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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]紫外光C发光二极管消毒装置-CN202210571976.9在审
发明人：吴伯仁;曾家彬;王友延;许惠琦;蔡贤信 -专利权人：吴伯仁;曾家彬;王友延;许惠琦;蔡贤信
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： A61L9/20 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外光C发光二极管消毒装置，用以对空气进行消毒或净化的空气，包括第一金属板和与第一金属板相对的第二金属板、安装在第一金属板上的紫外光C发光二极管以及为紫外光C发光二极管供电的电源。第二金属板具有足够大的面积，使得从紫外光C发光二极管发出的光将被封闭在空气消毒装置内。
紫外光发光二极管消毒装置

[发明专利]EUV光源和曝光装置-CN201410549348.6有效
发明人：伍强;岳力挽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：所述液滴阵列包括沿扫描方向排布的若干喷嘴，若干喷嘴适于依次向下方的辐射位置喷吐液滴；激光源，适于产生激光束，并使激光束沿扫描方向扫描，依次轰击到达辐射位置的液滴，液滴受到激光轰击时形成等离子体，等离子体辐射极紫外光；聚光器，适于旋转扫描并同时收集辐射的极紫外光，并将收集的极紫外光汇聚于中心焦点。本发明的EUV光源输出的极紫外光的功率增加。
极紫外光辐射位置曝光装置扫描方向液滴阵列喷嘴激光束液滴等离子体等离子体辐射功率增加激光轰击喷吐液滴旋转扫描中心焦点激光源聚光器排布轰击扫描汇聚输出辐射

[发明专利]深紫外光刻机照明系统光瞳面光强分布的控制装置-CN201510174149.6在审
发明人：张运波;曾爱军;黄惠杰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种深紫外光刻机照明系统光瞳面光强分布的控制装置，包括：激光源、扩束器、自由曲面反射镜、微反射镜阵列、傅里叶透镜组、光瞳面。本发明采用自由曲面反射镜代替转折反射镜和微透镜阵列实现光束的分割与聚焦，减小光能的损失，提高深紫外光刻机的曝光效率。本发明自由曲面反射镜具有加工装调、容易的优点。
深紫光刻照明系统光瞳面光强分布控制装置

[发明专利]一种大视场大数值孔径紫外光投影光刻物镜镜头-CN201510005369.6有效
发明人：周毅;邓钦元;司新春;刘俊伯;胡松;杨勇;程依光 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： G02B13/06 文献下载
摘要：本发明是一种大视场大数值孔径紫外光投影光刻物镜镜头，其光学结构为双方远心结构，物像共轭总长为l＝1500mm；其中物方视场为Φ120mm，物方数值孔径NA＝0.1。该镜头设计工作波段为λ＝(365±10)nm紫外光，镜片数量少同时成像质量好，用于大视场，大数值孔径投影光刻成像。
一种视场数值孔径紫外光投影光刻物镜镜头

[发明专利]具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜-CN201510962153.9在审
发明人：喻波;姚舜;金春水 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G02B1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜，属于极紫外光刻技术领域。解决了现有技术中极紫外多层膜无法兼备抗溅射损伤、抗氧化性能、高热稳定性、较好的反射率的技术问题。本发明的极紫外多层膜主要由从下至上依次设置在基底上的周期层和表面保护层组成，其中，周期层由从下至上依次排列的Si层、第一阻挡层、Mo层、第二阻挡层组成；表面保护层的材料为Ti、Al、N三种元素按摩尔比(该极紫外多层膜能够抗溅射损伤，具备抗氧化性和高稳定性，且反射率相对于Mo/Si多层膜的降低程度也在合理范围之内。尤其适用于需要在恶劣环境下使用的收集镜。
具有溅射损伤氧化高热稳定性紫外多层

[发明专利]用于极紫外光刻的聚合物刷-CN201880054272.6在审
发明人： D·高尔德法尔博;M·克劳德;A·沃拉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C08F4/00 文献下载
摘要：还公开了一种光刻图案化工艺和包括至少一个通过该光刻图案化工艺形成的集成电路的电子设备。该工艺包括提供无机基底，将所公开的聚合物刷沉积到该无机基底上，以及将光致抗蚀剂沉积到该聚合物刷上。
用于紫外光刻聚合物

[发明专利]用于极紫外光刻的反射光学元件-CN201080063880.7有效
发明人： J.韦伯 -专利权人：卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：一种用于软X光和极紫外波长范围中的工作波长的反射光学元件形成用于EUV光刻的应力减少的反射光学元件。
用于紫外光刻反射光学元件

[实用新型]一种微型紫外光模组-CN201821550627.4有效
发明人：邵健 -专利权人：邵健
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： A61L2/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一个微型紫外光模组，包括一个可产生紫外光的微型模组，其特征在于：模组包括带有封盖的容器，容器内设有单个或数个微型紫外光发光源、电力控制线路、电池，所述微型紫外光发光源为紫外光二极管，紫外光二极管的顶部为实心石英玻璃材质的光学透镜
紫外光模组紫外光二极管发光源内容物石英玻璃材质本实用新型保存期限电力控制光学透镜抑制细菌灭菌封盖盖合杀菌电池保存生长污染应用

[发明专利]一种光刻胶的清洗方法-CN202110879426.9在审
发明人：夏建文;黄明起;叶振文;刘彬灿;易玉玺;刘献伟 -专利权人：深圳市化讯半导体材料有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶的清洗方法。所述清洗方法包括如下步骤：(1)将基板包含光刻胶的一面置于紫外光下老化，得到经老化处理的基板；(2)使用光刻胶清洗剂对步骤(1)得到的经老化处理的基板进行清洗，完成基板上光刻胶的清洗；所述光刻胶清洗液包括如下重量份数的组分本发明通过采用对包含光刻胶基板的先进行紫外光照射老化处理，再使用光刻胶清洗剂进行清洗的方法，在不增大光刻胶清洗剂碱性且不使用其他腐蚀抑制剂的情况下，完成基板上光刻胶的清洗，得到了表面无光刻胶残留、无腐蚀的基板
一种光刻清洗方法

[发明专利]正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置-CN201710651692.X有效
发明人：李伟;苏同上;李广耀;胡迎宾;马睿;邵继峰;张扬;张建业 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供一种正性光刻胶组合物、过孔的形成方法、显示基板及显示装置，涉及显示技术领域，该正性光刻胶组合物中包括有光致异构化合物，受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构，降低了该正性光刻胶与有机膜层间的附着力该正性光刻胶组合物包括，主体胶材、光敏剂；光致异构化合物；所述光致异构化合物受到紫外光照射后结构转变为分子极性程度增加的离子结构。
光刻组合形成方法显示显示装置

[发明专利]LED灯板制造方法-CN202010912951.1在审
发明人：张小齐;李伟;韩蓉蓉 -专利权人：深圳市隆利科技股份有限公司
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明LED灯板制造方法，其包括：在一LED基板上涂布一层光刻胶，通过温度的升高或者降低增加或者减少紫外光学胶的粘度，以使得光刻胶的流淌性得到控制；采用热压印工艺，模具压印所述LED基板；紫外光固化所述光刻胶以在所述
led 制造方法

[发明专利]负性光刻胶图形化膜层的制备方法-CN201910717526.4在审
发明人：刘涛;龚艳飞;陈洋 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种负性光刻胶图形化膜层的制备方法，包括：1)在基底上形成负性光刻胶层，并对负性光刻胶层进行整面性的第一紫外光曝光以固化负性光刻胶层，然后烘烤去除负性光刻胶中的溶剂；2)于负性光刻胶层表面形成正性光刻胶层，并对正性光刻胶层进行掩膜版曝光及显影；3)采用干法刻蚀工艺将正性光刻胶中的图形转移至负性光刻胶层；4)对正性光刻胶层进行第二紫外光曝光，并采用显影的方式将正性光刻胶去除，以形成负性光刻胶图形化膜层。本发明提供了一种芯片制造过程中的工艺改良方案，可以采用负性光刻胶代替聚酰亚胺(PI)，使得生产过程中无需高温烘烤，避免产品受高温影响损伤，并达到代替聚酰亚胺支撑产品结构的目的。
光刻图形化膜层制备方法

[发明专利]一种极紫外光学元件表面污染层厚度控制方法及装置-CN201510962345.X在审
发明人：邓文渊;金春水;喻波;姚舜;靳京城 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的极紫外光学元件表面污染层厚度控制方法及装置，在真空环境中，通过实时检测极紫外光学元件表面的污染层厚度，当污染层厚度达到预设的第一阈值，即超出允许的范围时对污染层进行清洗，控制污染层的厚度在允许的范围之内，不需要对极紫外光学元件所处环境进行切换，控制过程简单。
一种紫外光学元件表面污染厚度控制方法装置

[发明专利]一种同步辐射高次谐波驱动的等离子体极紫外光源-CN202310663728.1在审
发明人：吴衍青;卢启鹏;龙家丽;芶富均;胡智民 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：本发明提供一种同步辐射高次谐波驱动的等离子体极紫外光源，包括来自于靶材发生器的靶材、以及对准靶材的同步辐射产生装置，同步辐射产生装置设置为将带有高次谐波的同步辐射主脉冲引入并照射到等离子体上，所述等离子体极紫外光源还包括产生并向靶材发射电离靶材的波束以得到等离子体的等离子体产生装置本发明的等离子体极紫外光源将带有高次谐波的同步辐射作为驱动光源与等离子体作用，高效激发产生一定波长的高功率极紫外光，从而有效利用现有同步辐射光源杂余波，实现极紫外光的高功率输出。
一种同步辐射谐波驱动等离子体紫外光源

[发明专利]暗场成像检测系统-CN202110976103.1在审
发明人：马翔宇;吴晓斌;沙鹏飞;谢婉露;韩晓泉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种暗场成像检测系统，暗场成像检测系统包括真空腔室、光源、光学组件和图像采集装置，真空腔室内设有检测位，检测位用于放置极紫外掩模，光源设于真空腔室内且用于向极紫外掩模发射极紫外光束，光学组件设于真空腔内，光学组件用于接收经极紫外掩模发出的散射光线并将散射光线形成光学图像，图像采集装置用于采集光学图像。进行检测时，启动暗场成像检测系统，光源发出极紫外光束，极紫外光束照射在极紫外掩模上，若极紫外掩模具有缺陷，会产生散射光线，光学组件吸收散射光线并将散射光线形成光学图像，图像采集装置采集光学图像，实现暗场成像
暗场成像检测系统

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