟槽中的栅极电极、形成在半导体衬底中的源极区、以及形成在半导体衬底的下表面上的漏极区，该场效应晶体管被提供有：形成在半导体衬底上并且电连接到栅极电极的栅极布线、形成在半导体衬底上的栅极焊盘、连接在栅极焊盘与栅极布线之间并且被配置为在场效应晶体管导通时起作用的第一电阻器、连接在栅极焊盘与栅极布线之间并且被配置为在场效应晶体管关断时起作用的第二电阻器、以及被包括在栅极焊盘与栅极布线之间的第一电阻器或第二电阻器中的整流二极管
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]阵列基板及显示面板-CN201711007617.6有效
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骆晓东;沈柏平;周秀峰
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厦门天马微电子有限公司
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2017-10-25
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2020-04-03
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H01L27/12
- 本发明提供了一种阵列基板及显示面板，该阵列基板包括显示区和包围显示区的非显示区，阵列基板具有至少一个缺口，阵列基板包括多条栅极线，栅极线分为常规栅极线和非常规栅极线，常规栅极线位于显示区且常规栅极线沿第一方向延伸；非常规栅极线包括沿第一方向延伸的常规分部和位于缺口周围的非显示区的非常规分部，同一非常规栅极线的常规分部和非常规分部电连接；非常规分部包括第一子分部和/或第二子分部，同一非常规分部的第一子分部和第二子分部电连接，第一子分部的电阻率大于第二子分部的电阻率。本发明提供的阵列基板及显示面板，能够保证非常规栅极线的电阻与常规栅极线的电阻大致相同，提高了显示面板的显示效果。
- 阵列显示面板
- [发明专利]一种TVS器件及其制造方法-CN202310546860.4在审
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张轩瑞;陈美林
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上海晶岳电子有限公司
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2023-05-15
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2023-08-01
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H01L27/02
- 器件及其制造方法，其中TVS器件包括：基板主体，所述基板主体包括元胞区、触发区和终端区；所述元胞区中形成有MOS管，所述触发区中形成有TVS管，所述TVS管为N型半导体和P半导体相互间隔的结构；所述基板主体上形成有栅极电阻、栅极结构、互连金属；构成所述TVS管、所述栅极电阻和所述栅极结构的材料在同一工艺步骤中形成；所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；所述互连金属使所述TVS管的阳极通过所述栅极结构与所述MOS管的栅极相连接；使所述栅极电阻并联于所述TVS管的阳极与所述MOS管的源极之间；使所述MOS的漏极与所述TVS管的阴极相连。
- 一种tvs器件及其制造方法
- [发明专利]基于MOS的总线切换电路-CN202011559404.6在审
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屈亚峰;刘义雷
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上海星融汽车科技有限公司
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2020-12-25
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2021-04-20
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H03K19/0185
- 一种基于MOS的总线切换电路，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一电阻、NPN三极管、第二电阻、第三电阻以及第四电阻，所述第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接，所述第一电阻的一端与所述第一PMOS管以及第二PMOS管的源极连接，另一端与所述第一PMOS管以及第二PMOS管的栅极连接，所述NPN三极管的集电极经所述第二电阻与所述第一PMOS管的栅极、第二PMOS管的栅极以及第一电阻连接，所述NPN三极管的发射极接地，所述NPN三极管的基极经所述第四电阻接入控制电压信号，所述第三电阻的一端与所述NPN三极管的基极连接，另一端接地。
- 基于mos总线切换电路
- [发明专利]放大器-CN201480001035.5有效
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高桥幸二;中村重纪
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松下电器产业株式会社
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2014-02-07
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2017-06-23
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H03F3/193
- 该放大器具备具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，该放大器还具备附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion，氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。
- 放大器
- [实用新型]一种带自锁功能的电源模块输出控制电路-CN201922039188.1有效
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张振强;刘静
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西安福华力能电源有限公司
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2019-11-23
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2020-07-17
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H02H7/12
- 本实用新型涉及一种带自锁功能的电源模块输出控制电路,包括电阻R1,电阻R1的一端与辅助电压源输入端电连接，电阻R1的另一端通过电阻R3与MOS管Q2的栅极电连接,MOS管Q2的栅极还与MOS管Q3的漏极电连接,MOS管Q3的源极与接地端电连接；电阻R1的另一端与MOS管Q2的源极电连接，MOS管Q2的漏极与MOS管Q3的栅极电连接，MOS管Q3的栅极通过电阻R5与接地端电连接；电阻R1的另一端通过电阻R2与MOS管Q1的漏极电连接，MOS管Q1的栅极通过电阻R4与控制端电连接，MOS管Q1的源极与MOS管Q3的栅极电连接；该电路，具有设计简单、器件少、成本低、易操作的特点。
- 一种功能电源模块输出控制电路
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