“材料去除”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2450147个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于测量材料温度的装置和方法-CN201080025395.0无效
发明人：朴永国;宋赫镇;任声赫;林甲洙;赵升汉 -专利权人：现代制铁株式会社
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B21B45/02 文献下载
摘要：本发明公开了用于测量材料温度的装置，包括：本体单元，其设置在加热炉的出口侧上；温度测量单元，其安装在所述本体单元上并且构造成测量从加热炉提取的材料的温度；外来物质去除单元，其安装在所述本体单元上并且构造成朝材料喷射流体以便去除粘附于材料的外来物质根据本发明，在去除已形成在材料表面上的诸如污垢等外来物质之后测量材料温度，从而提高了材料温度测量的可靠性。
用于测量材料温度装置方法

[发明专利]制造电子部件封装的方法以及通过该方法获得的电子部件封装-CN201980046879.4在审
发明人：劳伦特·贝达勒;M·克里斯托夫·马蒂厄 -专利权人：兰克森控股公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及制造集成电路封装(110)的方法，其中在覆盖有一导电材料片的介电材料条带中制出腔体。电子部件(90)被放置于该腔体中并通过至少部分地用封装材料(100)填充该腔体来封装该电子部件。盲腔的底部由柔性且可去除材料层形成，该柔性且可去除材料层在封装后被去除。本发明还涉及根据该方法制造的集成电路封装(110)。该集成电路封装(110)例如是QFN封装。
制造电子部件封装方法以及通过获得

[发明专利]一种利用负载型石墨烯基材料去除210-CN201810196186.0有效
发明人：杨帆;张阳;赵志钢 -专利权人：厦门稀土材料研究所
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种负载型石墨烯基材料及其制备方法和其在LBE快堆中高放射性210Po气溶胶的去除中的应用，所述材料包括三维石墨烯材料和负载在其上的稀土基碱性纳米材料本发明的负载型石墨烯基材料用于LBE快堆中高放射性210Po气溶胶的去除时，对210Po的固化去除率可以大于99％，极具应用前景
一种利用负载石墨基材去除 base sup 210

[发明专利]一种电子元件表面防水材料激光去除方法-CN202011014224.X在审
发明人：刘万满;陈建军;闵杰 -专利权人：夏禹纳米科技（深圳）有限公司;深圳清华大学研究院
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元件表面防水材料激光去除方法，包括以下步骤：将需要进行处理的电子元件产品放入夹具中；对需要进行处理的电子元件产品进行识别处理，同时对需要去除膜层的区域进行规划；设定红外激光参数；进行除膜操作，同时单独设计抽气装置，使其跟随激光除膜路线移动，将激光气化的材料及时抽走，本发明通过烧蚀原理对电子元件产品表面的有机物防水膜层进行去除，采用红外激光除膜法可以精确的控制激光光斑大小以及激光的能量输出，整个过程精确可控，可控制在微米级精度，可高精度去除防水材料，且去除速度快，同时在去除的过程中，通过激光机自带的负压抽气装置将激光气化的材料抽走，保证除膜过程无污染。
一种电子元件表面防水材料激光去除方法

[发明专利]一种粉末活性炭联合过氧化钙原位修复河道底泥的方法-CN201911392448.1在审
发明人：缪恒锋;李雨平;阮文权 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： C02F11/02 文献下载
摘要：本发明的复合材料，由活性炭粉末和过氧化钙粉末组成，其中，过氧化钙粉末和活性炭粉末的比例为1.5‑2.5：1。本发明的复合材料对于上覆水中总磷的去除率达到80％以上，COD去除率达到60％以上，氨氮去除率达到58％以上；对于底泥中总磷的去除率达到78％以上，COD的去除率达到51％，氨氮去除率达到49％以上。此外，本发明的复合材料不需要加入交联剂，只需要将活性炭粉末与过氧化钙粉末按照一定的比例通过研磨的设置即可以制备得到复合材料，制备工艺简单。
一种粉末活性炭联合氧化钙原位修复河道方法

[发明专利]半导体装置结构和其处理方法与系统-CN201810906681.6有效
发明人： A·M·贝利斯;J·M·布兰德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：从载体结构拆卸半导体装置结构的方法可涉及引导激光通过包括半导体材料的载体结构到阻隔材料，所述阻隔材料位于所述载体结构与粘附到所述阻隔材料的相对侧的半导体装置结构之间。可响应于由所述激光束对所述阻隔材料的加热释放在所述载体结构与将所述载体结构临时紧固到所述半导体装置结构的粘合材料之间的结合。可从所述半导体装置结构去除所述载体结构，可去除所述阻隔材料，且可去除将所述半导体装置结构结合到所述阻隔材料的粘合剂。
半导体装置结构处理方法系统

[发明专利]半导体器件的平坦化方法-CN201410352940.7在审
发明人：纪登峰;李儒兴 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的平坦化方法，包括在衬底内形成沟槽，并在所述沟槽内形成半导体材料层，使所述半导体材料层填充所述沟槽且覆盖于所述衬底上；在所述沟槽内的半导体材料层表面形成第一阻挡层，之后以所述第一阻挡层作为停止层，通过第一平坦化工艺去除衬底上的半导体材料层，去除所述第一阻挡层。在所述沟槽内形成半导体材料层后，在所述沟槽内半导体材料层的表面形成第一阻挡层，在以第一平坦化工艺去除半导体衬底上的半导体材料层时，所述第一阻挡层可有效保护位于所述沟槽内的半导体材料层，避免位于所述沟槽内的半导体材料层受到损伤，从而确保去除所述第一阻挡层后，露出的位于所述沟槽内的半导体材料层表面的平整度。
半导体器件平坦方法

[发明专利]复合材料的截断方法及复合材料-CN202180054575.X在审
发明人：菅野敏广;平田聪;仲井宏太;村重毅;稻垣淳一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C03B33/033 文献下载
摘要：本发明提供能够在不引发截断后的脆性材料层端面的裂纹、及截断后的树脂层端面的严重热劣化的情况下将复合材料截断、并且截断后的复合材料可得到充分的弯曲强度的方法等。本发明涉及将由脆性材料层(1)和树脂层(2)层叠而成的复合材料(10)截断的方法，该方法包括：沿着复合材料的截断预定线(DL)对树脂层照射由CO2激光光源(20)振荡出的激光(L1)从而形成沿着截断预定线的加工槽(24)的树脂去除工序；和在树脂去除工序之后沿着截断预定线对脆性材料层照射由超短脉冲激光光源(30)振荡出的激光(L2)从而形成沿着截断预定线的加工痕(11)的脆性材料去除工序。在脆性材料去除工序中形成的加工痕在树脂层侧开口，并且不贯穿脆性材料层。
复合材料截断方法

[发明专利]互连结构的形成方法-CN201410265005.7有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种互连结构的形成方法，包括：提供衬底、形成材料层；去除部分材料层以形成开口；形成催化剂层；去除材料层以及位于材料层表面的催化剂层以露出部分衬底；在剩余的催化剂层上形成碳纳米管材料的导电插塞；本发明的有益效果在于，在形成碳纳米管材料的导电插塞之前去除多余的催化剂层，以仅形成导电插塞部分的碳纳米管材料。相对于现有技术，不需要在形成导电插塞后增加去除其他部分的碳纳米管材料的步骤，这样可以尽量的减少对于需要保留的碳纳米管材料的导电插塞的影响，例如，保证了形成的碳纳米管的形貌以及管壁曲率等，进而保证形成的碳纳米管材料的导电插塞的性能
碳纳米管材料导电插塞催化剂层去除互连结构材料层衬底曲率形貌材料层表面碳纳米管形成材料介质层管壁开口保证保留

[发明专利]废蛋壳改性除磷磁性吸附材料的制备与水中磷的去除方法-CN201710342071.3在审
发明人：范拴喜;雷霁;周旗;张掌权;李美娟;罗静;刘通通;史娜娜;苏子哲;郭晨 -专利权人：宝鸡文理学院
申请日： 2017-05-16 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种废蛋壳改性除磷磁性吸附材料的制备与水中磷的去除方法，通过对蛋壳废弃物进行物理化学改性制备成磁性除磷吸附剂，对污(废)水中磷具有较高的去除能力，实现了蛋壳变废为宝，以废治污的目的，同时克服了常规吸附材料应用后难以分离去除的困难另外，本发明的原材料来源丰富，方法简单可行，对污(废)水中磷去除效果显著且稳定，吸附的成本低廉，具有较好的应用价值。
蛋壳改性磁性吸附材料制备水中去除方法

[发明专利]一种去除溶液中氨氮的吸附材料及其制备方法-CN201610216789.3在审
发明人：薛英文;高菲;邓品亚 -专利权人：武汉沃特工程技术有限公司;武汉大学
申请日： 2016-04-10 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除溶液中氨氮的吸附材料，原料为棉花杆，所述棉花杆在290℃-350℃下缺氧烧制1-3小时，得去除溶液中氨氮的吸附材料。本发明还提供了一种高效去除溶液中氨氮的吸附材料的制作方法，使用该方法制作的生物炭吸附剂，可以高效去除溶液中的氨氮，吸附量可达到209.4mg/g左右，经过改性后的吸附剂，氨氮吸附量可以达到518.9mg
一种去除溶液中氨氮吸附材料及其制备方法

[发明专利]用于从基层去除余量成型材料的方法-CN200710108133.0无效
发明人：詹姆士·D·格蒂;赵建钢 -专利权人：诺信公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于从基层上的一个或多个区域去除余量多组分成型材料的薄层的方法。该方法包括将基层暴露于有效用于从每个区域去除成型材料的非微粒成分的等离子体。该方法还包括将基层暴露于有效用于从该区域去除成型材料的微粒成分的非等离子体过程。
用于基层去除余量成型材料方法

[发明专利]一种刻蚀方法-CN201610162056.6在审
发明人：张俊;王一军;许徐飞;宋洁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀方法，包括：在需要图案化的膜层上涂覆光刻胶层；在光刻胶层上形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域；在光刻胶去除区域形成交联材料，在预定条件下使交联材料与光刻胶保留区域发生反应，形成反应区域；去除交联材料，保留光刻胶保留区域和反应区域，对去除交联材料区域的膜层进行刻蚀；去除光刻胶保留区域和反应区域的遮挡层，形成图案化膜层。本发明通过控制交联材料和光刻胶反应的条件，可以调整反应区域的宽度，并可以调整至小于曝光机分辨率极限的关键尺寸，而不会发生残留remain。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种基于离散元固液两相磨粒流抛光材料去除的数值模拟方法-CN201810570644.2在审
发明人：李俊烨;胡敬磊;周曾炜;范景峰;赵伟宏;许颖;修航;周化文 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于离散元固液两相磨粒流抛光材料去除的数值模拟方法，其具体方法如下：(1)建立物理模型；(2)在CFD‑DEM耦合中设置参数；(3)在Abaqus软件中设置参数；(4)应用Abaqus软件数值模拟项；基于离散元固液两相磨粒流抛光材料去除的数值模拟结果分析包括：(1)CFD‑DEM耦合数值模拟分析结果；(2)Abaqus数值模拟分析结果；磨粒流抛光过程中磨粒与磨粒和磨粒与工件壁面的相互作用，分析磨粒对工件壁面碰撞、去毛刺和倒圆角的过程，分析单磨粒对壁面滑擦的材料去除和多磨粒对壁面碰撞的材料去除，探讨磨粒对工件内表面的磨损程度，获得了磨粒对工件壁面冲蚀的材料去除机理。
数值模拟磨粒材料去除磨粒流抛光固液两相离散元工件壁面设置参数耦合对壁材料去除机理工件内表面结果分析物理模型单磨粒倒圆角面碰撞去毛刺中磨粒面滑磨损分析应用

[发明专利]一种纳米零价铁/水滑石复合材料去除污染物的应用-CN202110459979.9在审
发明人：宋昕;唐志文;王晴 -专利权人：中国科学院南京土壤研究所
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C02F1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米零价铁/水滑石复合材料去除污染物的应用，属于污染修复技术领域。在本发明中，所述污染物含有全氟化合物和/或多氟化合物；所述纳米零价铁/水滑石复合材料包括纳米零价铁颗粒和水滑石；所述纳米零价铁颗粒负载于水滑石上。本发明利用纳米零价铁/水滑石复合材料作为修复材料，用于含PFASs污染环境的修复，纳米零价铁可以通过吸附和/或还原去除PFASs，水滑石可以提高纳米零价铁的分散性和抗氧化能力，从而提高纳米零价铁对被污染环境中污染物的去除效果；水滑石可以吸附协同去除污染物，使得复合材料对污染物的去除效率提高。
一种纳米零价铁滑石复合材料去除污染物应用