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[发明专利]玉米芯改性磁性重金属吸附材料的制备与去除水中重金属的方法-CN201710337735.7有效
发明人：范拴喜 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B01J20/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种玉米芯改性去除重金属的磁性材料制备与水中重金属的去除方法，通过对农业废弃物玉米芯进行物理化学改性制备成磁性重金属吸附剂，对污(废)水中重金属具有较高的去除能力，实现了农业废弃物资源化利用，以废治污的目的，同时克服了常规吸附材料应用后难以去除的困难。该发明原材料来源丰富，方法简单可行，对水中重金属去除效果显著且稳定，且制备和吸附成本低廉，具有较好的应用价值。
玉米芯改性磁性重金属吸附材料制备去除水中方法

[发明专利]非选择性氧化物蚀刻湿清洁组合物及使用方法-CN200980113539.5有效
发明人：普雷尔那·森塔利亚;埃马努埃尔·库珀;大卫·明塞克;张鹏;梅利莎·A·彼特鲁斯卡;布利塔尼·瑟尔;特雷斯·昆廷·赫德 -专利权人：高级技术材料公司
申请日： 2009-03-06 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明涉及以大于或等于去除经掺杂含硅材料的速率的速率从微电子器件中去除无掺杂含硅材料的组合物及方法。
选择性氧化物蚀刻清洁组合使用方法

[发明专利]存储器元件的制备方法-CN202211710764.0在审
发明人：庄晴凯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：该制备方法包括：提供一半导体基底，该半导体基底的一表面突出有一鳍部；在该半导体基底上配置一半导电材料并与该鳍部共形；在该半导电材料上配置一导电材料；在该导电材料上配置一绝缘材料；在该绝缘材料上配置一图案化光阻；以一第一预定角度向一等离子体施加一电场，以去除通过该图案化光阻曝露的一部分绝缘材料，以形成一绝缘层，去除该部分绝缘材料下的一部分导电材料，以形成一导电层，以及去除该部分绝缘材料下的一部分半导电材料，以形成一半导电层；以及从该绝缘层去除该图案化光阻。
存储器元件制备方法

[发明专利]有复合材料制成的制动区的自行车轮部件和相关制造工艺-CN201610879361.7有效
发明人：保罗·法布里斯 -专利权人：坎培诺洛有限公司
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： B60B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及有复合材料制成的制动区的自行车轮组件和相关制造工艺。工艺包括步骤：提供自行车轮部件，具有构造成与制动本体协作的至少一个制动区，通过复合材料的模制制成所述制动区，复合材料包括在聚合材料中结合的结构纤维；对所述至少一个制动区的至少一个区域执行模制后加工，包括步骤：从整个区域仅去除聚合材料而不去除结构纤维，使结构纤维至少部分从聚合材料露出；根据区域内的至少一个沟槽去除结构纤维且可能去除聚合材料。自行车轮部件具有由复合材料制成的至少一个制动区，其中在制动区的至少一个区域中，所述结构纤维至少部分地从聚合材料露出，且所述至少一个区域包括穿过复合材料的结构纤维且可能穿过聚合材料的至少一个沟槽。
复合材料制成制动自行车轮部件相关制造工艺

[发明专利]一种超短焦抗光结构的制作方法-CN201811531764.8有效
发明人：廖巧生;黄少云 -专利权人：烟台市谛源光科有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G03B21/60 文献下载
摘要：本发明涉及短焦投影技术领域，提供了一种超短焦抗光结构的制作方法，包括在基板上模压出的光学微结构的表面上均匀沉积金属材料形成反射层；在反射层上均匀覆盖光阻材料；选定区域进行曝光；显影去除被曝光的光阻材料，露出所述区域内的反射层；刻蚀掉露出的反射层上的金属材料，形成抗光侧；去除剩余的光阻材料，露出反射层，得所述抗光结构。借此，本发明通过在光学微结构上均匀沉积金属材料，再在金属材料上覆盖光阻材料；之后对选定区域内的光阻材料进行曝光、显影，再去除掉露出的金属材料，形成抗光侧；最后去除剩余的光阻材料形成反射层。
一种超短焦抗光结构制作方法

[发明专利]一种用于涂料去除TVOC气体的材料及其制备方法和应用-CN202010302416.4在审
发明人：汪沛雨;贺一新 -专利权人：肇庆市盛浩新材料科技有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C09D7/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于涂料去除TVOC气体的材料，所述用于涂料去除TVOC气体的材料由以下重量份原料制成：90~100份改性纳米氧化锌、4~6份改性硅藻土、1~3份单宁、2~4份纳米二氧化钛、0.5~1.5本发明所述的用于涂料去除TVOC气体的材料运用在涂料中能够有效的去除甲醛、甲苯及一些TVOC气体；本发明所述的改性纳米氧化锌、改性硅藻土能够显著提升除TVOC气体的材料对于甲醛、甲苯及一些TVOC气体的去除率
一种用于涂料去除 tvoc 气体材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体蚀刻速度改进-CN200410049312.8有效
发明人： J·－F·郑;J·汉伯格 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2004-06-10 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：根据本发明方法的实施例，牺牲层提供蚀刻速度改进以便用公共的蚀刻工艺有效地将具有不同材料的多个半导体器件蚀刻到公共层或衬底。蚀刻去除第二露出部分的时间可与蚀刻去除第一露出部分的时间相比，且牺牲层淀积在第一露出部分上并具有基本等于该差值的蚀刻去除时间。提供牺牲层以具有其中预定的材料成分、材料特性和层厚，提供需要的蚀刻去除时间。该方法还通过牺牲层材料的蚀刻去除而不是直接的通路孔蚀刻提供用于提供高度限定的通路孔的自对准通路孔制造。
半导体蚀刻速度改进

[发明专利]激光烧蚀密封槽加工-CN202210093503.2在审
发明人：蒂莫西·约翰·科斯基;蒂莫西·弗朗西斯·安德鲁斯;卡勒布·德韦恩·迈尔斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：在一个方面，激光系统激光烧蚀部件以从其中去除材料切片，从而形成腔体的区段的至少一部分。在材料切片被去除的情况下，激光系统沿该区段的轮廓激光烧蚀该部件以从其中去除多余侧壁材料，从而形成该区段的一个或多个侧壁。这消除了侧壁的锥形。可以迭代此过程以形成腔体的深度。然后激光系统激光烧蚀部件以从其中去除多余端壁材料，直到形成腔体的端壁至预定深度。
激光密封加工

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110206038.4有效
发明人：李洵;朱焜;李华东 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件及其制造方法，在形成通孔后对通孔底部的连接层不做处理，先沉积绝缘材料，之后通过一次工艺对通孔底部的绝缘材料和连接层进行去除，相比于先去除连接层，再沉积绝缘材料，再去除通孔底部的绝缘材料的工艺流程，本申请实施例节省了不同工艺之间的等待时间，提高了效率，并且将两次去除工艺合为一次，减少了工艺切换时候需要的人力和物力，降低了半导体器件在制造过程中的成本。
一种半导体器件及其制造方法

[实用新型]电极组件、电池单体、电池及用电装置-CN202223573839.3有效
发明人：林江;吴丙钊;廖如虎;戴亚;魏静静;杨瑞;张盛武;吴志阳 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：，电极组件(10)包括层叠设置的第一极片(1)和隔离件(3)，第一极片(1)包括：集流体(11)；和活性物质层(12)，设置于集流体(11)，活性物质层(12)在第一极片(1)的延伸方向上间隔设置多个材料去除区(13)，材料去除区(13)沿第一极片(1)的宽度方向(Y)延伸；其中，活性物质层(12)上设有标记部(14)，标记部(14)沿延伸方向的宽度大于等于材料去除区(13)的宽度且横跨材料去除区(13)。
电极组件电池单体用电装置

[发明专利]磁性焦糖化碳纳米材料在去除水体中重金属的应用-CN202010522950.6有效
发明人：陈静;马龙;占金华;程世博;李念露 -专利权人：山东大学;中国冶金地质总局山东局测试中心;山东大学苏州研究院
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C02F1/28 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性焦糖化碳纳米材料在去除水体中重金属的应用，应用方法为：将磁性焦糖化碳纳米材料γ‑Fe2O3@CCM加入到含有重金属的液体基质中，调节体系pH为2‑7，超声分散均匀，超声后往复震荡3‑8min，实现水中痕量重金属的络合并同时去除，焦糖化碳纳米材料γ‑Fe2O3去除，砷去除率达116μg/g，硒去除率达185μg/g，还可以对对工业废水中铅、钒的同时络合去除，铅去除率达248μg/g，钒去除率达319μg/g。
磁性焦糖纳米材料去除水体重金属应用

[发明专利]在制造半导体器件过程中去除残留物的方法-CN201210382915.4在审
发明人：巫俊昌;陈俊璋;吴权陵;莫忘本;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成化学材料涂层。该化学材料涂层介入第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间。然后清洗该半导体衬底；该清洗从半导体衬底去除了化学材料涂层。化学材料可以与第一光刻胶部件和第二光刻胶部件之间的衬底上设置的残留物混合。从衬底去除化学材料涂层也可以去除残留物。本发明提供在制造半导体器件过程中去除残留物的方法。
制造半导体器件过程去除残留物方法

[发明专利]一种绿色除异净化剂及其制备方法-CN202010227220.3在审
发明人：徐力;褚子菡;徐世祥 -专利权人：南京芬之怡生物科技有限公司
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：该微纳米胶囊包括天然材料胶囊外壳和油相核心。生物材料外壳是由天然去除异味材料和交联剂组成。油相核心含有长效去异味精油，胶囊壁材中含有天然去异味因子。天然去异味胶囊材料将在发明中具体描述。绿色材料胶囊的制备方法在发明中公开。本发明制备的绿色除异净化剂不仅具有良好的去除异味效果，同时可持久释放天然去异味精油，满足持久去除异味的需求，成分绿色环保，可用于家庭、工厂、医院、公共场所等区域的空气净化和异味去除。
一种绿色净化剂及其制备方法

[发明专利]一种去除甲醛用核壳结构多孔材料及其制备方法-CN201710253969.3有效
发明人：刘自力 -专利权人：广东格仑帝环保材料科技有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： B01D53/81 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除甲醛用核壳结构多孔材料，该去除甲醛用核壳结构多孔材料的组份重量配比为粘土50‑70%、无机盐10‑15%、气凝胶1‑5%、海泡石纤维5‑9%、分子筛1‑15%、粘胶剂1‑8%。甲醛去除核壳多孔材料的制备由物料混合，溶液浸渍，干燥造粒和整理活化等四个生产环节组成。通过由复合强氧化剂构成的内核与由无机纤维构成的壳层组成多级孔道共存的核壳结构新材料，该新材料具有高效彻底地氧化去除室内甲醛污染物的性能，生产环节简单，制备成本较低，具有广泛推广应用的前景。
一种去除甲醛用核壳结构多孔材料及其制备方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201010164498.7无效
发明人：林世润;崔殷硕;李永昱;崔源峻;李起洪;李相范 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-04-13 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件的制造方法包括：在衬底上交替堆叠多个层间电介质层和多个导电层；蚀刻层间电介质层和导电层以形成暴露衬底表面的沟槽；在所得到的形成有沟槽的结构上形成第一材料层；在第一材料层上形成第二材料层；去除第二材料层和第一材料层形成在沟槽的底部上的部分以暴露衬底的表面；去除第二材料层；以及将沟道层埋入在已去除第二材料层的沟槽内。
非易失性存储器及其制造方法