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[发明专利]一种极紫外光掩模的缺陷修复方法-CN201911101721.0在审
发明人：杨渝书;伍强;李艳丽 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2019-11-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明提供了一种极紫外光掩模的缺陷修复方法，包括以下步骤：步骤10：提供一基底，在所述基底上形成图形化的极紫外光刻胶层，其中，图形化的极紫外光刻胶层具有极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷；以及步骤20：对图形化的所述极紫外光刻胶层多次执行极紫外光刻胶修复工艺，所述极紫外光刻胶修复工艺用于修复所述极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷。本发明通过对图形化的所述极紫外光刻胶层多次执行极紫外光刻胶修复工艺，以消除图形化的极紫外光刻胶层中可能出现的极紫外光刻胶连桥缺陷和/或极紫外光刻胶断裂缺陷，从而提高极紫外光掩模工艺后的产品良率。
一种紫外光缺陷修复方法

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统-CN201210104156.5有效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-10 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
紫外光刻缺陷检测系统

[发明专利]极紫外光刻光源Xe¹⁰⁺离子状态的检测系统-CN201210164154.5无效
发明人：赵永蓬;徐强;王骐 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：极紫外光刻光源Xe10+离子状态的检测系统，它涉及极紫外光刻光源离子状态的检测系统，本发明是为了解决极紫外光刻机在正常工作条件下进行极紫外光刻光源离子状态检测时，由于相机对光刻光源的光路的遮挡难以实现极紫外光刻光源离子状态实时检测的问题它包括极紫外收集镜、反射镜、滤光片、光电二极管和示波器；毛细管输出端面的中心点与反射镜上端部连线与毛细管输出端的中心点与反射镜下端部连线的夹角为9~11°。此夹角范围内输出的极紫外光入射光电二极管，转变为电信号传递给示波器，示波器又将电信号转变为光信号形成的波形来动态显示极紫外光刻光源的离子状态。本发明可应用于极紫外光刻光源离子状态的动态检测技术领域。
紫外光刻光源 xe sup 10 离子状态检测系统

[发明专利]一种极紫外光刻胶放气污染测试系统-CN201911171642.7有效
发明人：谢婉露;吴晓斌;王魁波;罗艳;张罗莎;王宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：一种极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，该系统包括极紫外光源腔室、光收集腔室、污染样品测试腔室，其中：极紫外光源腔室，用于发出辐照光；光收集腔室，用于将极紫外光源腔室发出的辐照光线反射聚焦进入污染样品测试腔室内；污染样品测试腔室，用于在光收集腔室传入的辐照光线的作用下，实现光刻胶受到极紫外光辐照时放气污染特性对系统部件性能影响的测试。本发明提供的极紫外光辐照致光刻胶放气污染测试系统，结构简单，操作方便，不仅可以研究极紫外光刻胶放气特性还可用于光刻胶放气污染对系统部件性能的影响，从而可以更好的评估光刻胶的污染特性。
一种紫外光刻放气污染测试系统

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统-CN201210156651.0无效
发明人：李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立;王子欧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，该极紫外光刻掩模缺陷检测系统包括极紫外光源、极紫外光传输系统(包括多层膜平面反射镜和多层膜凹面聚光镜)、极紫外光刻掩模、样品扫描台、光子筛、CCD相机、PC机该极紫外光刻掩模缺陷检测系统利用光子筛代替传统的史瓦西透镜，实现极紫外波段对掩模的成像，从而对掩模上的缺陷进行检测。本发明利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
紫外光刻缺陷检测系统

[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法-CN201310315161.5有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法，其中极紫外光刻机光源系统包括激光辐射装置，适于提供激光辐射；极紫外光激发源，适于接受激光辐射产生极紫外光；收集器，用于收集极紫外光；其中，所述收集器包括若干反射镜，所述反射镜在收集极紫外光时配置成反射态和非反射态，其中，所述反射态适于反射极紫外光；非反射态适于躲避凝聚态颗粒污染。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
紫外光刻光源系统曝光方法

[发明专利]极紫外光刻机光源系统及极紫外曝光方法-CN201310315299.5有效
发明人：徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-24 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明描述一种低污染的极紫外光刻机光源系统及避免源污染的极紫外曝光方法，其中极紫外光刻机光源系统包括极紫外光激发源，适于接受激光辐射或高压等离子体而产生极紫外光，在激光辐射中产生凝聚态颗粒飞出极紫外光激发源；收集器，用于汇聚极紫外光；冷凝器，用于冷凝飞出的凝聚态颗粒，其中，所述冷凝器环绕构成外墙，所述外墙包覆预定空间，所述空间适于极紫外光汇聚。本发明提供的极紫外光刻机光源系统和极紫外曝光方法对光源系统的污染低。
紫外光刻光源系统曝光方法

[发明专利]极紫外（EUV）光刻胶超高真空热处理检测装置与方法-CN201110315017.2有效
发明人：杨国强;田凯军;陈力;王双青;李沙瑜 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种极紫外光刻胶超高真空加热处理的检测装置与方法，该装置操作简便，可以在实验室用于极紫外光刻胶配方工艺筛选，提供所考察的极紫外光刻胶的真空加热产气情况。通过这些数据，可以确定在真空加热情况下极紫外光刻胶所产生的气体的种类和数量，为极紫外光刻胶的材料和配方筛选提供重要的实验数据。
紫外 euv 光刻超高真空热处理检测装置方法

[发明专利]一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法-CN202110550048.X在审
发明人：喻波;姚舜;邓文渊 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法，属于极紫外光刻污染去除技术领域，使被Sn污染的极紫外光刻收集镜所处的环境温度为‑33℃或以下，所处的环境为真空环境或惰性气体保护环境，此时DDA0003075074430000011.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />极紫外光刻收集镜上的白锡快速反应变成粉末状的灰锡，从极紫外光刻收集镜的表面脱落实现去除。本发明利用低温去除极紫外光刻收集镜表面Sn污染的方法，能降低去除收集镜上Sn污染的成本，并且避免H+去除Sn污染时容易引发爆炸的风险。
一种利用低温去除紫外光刻收集表面 sn 污染方法

[发明专利]极紫外光刻胶曝光检测装置与方法-CN201210113099.7无效
发明人：杨国强;熊磊;陈力;许箭;王双青;李沙瑜 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻胶超高真空极紫外曝光处理的检测装置与方法，该装置操作简便，可以在实验室用于极紫外光刻胶配方工艺筛选，提供所考察的极紫外光刻胶的基础性能参数与真空曝光产气情况。通过这些数据，可以确定在真空曝光情况下极紫外光刻胶所产生的气体的种类和数量，为极紫外光刻胶的材料和配方筛选提供重要的实验数据。
紫外光刻曝光检测装置方法

[发明专利]极紫外光光刻方法和系统-CN202110843419.3有效
发明人：马修泉;王长久;闻锦程;吴寒;王力波;孙克雄;马新敏;陆培祥 -专利权人：广东省智能机器人研究院
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种极紫外光光刻方法、系统、计算机设备和存储介质。方法通过获取极紫外光光刻请求；根据所述极紫外光光刻请求生成液滴靶材，并生成液滴靶材对应的多路脉冲激光；将多路脉冲激光聚焦于液滴靶材，以使液滴靶材等离子体化，获取激光等离子体；采集激光等离子体发射的符合预设要求的光作为光刻光源，基于光刻光源完成极紫外光光刻请求对应的光刻任务。本申请针对光源驱动能量不足的问题，将多路脉冲激光经过聚焦后作用于液滴靶材，从而生成激光等离子体，通过多路激光的叠加来获得打靶所需的高能量，可以有效提高光刻光源的发光效率，从而保证紫外光光刻质量。
紫外光光刻方法系统

[发明专利]一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法-CN202111325361.X在审
发明人：徐永兵;陈笑;黎遥;严羽;周建;钟文彬;何亮;陆显扬 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法，1)使用飞秒级的强场激光与工作介质相互作用产生高次谐波；2)反应产生的高次谐波复色光通过过滤选取谐波级次，即用于测试的波长所在的谐波级次，从而得到测试波长的纯净极紫外光；3)极紫外光通过狭缝进入曝光装置，对涂敷光刻胶的晶圆样品进行曝光，将掩模版的图案转移到样品表面，通过累积曝光时间来达到光刻胶所需的曝光剂量。所述用于曝光的极紫外光基于高次谐波技术产生。纯净的极紫外光进入曝光装置，使涂有光刻胶的硅片曝光，通过累积曝光时间的方式达到光刻胶所需的曝光剂量。
一种基于谐波紫外光刻曝光方法

[发明专利]极紫外光光刻方法和系统-CN202110843435.2有效
发明人：吴寒;闻锦程;马修泉;王力波;孙克雄;马新敏;陆培祥 -专利权人：广东省智能机器人研究院
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种极紫外光光刻方法、系统、计算机设备和存储介质。方法通过获取极紫外光光刻请求；根据极紫外光光刻请求生成液滴靶材，并生成液滴靶材对应的高功率激光；将高功率激光作用于液滴靶材，以使液滴靶材等离子体化，获取激光等离子体；将高功率激光和预设电磁场同时作用于激光等离子体，以使激光等离子体维持几何形态和激发状态；采集激光等离子体发射的符合预设要求的光作为光刻光源，基于光刻光源完成极紫外光光刻请求对应的光刻任务。本申请将高功率激光和预设电磁场同时作用于激光等离子体，以使激光等离子体维持几何形态和激发状态，从而可以有效提高光刻光源的发光效率，从而保证紫外光光刻质量。
紫外光光刻方法系统

[发明专利]一种基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法-CN202010575583.6在审
发明人：赵俊;梁兆峰;杨树敏;薛超凡;王连升;吴衍青;邰仁忠;程鑫彬;邓晓;顾振杰;唐朝辉;李同保 -专利权人：中国科学院上海应用物理研究所;同济大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。
一种基于溯源光栅紫外光刻胶质检测装置方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法-CN201010271305.8有效
发明人：陈嘉祥;洪铭钦;涂峻豪;林威廷;张钧杰;陈伯纶 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-09-01 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上依序形成栅绝缘层、氧化物半导体层及紫外光遮蔽材料层以覆盖栅极；于栅极上方的紫外光遮蔽材料层上形成第一图案化光刻胶层；以第一图案化光刻胶层为掩模，图案化氧化物半导体层及紫外光遮蔽材料层以形成氧化物通道层；移除部分第一图案化光刻胶层以形成第二图案化光刻胶层，其中第二图案化光刻胶层暴露出部分紫外光遮蔽材料层；以第二图案化光刻胶层为掩模，图案化紫外光遮蔽材料层以形成紫外光遮蔽图案；移除第二图案化光刻胶层；以及形成彼此电性绝缘的源极与漏极。本发明由于紫外光遮蔽图案并未全面性覆盖于基板上，因此紫外光遮蔽图案不会导致紫外光完全无法穿透基板。
薄膜晶体管制造方法

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