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[发明专利]图像处理装置，图像处理方法以及记录介质-CN202010970792.0有效
发明人：加藤芳幸;村上智彦 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：执行程序的处理器：设定动态图像摄像的曝光条件，取得在设定的曝光条件下拍摄的动态图像的图像，根据图像计算亮度分布。曝光条件包括：用于使摄像装置以第1曝光值拍摄图像的第1曝光条件；用于使摄像装置以比第1曝光值高的曝光值拍摄图像、以及以比第1曝光值低的曝光值拍摄图像中的至少一方的第2曝光条件。处理器基于在设定第1曝光条件后在第1曝光条件下拍摄到的图像的亮度分布，设定第1曝光条件、或者设定第1曝光条件以及第2曝光条件，以作为用于拍摄的曝光条件。
图像处理装置方法以及记录介质

[发明专利]基于结构光的曝光控制方法及曝光控制装置-CN201611189431.2在审
发明人：陈星宏;周詹闵 -专利权人：光宝电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H04N9/31 文献下载
摘要：本发明提供一种基于结构光的曝光控制方法及曝光控制装置。曝光控制方法包括：根据多个曝光条件对物体进行结构光扫描操作以产生对应的多个影像组；从所述曝光条件中决定最佳曝光条件，其中最佳曝光条件对应的影像组的曝光不合格值小于其他影像组的曝光不合格值，曝光不合格值是藉由每一影像组中的过度曝光像素的个数及信心度过低像素的个数来决定；以及根据最佳曝光条件对应的影像组计算物体的立体影像。本发明的曝光控制方法及曝光控制装置会从多个曝光条件中决定最佳曝光条件，并根据最佳曝光条件对应的影像组计算物体的立体影像。
影像组最佳曝光条件曝光控制曝光控制装置曝光条件结构光立体影像曝光过度曝光扫描操作低像素像素

[发明专利]晶圆曝光方法和系统-CN202310185221.X在审
发明人：郁发新;张立星;莫炯炯;开翠红 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆曝光方法和系统。晶圆曝光方法包括如下步骤：在晶圆表面划分多个曝光单元，包括位于晶圆内部区域的完整曝光单元以及位于晶圆边缘区域的不完整曝光单元；获取待曝光光刻层的焦距能量矩阵表；获取经初始曝光条件曝光后的各完整曝光单元的图形形貌和线宽；根据焦距能量矩阵表修正各完整曝光单元的曝光条件，使其图形形貌和线宽符合规格；根据不完整曝光单元邻近的完整曝光单元修正后的曝光条件修正不完整曝光单元的曝光条件。本申请通过根据完整曝光单元的图形形貌和线宽对其曝光条件进行修正，并通过不完整曝光单元邻近的完整曝光单元的曝光条件修正不完整曝光单元曝光条件，可极大改善晶圆面内图形形貌和线宽均匀性。
曝光方法系统

[发明专利]曝光条件确定系统-CN03107481.2无效
发明人：中江彰宏 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在曝光条件确定系统100的数据库10中，储存有关先前进行的曝光工序的信息，包含掩模信息11、曝光机信息12、光刻胶工艺信息13、先前的曝光条件信息14。曝光条件确定部分15根据从数据库10抽出的各种信息及新掩模信息20，按照曝光条件确定程序，确定适合于新掩模的曝光条件，并输出其结果即新掩模的曝光条件21。通过模拟部分16模拟的结果，在曝光条件确定部分15中确定新掩模的曝光条件21时使用。该曝光条件计算系统不需要繁杂的曝光条件确认作业，就能够获得适合于每台曝光机的个体差异的曝光条件。
曝光条件确定系统

[发明专利]确定光刻工艺窗口的方法、装置、存储介质及电子设备-CN202311222006.9在审
发明人：马春雨;陈冠中;聂方园 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：该方法包括：根据焦距能量矩阵和目标光刻图案的关键尺寸确定目标曝光条件；根据目标曝光条件和预设步进量确定多个第一曝光条件和多个第二曝光条件，以使得曝光设备根据目标曝光条件和多个第一曝光条件对第一晶圆进行曝光，以及根据目标曝光条件和多个第二曝光条件对第二晶圆进行曝光；获取第一晶圆在曝光过程中的多个第一目标焦距和第二晶圆在曝光过程中的多个第二目标焦距；根据目标曝光条件的目标曝光能量和多个第一目标焦距确定第一晶圆的第一光刻工艺窗口，并根据目标曝光条件的目标曝光能量和多个第二目标焦距确定第二晶圆的第二光刻工艺窗口。
确定光刻工艺窗口方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种曝光方法-CN200910045701.6无效
发明人：李承赫 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光方法，所述曝光方法包括：提供布局图；利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件；针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型；对第一模型和第二模型进行曝光实验，获得第一曝光剂量和第二曝光剂量；根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型，并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量，根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量；利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版；对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光；对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。所述曝光方法降低了成本费用并且提高了生产效率。
一种曝光方法

[发明专利]三维拍摄装置及三维拍摄条件调整方法-CN202010102514.3在审
发明人：吉田顺一郎;泷泽象太 -专利权人：发那科株式会社
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：本发明提供三维拍摄装置，包括：距离图像获取部，切换曝光条件以获取距离图像；有效像素数计算部，计算距离图像中具有距离值的有效像素的数量；无效像素确定部，确定距离图像的无效像素；曝光条件调整部，设定获取测量对象物的距离图像的曝光条件，该曝光条件调整部为：设定基准曝光条件，判定在基准曝光条件下获取的基准距离图像的基准有效像素数是否为第一阈值以下，在第一阈值以下时追加设定与已设定的曝光条件不同的追加曝光条件，在追加曝光条件下获取的追加距离图像与基准距离图像的逻辑和、即距离图像总和的有效像素数总和为最大，将距离图像总和作为新的基准距离图像并重复追加曝光条件的追加设定，直到有效像素数总和大于第一阈值。
三维拍摄装置条件调整方法

[发明专利]多样电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法-CN200810203849.3有效
发明人：田明静 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-02 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种多样电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法，属于光刻技术领域。该电子束曝光条件的雾化效应补偿方法及其曝光方法，用于同一掩膜版上实现多个不同曝光条件的电子束曝光。通过等效虚构版图来实现雾化效应能量补偿参数，不同曝光条件区域相互之间的雾化效应都得到考虑。因此该雾化效应补偿方法补偿准确，电子束曝光时的能量准确，曝光图案精确度高。
多样电子束曝光条件雾化效应补偿方法及其

[发明专利]视图曝光有效的确定方法、装置、电子设备及存储介质-CN202011301203.6在审
发明人：牛玉龙 -专利权人：京东数字科技控股股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G06F16/90 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种视图曝光有效的确定方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：在触发定时任务执行信号的情况下，确定屏幕中当前展示的可见视图；获取所述可见视图对应的曝光要素，其中，所述曝光要素包括展示时长和/或展示比例；基于所述曝光要素检测所述可见视图的曝光是否满足有效曝光条件；若所述可见视图的曝光满足所述有效曝光条件，确定所述可见视图的曝光有效。如此基于可见视图的曝光要素来检测可见视图的曝光是否满足有效曝光条件，进而在可见视图的曝光满足有效曝光条件的情况下，确定可见视图的曝光有效，可以剔除可见视图无效曝光的情况，准确地保证视图的曝光是有效曝光。
视图曝光有效确定方法装置电子设备存储介质

[发明专利]光掩模的判定方法以及半导体器件的制造方法-CN200610149472.9无效
发明人：小谷敏也;福原和也;出羽恭子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模的判定方法，其包括：规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序；规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序；在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下，判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。
光掩模判定方法以及半导体器件制造

[发明专利]确定曝光条件和掩模图案的方法-CN201110310460.0有效
发明人：荒井祯 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及确定曝光条件和掩模图案的方法，所述确定曝光条件和掩模图案的方法包括：设定曝光条件和掩模图案；使用设定的曝光条件、使用描述掩模图案的图像的质量的指标的第一评价函数来暂时确定掩模图案；使用暂时确定的掩模图案和设定的曝光条件计算描述掩模图案的图像的质量的指标的第二评价函数的值；基于计算的第二评价函数的值改变曝光条件和掩模图案；以及判断是否要执行重复暂时确定步骤和计算步骤的处理。在判断步骤中，在最新的第二步骤中暂时确定的掩模图案和在最新的第四步骤中改变的曝光条件分别被确定为掩模图案和曝光条件。
确定曝光条件图案方法

[发明专利]高压发生器曝光闸断的控制方法和装置-CN202210651396.0在审
发明人：黄翌敏;何承林 -专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高压发生器曝光闸断的控制方法和装置，所述方法至少包括以下步骤：获取不同曝光环境中高压发生器不同工作条件的曝光校正系数，并根据各曝光校正系数构建数据库；所述工作条件包括加速电压和灯丝电流；根据所述数据库和高压发生器的曝光工作条件进行曝光控制前的校正过程；基于校正结果控制高压发生器在所述曝光工作条件进行曝光，并控制高压发生器进行曝光闸断。在曝光控制前进行校正能够有效避免误差的影响，从而精准的控制曝光闸断，进而使图像采集的结果更加准确。
高压发生器曝光控制方法装置

[发明专利]胶片显影装置-CN94100037.0无效
发明人：西田茂树;谷端透 -专利权人：诺日士钢机株式会社
申请日： 1994-01-07 - 公布日： 1997-10-01 - 主分类号： G03D3/00 文献下载
摘要：胶片显影装置，其组成包括可进行与控制条上所施行条件相同规定条件构成的基准曝光的曝光部、已基准曝光胶片用的显影处理输送线、作显影处理后密度测定的密度计及根据测定结果提示处理液状态的构件。基准曝光以基准曝光专用的未曝光胶片和已拍摄胶片的未曝光部分为对象。设有多种密度计测定条件和基准曝光条件，并备有读取胶片类型的构件以适应各种胶片。具有简便进行处理液体管理的构件，显影处理简化且质量提高。
胶片显影装置

[发明专利]器件设计尺寸的提取方法-CN201410217449.3有效
发明人：刘竹 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： G03F1/44 文献下载
摘要：本发明提供一种器件设计尺寸的提取方法，该方法包括将器件中的每层平面图形和CD Bar放置在平面图形对应的掩膜版上；采用多种曝光条件，分别对每个掩膜版上的平面图形和CD Bar进行曝光处理，使得每个掩膜版上的不同曝光条件下的平面图形和CD Bar转移到掩膜版对应的样品晶片上；对于每个样品晶片，量取样品晶片上每个曝光条件下的CD Bar的数值，并获取样品晶片上的最佳曝光条件；其中，最佳曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差均小于除最佳曝光条件之外的其他曝光条件下的CD Bar的数值与CD Bar的实际设计尺寸之差；分别对每个样品晶片上最佳曝光条件下的平面图形进行测量，获取器件中每层平面图形的设计尺寸。
器件设计尺寸提取方法

[发明专利]便于相机设备中的自动曝光的设备和相关方法-CN201210206019.2无效
发明人：加埃尔·贾弗瑞恩;薛钢;周洪宇 -专利权人：捷讯研究有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H04N5/235 文献下载
摘要：环境光传感器感测环境光条件并向曝光设置器提供感测的条件的指示。曝光设置器利用环境光条件的指示来选择初始曝光。利用收敛过程将曝光设置收敛至最终曝光设置。
便于相机设备中的自动曝光相关方法

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