[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统有效

申请号：	201210104156.5	申请日：	2012-04-10
公开（公告）号：	CN103365073A	公开（公告）日：	2013-10-23
发明（设计）人：	李海亮;谢常青;刘明;李冬梅;牛洁斌;史丽娜;朱效立	申请（专利权）人：	中国科学院微电子研究所
主分类号：	G03F1/44	分类号：	G03F1/44
代理公司：	北京华沛德权律师事务所 11302	代理人：	刘丽君
地址：	100029 ***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。
搜索关键词：	紫外光刻缺陷检测系统
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，其特征在于，包括：极紫外光源、用于传输光信号的极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、用于采集暗场像并确定缺陷类型和缺陷位置的采集及分析部分；所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析部分。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210104156.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：水或液体介质蒸汽非冷凝循环发电系统
下一篇：一种涡轮结构及应用其的发动机

同类专利

评价用掩模、评价方法、曝光装置以及物品的制造方法-201510522421.5
发明人：安藤美和子 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及一种评价用掩模、评价方法、曝光装置以及物品的制造方法。本发明的评价用掩模在评价使基板曝光的曝光装置的性能时使用，其特征在于，具有：第1图案及第2图案，用于评价所述曝光装置的第1性能；以及虚设图案，用于使包括所述第1图案的第1部分区域中的每单位面积的开口部和遮光部的第1比例、与包括所述第2图案的第2部分区域中的每单位面积的开口部和遮光部的第2比例的差分成为±10％以内。

一种具有集成检测标记的光刻掩膜版及其应用-201410374231.9
发明人：刘欢;沈燕;吴萌萌;张玉萍;徐现刚 -专利权人：山东华光光电子股份有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G03F1/44
摘要：一种具有集成检测标记的光刻掩膜版，包括在所述光刻掩膜版上设置的对准标记、测量标记和包含脊形波导信息的图案，所述对准标记用于与晶片定位边对齐；测量标记A包括至少两条分别与所述对准标记相垂直的标记条；所述每条标记条分别包括个数相同的标记格顺次垂直于对准标记排列。本发明所述检验标记包括对准标记与偏离度测量标记，其中的偏离度测量标记设计，可同时用于检验工艺中图形质量。本发明提供的检验标记给出测量偏离度的简单有效的方法，有助于节省购买专用设备的资金、提高产品合格率；同时集偏离度测量与图形质量检验于一体，减少检验标记在晶片上的占用面积，提高有效产品产出率。

一种优化光掩模图案制备参数的方法-201410141068.1
发明人：田明静 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种优化光掩模图案制备参数的方法，包括：提供光掩模，所述光掩模包括主图案区和至少两个测试图案；其中一个测试图案采用的条件参数与主图案区的条件参数相同；通过对比若发现采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性比采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好，则继续采用原来的条件参数制备下一个光掩模主图案区；若发现采用其他条件参数制备的测试图案中有一测试图案的特征尺寸均匀性相对于采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好，则采用该优化的条件参数制备下一个光掩模主图案区。本发明提供的优化方法可以方便快速的优化出曝光参数，优化周期短，优化操作简单。

器件设计尺寸的提取方法-201410217449.3
发明人：刘竹 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种器件设计尺寸的提取方法，该方法包括将器件中的每层平面图形和CD Bar放置在平面图形对应的掩膜版上；采用多种曝光条件，分别对每个掩膜版上的平面图形和CD Bar进行曝光处理，使得每个掩膜版上的不同曝光条件下的平面图形和CD Bar转移到掩膜版对应的样品晶片上；对于每个样品晶片，量取样品晶片上每个曝光条件下的CD Bar的数值，并获取样品晶片上的最佳曝光条件；其中，最佳曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差均小于除最佳曝光条件之外的其他曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差；分别对每个样品晶片上最佳曝光条件下的平面图形进行测量，获取器件中每层平面图形的设计尺寸。

测试掩模版以及测试方法-201510051782.6
发明人：郝静安;张强;邢滨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种测试掩模版以及测试方法，所述测试掩模版包括掩模版基板；位于所述掩模版基板上的正测试区域和反测试区域；所述正测试区域包括多个呈阵列排布的不曝光区域和第一测试图形区域，第一测试图形区域与不曝光区域在阵列的行方向和列方向上间隔排布并相邻接；所述反测试区域包括多个呈阵列排布的全曝光区域和第二测试图形区域，第二测试图形区域与全曝光区域在阵列的行方向和列方向上间隔排布并相邻接。以本发明提供的测试掩模版为掩模，对晶圆上的光阻层进行曝光显影，能够对不同工艺条件下，各种显影不足或者过度显影等缺陷发生的概率进行测试，并且使得显影不足或者过度显影发生的概率增加，提高了测试效率。

一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板-201821903870.X
发明人：严峰;蔡亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种用于监控尼康光刻机底部镜头雾化散光程度的掩膜板，涉及尼康光刻机镜头维护领域。尼康光刻机底部镜头实际受雾化散光影响主要集中在扫描曝光的X方向，本实用新型通过在扫描曝光的X方向放置多列图形组合，其中，每列图形组合中包括多类不同形状的图形，每类图形的线宽尺寸兼容各类光刻机的最小及最大曝光尺寸标准。该掩膜板经曝光后通过扫描电子显微镜自动测量晶圆不同形状、不同线宽尺寸的图形的变化量，表征底部镜头的雾化散光程度和分布趋势。本实用新型有效监控光刻机漏光性能稳定性，确保产品品质安全；同时，镜头周期使用率得到最大化，有利于机台保养整体规划。

测量标记及具有该测量标记的光掩模-201810175113.3
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及一种测量标记及具有该测量标记的光掩模，测量标记的第一对准标记具有相互垂直连接的第一标记部和第二标记部；第二对准标记具有相互垂直连接的第三标记部和第四标记部，第一对准标记和所述第二对准标记设置在矩形区域中且不同层设置，第一对准标记与第二对准标记围成一非连续对位框，非连续对位框具有定位缺口。光掩模的第一描绘层具有第一图案，第一对准标记位于第一描绘层上；第二描绘层具有第二图案，第二对准标记位于第二描绘层上。本发明实施例的测量标记的第一对准标记和第二对准标记设置在同一个矩形区域中，通过第一对准标记和第二对准标记的布置方式和线宽选择，最大限度的节省了光掩模和晶圆切割轨道的使用空间。

一种掩膜版雾化控制方法及装置-201410216694.2
发明人：徐卿栋;卢子轩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种掩膜版雾化控制方法及装置，所述控制方法包括步骤：1）从待扫描测试的掩膜版中选择出在预设时间内使用次数大于或等于预设次数的第一数量掩膜版；2）依据公式R=r₁*r₂*r₃*r₄*r₅计算出所述第一数量掩膜版中各掩膜版的雾化风险值R，其中，r₁为掩膜版的曝光总剂量风险值，r₂为掩膜版的使用年限风险值，r₃为掩膜版的清洗次数风险值，r₄为掩膜版的存储方式风险值，r₅为掩膜版的制程线宽风险值，3）依据雾化风险值从高到低依次对全部或部分掩膜版进行扫描测试，并根据扫描测试的结果确定实际被雾化的掩膜版。本发明能有效的节约时间和成本，且可以高效率的实现对掩膜版的雾化控制，有利于器件生产的稳定性。本发明方案简单，适用于工业检测。

一种OPC中双掩膜版的检测方法-201410033150.2
发明人：王铁柱 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及一种OPC中双掩膜版的检测方法，包括：步骤（a）提供第一掩膜版和第二掩膜版，并确定所述第一掩膜版中需要清除的图案以及需要最终保持的图案；步骤（b）执行常规检查步骤，以确保所述第二掩膜版包围所述需要清除的图案，同时不会和所述需要最终保持的图案形成接触；步骤（c）执行工艺变量检查步骤，以保证所述第二掩膜版的对准误差以及蚀刻误差在可接受范围之内。本发明的优点在于：能够最大程度的保证所述目标图案中所述双掩膜版的逼真；考虑了工艺过程中各种变量的影响，例如所述光刻对准位移（litho Overlay shift）、蚀刻偏差的变化（Etch bias variation）等。对于OPC过程以及OPC光刻掩膜版输出的运行时间影响非常小。

一种掩膜版及镜头照明均一性的检测方法-201811460063.X
发明人：任琳晓;蔡亮 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供了一种掩膜版，所述掩膜版包括：基版，所述基版上具有以阵列形式排布的多个掩膜图形，多个所述掩膜图形的形状相同，所述基版上的所述掩膜图形的数量分布的比较多，可表征整个光刻机镜头面内照明分布趋势。本发明还提供了一种镜头照明均一性的检测方法，首先，通过所述掩膜版在晶片上的光刻胶层形成与所述掩膜图形对应的量测图形，然后，对所述量测图形的线宽尺寸进行测量，最后，根据所述量测图形的线宽尺寸的大小得到所述镜头的照明均一性，这样可以间接一次性实时地检测光刻机镜头的不同位置的光强度差异，实时有效监控光刻机曝光性能稳定性，确保了产品品质安全。

一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法-201310371397.0
发明人：李晓梅 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法，所述监测方法包括步骤：1）提供一包括图形区域及外围区域的光掩模，至少于所述外围区域四个角落的预设中心坐标制作标记图形，其中，所述标记图形由两个垂直相交的横向矩形与纵向矩形组成；2）测量各该标记图形的实际中心坐标，并计算出各该标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。本发明可以有效提高套刻精度监测的简易度、降低监测的出错概率、缩短工作周期；图形标记放置在光掩模板子的四个角上，远离光刻的主图形，既能很好的监测位置精度，又不会对光刻的主图形有任何影响。本发明步骤简单实用，适用于生产监测。

掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法-201310392104.7
发明人：宋秀海 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种掩膜版及显微镜读取关键尺寸的方法，该掩膜版上具有多组图形单元，其中，每组图形单元包括第一图形和第二图形，并在第一图形和第二图形上分别设置一个待测基准点，在掩膜版上的图案复制到半导体芯片上时，通过显微镜读取两个待测基准点复制到半导体芯片上形成的两个特定基准点，一般为重合的两个特定基准点，则根据重合的两个特定基准点对应的两个待测基准点之间的距离即可获取CD的变化值，只引入一次读取误差，减小了获取的CD变化值的误差，而且采用普通的显微镜即可完成关键尺寸变化值的读取，大大降低了成本。

一种掩模板图案的测量方法-201710398624.7
发明人：邹彦双 -专利权人：泰州市西陵纺机工具厂
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明的一种掩模板图案的测量方法，能精确检测掩模板上图案的变化，从而提高晶片上后续外延工艺的对准精度，方案是，掩模板上图案化部分划分为各个小区域，各个小区域之间在行与列方向上具有若干个掩膜标记，掩模板上图案化部分形状变化会带动掩膜标记尺寸的变化，光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化。本发明利用光探测器能够精确检测掩膜标记尺寸变化，进而实现达到精确检测掩模板上图案的变化的效果，检测方法简单有效；掩模板通过刻蚀工艺在上述标记层上形成掩模标记或图案化工艺在晶片上的衬底中形成多个孔洞的方式形成掩模标记，从而提高光探测器对掩膜标记的更为精确的探测，具有很大的实用价值和推广价值。

掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法-201310476007.6
发明人：潘光燃;王焜;石金成;高振杰;文燕 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明公开了一种掩模板及利用掩模板进行光刻和测量步进精度的方法，用以解决现有技术中存在的测量步进精度过程复杂的问题。该掩模板包括：位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被保留的第一步进精度测量图案和第三步进精度测量图案，以及位于矩形曝光区域内、用于使光刻胶在经过光刻后被刻蚀的第二步进精度测量图案和第四步进精度测量图案。

图案形成膜的刻蚀条件的测评-201210543966.0
发明人：五十岚慎一;吉川博树;稻月判臣;金子英雄 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。

一种判断挡板走位精度的掩膜版及其方法-201711081070.4
发明人：徐勇 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供了一种判断挡板走位精度的掩膜版，包括主曝光区、设置于主曝光区相对的两侧的第一曝光区、第二曝光区、第一曝光区包括第一标尺，第一标尺包括第一尺身、第一分界线、第一刻度，分布在第一分界线两侧的第一刻度分别设置于第一尺身的两侧，第二曝光区包括第二标尺，第二标尺包括第二尺身、第二分界线、第二刻度，分布在第二分界线两侧的第二刻度分别设置于第二尺身的两侧，第一分界线与第二分界线与主曝光区相对的两个边缘重合，第一尺身和第二尺身共线，位于主曝光区的第一刻度与第二刻度位于第一尺身和第二尺身所在直线的同侧。利用本发明提供的掩膜版，通过反映曝光在基板上的图案来判断挡板走位是否正常，以便于及时调整挡板的位置。

光罩及检测结构-201720276071.3
发明人：易旭东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型揭示了一种光罩及检测结构。本实用新型提供的光罩，包括第一模块区、第二模块区和第三模块区，所述第二模块区围绕所述第一模块区，所述第三模块区围绕所述第二模块区，所述第三模块区包括多个线条，每个线条的线宽依次增大，所述第二模块区的线宽大于第三模块区中线条的最大线宽。由此获得的检测结构，能够依据清洗工具转速的不同而黏附不同的残留物缺陷，进而通过残留物缺陷的检测，可以获悉清洗工具转速的偏离情况，可以及时修正，以确保清洗工具转速的正确性。

掩模板、曝光设备最佳焦距的监控方法-201210556659.6
发明人：谭露璐;赵新民;金乐群;周孟兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G03F1/44
摘要：一种掩模板、最佳焦距的监控方法，其中，所述掩模板包括基板；位于基板上的监控图形，所述监控图形包括正方形本体和位于正方形本体的四周侧壁的矩形凸起部，所述矩形凸起部为若干平行的光栅条。采用所述掩模板进行最佳焦距的监控时，提高了监控的精度。

光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测方法-201510149073.1
发明人：卢子轩;王跃刚;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本申请公开了一种光掩膜的缺陷检测系统及光掩膜的缺陷检测方法。其中，该缺陷检测系统包括：缺陷扫描单元，用于检测出光掩膜的表面上的缺陷的坐标值；缺陷分析单元，用于计算出任意两个或两个以上缺陷之间的坐标值的差值，并将沿同一坐标轴方向上的差值小于擦伤缺陷宽度容忍值的各缺陷作为擦伤缺陷。本申请提供的光掩膜的缺陷检测系统和缺陷检测方法能够提高光掩膜的缺陷检测过程中擦伤缺陷的发现几率。

检测掩膜板质量的方法-201610470791.3
发明人：王雷 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明公开了一种检测掩膜板质量的方法，包含如下步骤：步骤1，产生一组测量图形，所述测量图形包括至少两个图形：一个把铬全部去除，露出衬底玻璃基板的图形；以及一个按最小设计规则1:1的铬全部去除，露出衬底玻璃基板的图形；步骤2，以所述测量图形产生一块标准掩膜板，该标准掩膜板包含的测量图形均匀分布在掩膜板曝光范围内；步骤3，使用实际生产用聚焦光束对标准掩膜板的测量图形进行照射，测量其透过率并进行AIMS系统测试确定其在标准CD下的阈值；步骤4，将所述测量图形放置到实际掩膜板中，出厂时对透过率和标准CD下AIMS系统测量的阈值，进行检测并将其和步骤3获得的值进行对比。

一种菲林结构-201510489173.9
发明人：王佐;朱拓;王淑怡;任继文 -专利权人：深圳崇达多层线路板有限公司
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明公开了一种菲林结构，所述菲林包括外部板、内部板和设置于所述外部板与所述内部板之间的靶标，在所述内部板相邻的两个板边各设置两个开槽，所述靶标间设置有方向指示标记。当菲林需测试涨缩或因环境温度或相对湿度发生涨缩变化时，仅需测量每边两个开槽的间距变化即可确定菲林的涨缩程度，测量方法简便、计算简单，提高了菲林的检测效率。同时，所述方向指示标记，可用于区分菲林的正反，防止菲林在曝光过程中放反，造成线路曝光错误，提高了电路板的生产效率，降低了生产成本。

一种光配向掩膜板对位的检测方法-201410828551.7
发明人：黄秋蓉 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2014-12-26 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明公开一种配向掩膜板对位的检测方法，包括：一曝光机台、设置于该机台上一光侦测器、与所述光侦测器相连接的一报警器、一玻璃基板以及一掩膜板；该掩膜板包括透光区与非透光区；检测方法为：将所述的光侦测器设置于所述掩膜板的非透光区在所述曝光机台上的投影区域；曝光机台将所述掩膜板与所述玻璃基板对位，并进行UV2A曝光制程；若所述掩膜板发生位移，所述光侦测器将接收到UV光；将信号传给曝光机台的报警器，报警器报警；机台停止工作；掩膜板与玻璃基板重新调整对位。通过本发明的检测方法，在曝光扫描的过程中，不仅可确保UV2A掩膜板对位的精准度；发生位移时，也可及时停止曝光机台工作，避免产线上大量的损失。

掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构-201410421343.5
发明人：吴海东;金泰逵;马群;白娟娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明提供了一种掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构，其中掩膜版包括交替排列的遮挡区和开口区，开口区的宽度为一个亚像素宽度的二倍，相邻两个开口区之间的遮挡区的宽度为一个亚像素宽度的四倍。在掩膜版厚度相同的情况下，本发明中的掩膜版上遮挡区和开口区的宽度能够制作的更窄，即亚像素的宽度能够制作的更精细，从而提高了OLED显示器件的画面细腻程度。

一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统-201410524607.X
发明人：郭贵琦;赵蓓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-03-03 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及一种掩膜图形缺陷的检测方法及系统。方法包括：获取掩膜图像的步骤，其得到待测掩膜图像和正常掩膜图像；特征提取和格式转化步骤，其提取边缘特征并将其转化为以几何图形格式存储；填充步骤，对所述几何图形中的矩形边缘轮廓中的空白区域进行填充；数据合并步骤，其进行图形叠加；轮廓仿真步骤，其进行晶圆片的轮廓仿真；仿真轮廓的关键尺寸分析步骤，其测取关键尺寸并求关键尺寸的差值；以及判断步骤，其通过关键尺寸的差值判断掩膜缺陷修复是否成功。本发明进一步涉及一种掩膜图形缺陷的检测系统。本发明的方法和系统简单易行，效果显著，而且有效地降低了45nm及更高阶纳米级光刻技术中的光刻掩膜版制作工艺的制作成本。

一种掩模板-201420261930.8
发明人：郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型涉及一种掩模板，掩模板上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。本实用新型提供的掩模板，在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一册相对的第二侧的方向移动标准距离时，可以通过检测移动后的位于预设图形第一侧的第一测试图形与移动前的位于预设图形第二侧的第一测试图形之间的相对位置关系，确定掩模板在其移动过程中是否产生位置偏移，并在产生位置偏移时，确定位置偏移的大小，从而可以对掩模板的位置进行校正，进而在玻璃基板上获得准确的特定图形。

一种光配向掩膜版-201420288336.8
发明人：刘濂;盛科;王永刚;汤雅芸;王海宏;焦峰 -专利权人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种光配向掩膜版，其包括曝光区域和非曝光区域，其中曝光区域有四个曝光图形，非曝光区域有条形码、特征码，其特征在于：非曝光区域还包括第一刻度尺和第二刻度尺。本实用新型通过提供一种具有刻度尺的掩膜版，可迅速找到掩膜版刮伤位置，缩短故障检出时间，提高生产效率。

一种光罩标准片-201420287338.5
发明人：张士健;胡华勇;刘洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种光罩标准片，所述光罩标准片至少包括：光罩本体；形成于所述光罩本体表面的至少一个模拟缺陷，所述模拟缺陷为硅倍半氧烷；氧化形成于所述模拟缺陷表面的二氧化硅层。本实用新型提供的光罩标准片，利用硅倍半氧烷的光刻胶特性，通过曝光显影在光罩本体上制作硅倍半氧烷模拟缺陷，该模拟缺陷可以稳固地粘附于光罩本体上，并且模拟缺陷表面的二氧化硅层可以起到保护作用，确保标准片承受住酸清洗，延长标准片的使用寿命，降低制造成本。

一种掩模板-201410216482.4
发明人：郭建 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本发明涉及一种掩模板，掩模板上设有预设图形，在所述预设图形相对的两侧分别设有第一测试图形，所述第一测试图形用于确定所述掩模板在移动过程中产生的位置偏移的大小。本发明提供的掩模板，在其沿由第一测试图形所在的预设图形的第一侧至与第一册相对的第二侧的方向移动标准距离时，可以通过检测移动后的位于预设图形第一侧的第一测试图形与移动前的位于预设图形第二侧的第一测试图形之间的相对位置关系，确定掩模板在其移动过程中是否产生位置偏移，并在产生位置偏移时，确定位置偏移的大小，从而可以对掩模板的位置进行校正，进而在玻璃基板上获得准确的特定图形。

一种光掩膜版-201420224691.9
发明人：王清蕴;卢子轩;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-04 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种光掩膜版，包括前层图案区及环绕所述前层图案区的切割道区，所述切割道区形成有套刻标记图形区，所述套刻标记图形区还形成有密集线条图形，所述密集线条图形整体为一方形，该方形由其两条对角线划分为四个等腰三角形区域，所述等腰三角形区域由若干垂直于该等腰三角形区域底边的线条图形间隔排列组成。使用本实用新型的光掩膜版制作前层器件结构，会在前层的套刻标记区形成密集线条图形，若在该前层器件结构上制作当层时曝光能量发生异常，则会在前层线条密集区域及套刻区域产生光阻残留，导致套刻精度量测失败，从而实现在套刻精度量测的同时侦测后道铝焊盘是否有因能量的异常而造成的光阻残留。

一种用于识别光掩膜待量测图形的结构-201420072328.X
发明人：田明静 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-02-19 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F1/44
摘要：本实用新型提供一种用于识别光掩膜待量测图形的结构，至少包括：基板及位于其上的图形层；所述图形层表面具有与所述基板接触的若干凹槽；所述若干凹槽的分布构成第一矩阵；所述第一矩阵每行中相邻两凹槽间的图形层形成第二矩阵单元；当所述第一矩阵任意一行中连续分布的若干凹槽为待量测结构时，与该待量测结构中首末两个凹槽分别左、右相邻的两个第二矩阵单元上具有识别标记；当所述第二矩阵任意一行中连续分布的若干第二矩阵单元为待量测结构时，与该待量测结构中首末两个单元分别左、右相邻的两个第二矩阵单元上具有识别标记。本实用新型将待量测图形用识别标记加以标注，使其在量测时易于被人工或量测设备所识别，防止发生量测错误，有效提高了半导体制程的效率。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]极紫外光刻掩模缺陷检测系统有效

专利文献下载