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[实用新型]一种极耳与极片的焊接结构-CN201921305126.4有效
发明人：肖海燕;简文龙;李维义;余小旦;顾勇平;李芳芳 -专利权人：新余赣锋电子有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种极耳与极片的焊接结构，包括极片和极耳，所述极片分为敷料区和空箔区，所述极耳与空箔区有一个重叠区，所述重叠区分为焊印区、近料区、上叠区、下叠区，所述焊印区位于重叠区一侧，所述近料区位于重叠区靠近敷料区的一侧，所述上叠区位于重叠区上端，所述下叠区位于重叠区下端本。本实用新型的极耳在焊接前需要进行抛光打磨处理，使极耳正反两面光滑平整，使焊接结构平整度更高，更加稳定；上叠区、近料区、下叠区组成的凹形结构为极耳与极片的空焊区域，焊印区为焊接区域，这种焊接结构保证了极耳与极片在近料区的交接处的稳定连接
一种焊接结构

[发明专利]一种近等截面积渐变型极耳-CN201611086564.7有效
发明人：李铮铮;吕忱;蒋浩民;张丕军 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01M50/533 文献下载
摘要：本发明公开了一种近等截面积渐变型极耳，包括极耳本体，极耳本体包括设于中间的密封区、及分设于密封区两侧的引入端和引出端，所述的引入端至密封区中部呈近等截面积渐变，所述的引出端至密封区中部也呈近等截面积渐变，且近等截面积的渐变范围控制在30％以内。通过本发明可增加极耳热传导有效截面积来提高极耳热传导能力；可增加极耳有效导电截面积来降低极耳的内阻；可在近等截面的条件下，变化极耳形状以降低封装难度；可增加极耳外引出端处的厚度及形状，增强机械强度和接触面积
一种截面渐变型极耳

[发明专利]带半导体间隔件的鳍式晶体管-CN202111456312.X在审
发明人： J·P·冈比诺;K·A·斯图尔特;P·莫恩斯;D·T·普赖斯;D·欧曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一般方面，晶体管可以包括具有近端和远端的鳍片。该鳍片可以包括在近端与远端之间纵向延伸的介电部分，以及设置在介电部分上的半导体层。该半导体层可以在近端与远端之间纵向延伸。该晶体管还可包括设置在鳍片的近端处的源极区，以及设置在鳍片的远端处的漏极区。该晶体管还可包括设置在半导体层的沟道区上的栅极介电层。沟道区可以设置在栅极介电层与介电部分之间。沟道区可以纵向设置在源极区与漏极区之间。晶体管还可包括设置在栅极介电层上的导电栅极电极。
半导体间隔晶体管

[发明专利]非挥发性内存单元及其制造方法-CN201410042003.1有效
发明人：范德慈;陈志明;吕荣章 -专利权人：北京芯盈速腾电子科技有限责任公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种非挥发性内存单元，包含一基板，该基板的上表面形成一源极区及一漏极区。一第一介电层形成于源极区及漏极区之间,且近漏极区一侧,一选择闸形成于该第一介电层上方。一穿隧介电层，形成于源极区及漏极区之间,且近源极区一侧，并与第一介电层连接。一源极绝缘层，形成于源极区上方。穿隧介电层延伸至源极区并与该源极绝缘层相连接。一悬浮栅极区，形成于该穿隧介电层与较厚的源极绝缘层之表面上。一控制栅极区，形成于该悬浮栅极区之表面上，且该控制栅极区与该悬浮栅极区以一第二介电层相绝缘。本发明能够减轻栅极引发源极漏电流效应，并对导通电流大小有良好的控制，更能进一步缩小内存单元的单位面积与制造的完整性。
挥发性内存单元及其制造方法

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法-CN201811343321.6在审
发明人：汪广羊 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述器件包括：衬底；漂移区；栅极结构；漏极区；源极区；场氧层；多晶硅场板；所述器件还设有至少两组场氧接触孔，每组包括至少一个场氧接触孔，越靠近漏极区的组的场氧接触孔孔径越小本发明通过设置深浅不一的场氧接触孔，使得距漏极区近的场氧层适当变厚、距漏极区远的场氧层适当变薄(即距漏极区近的接触孔底部到场氧层底部的厚度较厚、距漏极区远的接触孔底部到场氧层底部的厚度较薄)，既能够尽量地增强耗尽
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种可减小衬底电流的LDMOS器件及其制造方法-CN201010187355.8无效
发明人：王颢 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L27/08 文献下载
摘要：本发明提供一种可减小衬底电流的LDMOS器件及其制造方法，该器件包括硅衬底、高压阱、源极、源极漂移区、漏极、漏极漂移区、栅极及其侧墙，该源极和漏极分别通过设置在源极漂移区和漏极漂移区的近栅沟槽隔离结构与栅极隔离现有技术中近栅沟槽隔离结构靠近栅极的部分较厚且其厚度与远离栅极的部分厚度相同，从而造成靠近栅极的部分上等势线较密集和电场强度较大，进而造成LDMOS器件衬底电流较大。本发明中该近栅沟槽隔离结构具有靠近栅极的第一隔离单元和远离栅极的第二隔离单元，该第一隔离单元的厚度小于第二隔离单元的厚度。
一种减小衬底电流 ldmos 器件及其制造方法

[发明专利]一种感光二极管及其CMOS图像传感器-CN201510503639.6在审
发明人：李世彬;陈乐毅;李杭倩;王美娟;张鹏;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2015-08-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种感光二极管，包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区位于第一掺杂区和第三掺杂区之间，第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反，第二掺杂区的掺杂浓度小于第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂浓度，第三掺杂区上形成有黑硅层，该黑硅层为感光二极管的感光区域。本发明的实施例中，感光二极管中使用黑硅层作为感光区域，黒硅层对可见-近红外光的吸收率能达到近100%，大大提高了感光二极管对光的吸收率和灵敏度，并且结构简单。
一种感光二极管及其 cmos 图像传感器

[发明专利]用于沟槽MOSFET的带有多个嵌入式电势传播电容性结构的终止结构及其制备方法-CN201110038595.6有效
发明人：王晓彬;安荷·叭剌;哈姆扎·依玛兹;伍时谦 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了沟槽MOSFET的终止结构及其制备方法，用于终止位于带有底部漏极电极的体型半导体层上方的邻近沟槽MOSFET。体型半导体层具有一个近端体型半导体壁，承载漏极-源极电压，并将终止结构与沟槽MOSFET分开。终止结构由一个被近端体型半导体壁和远端体型半导体壁限制的氧化物填充的大型深沟槽构成。氧化物填充的大型深沟槽包括一个在体型半导体层内的大型氧化物深沟槽，以及多个嵌入式电容性结构，嵌入式电容性结构位于大型氧化物深沟槽内，并且分布在近端体型半导体壁和远端体型半导体壁之间，用于在整个空间上播散漏极-源极电压。在一个实施例中，嵌入式电容性结构包括交叉的导电嵌入式多晶半导体区以及氧化物填充的大型深沟槽的氧化物立柱，近端体型半导体壁附近的近端嵌入式多晶半导体区连接到有源上部源极区上，远端体型半导体壁附近的远端嵌入式多晶半导体区连接到远端体型半导体壁上
用于沟槽 mosfet 带有嵌入式电势传播电容结构终止及其制备方法

[发明专利]硅基近红外单光子雪崩二极管探测器及其制作方法-CN201910715409.4在审
发明人：徐跃;孙飞阳 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了硅基近红外单光子雪崩二极管探测器，属于光电探测技术领域，该单光子雪崩二极管探测器包括设置在P型衬底的上方的P型外延层，在P型衬底与P型外延层之间设置N+埋层区，在N+埋层区上对称设置深N阱区，在N+埋层区上的中心位置设置深P阱区，深P阱区与N+埋层区之间形成雪崩区。本发明的单光子雪崩二极管探测器在深P阱与N+埋层之间形成深的雪崩区，同时利用低掺杂且分布均匀的P型外延层作为虚拟保护环来提高近红外光子探测效率，缩小器件尺寸和减小暗计数噪声；本发明的制作方法可基于标准硅基工艺制作，具有低成本、高集成度、低功耗和近红外探测能力等优点。
单光子雪崩二极管埋层探测器深P阱雪崩区衬底硅基近红外探测虚拟保护环对称设置高集成度工艺制作光电探测红外光子探测效率标准硅低掺杂低成本低功耗深N阱减小噪声制作

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202210843512.9在审
发明人：赖知佑;陈志良;卢麒友;邱上轩 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：一种集成电路及其制造方法，集成电路包括在一源极/漏极区处与一第一作用区结构相交的一第一导体区段及在一源极/漏极区处与一第二作用区结构相交的一第二导体区段。该第一导体区段及该第二导体区段在近侧边缘处以一第一分离距离分开。该第一导体具有与一第一电力轨分开的一远侧边缘，且该第二导体区段经由一通孔连接件连接至一第二电力轨。自该第一电力轨至该第一导体区段的一近侧边缘的一距离比自该第二电力轨至该第二导体区段的一近侧边缘的一距离大一预定距离，该预定距离是该分离距离的一部分。
集成电路及其制造方法

[发明专利]一种多结的近红外单光子雪崩二极管及制备方法-CN202210842126.8有效
发明人：张军琴;徐林可;梁琪光;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明涉及一种多结的近红外单光子雪崩二极管及制备方法，该二极管包括第一P+区、第一N阱、高压P阱、P型外延层、N+区、第二N阱、高压N阱、第一N埋层、第二N埋层、第一沟槽隔离区、第二沟槽隔离区、第二P+区、P型衬底、阳极、阴极和接地电极。该二极管包含三个PN结：第一P+区和第一N阱之间形成PN结以用作雪崩区，第一N埋层和高压P阱之间形成PN结以用作雪崩区和漂移区，P型外延层和第二N埋层之间形成PN结以用作漂移区；两个雪崩区用于倍增光生载流子，两个漂移区用于输运其内的光生载流子至雪崩区；雪崩区和漂移区的互动作用，使二极管在可见光和近红外波段的探测效率都有明显提升。
一种红外光子雪崩二极管制备方法

[实用新型]一种单向晶闸管芯片的门极结构-CN201120233893.6有效
发明人：王成森;黎重林;沈怡东;周榕榕 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单向晶闸管芯片的门极结构，其特征在于：包括门极G区、阴极K区和钝化沟槽区，所述门极G区和阴极K区四周包裹有钝化沟槽区。本实用新型的优点是：在保持高电压、大电流的前提下，同角门极结构或中心门极结构的晶闸管相比，边门极结构的单向晶闸管门极触发周界提高了近一倍，而芯片的纵向结构参数不变，既提高了芯片的dI/dt值，同时芯片的
一种单向晶闸管芯片结构

[发明专利]用于GAN高电压晶体管的场板结构-CN202210639872.7在审
发明人：朴毕圣;D·M·金策 -专利权人：纳维达斯半导体有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：在一个方面中，一种晶体管包含GaN衬底、形成于所述GaN衬底上的源极区、形成于所述GaN衬底上且与所述源极区分离的漏极区、形成于所述源极区和所述漏极区之间的栅极区、形成于所述GaN衬底上且定位于所述栅极区和所述漏极区之间的基座，以及电联接到所述源极区的场板，其中所述场板从定位于所述源极区和所述基座之间的近侧区朝向所述漏极区延伸，其中所述场板的至少一部分与所述基座的至少一部分重叠。
用于 gan 电压晶体管板结

[发明专利]一种硅基短波近红外单光子雪崩二极管及其制作方法-CN202110264658.3在审
发明人：刘阳;朱樟明;刘马良;胡进;王夏宇;马瑞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基短波近红外单光子雪崩二极管及其制作方法，二极管的雪崩区由中心深N阱401和深P阱5构成，可以形成较宽的雪崩倍增区，可以有效提高短波近红外波段的光子吸收，增大光谱响应，SPAD的保护环由未掺杂的由深P阱与保护环构成6构成的附加结电场小于雪崩区电场，可实现平整倍增主结区边缘电场，提高光子探测效率。
一种短波红外光子雪崩二极管及其制作方法

[发明专利]集成电路组件及其制造方法-CN201310673831.0有效
发明人：蔡明桓;欧阳晖;郑振辉;范玮寒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形成一凹陷于基材中的蚀刻工艺期间作为蚀刻终止，此凹陷定义出此组件的源极与漏极区。
集成电路组件及其制造方法

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