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[发明专利]固体电解质的制造方法-CN201680035330.1在审
发明人：佐藤淳;千贺实;相田真男 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种固体电解质的制造方法和结晶性固体电解质的制造方法，所述制造方法能够以优异的生产率和量产性提供非晶质和结晶性的固体电解质，所述固体电解质的制造方法包括使用多螺杆混炼机，使2种以上的固体原料发生反应而得到非晶质的固体电解质的步骤，所述结晶性的固体电解质的制造方法包括得到该非晶质的固体电解质的步骤、以及将该固体电解质加热的步骤。
固体电解质制造方法

[发明专利]多晶硅的制造方法-CN200710305936.5有效
发明人：张泽龙;李炳一;李永浩;张锡弼 -专利权人：泰拉半导体株式会社
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本发明的多晶硅的制造方法包括以下步骤：(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在上述非晶质硅上的步骤；(c)将上述(b)中未吸附于上述非晶质硅上的源气体除去的步骤；(d)在吸附有源气体的上述非晶质硅上供给辅助气体的步骤；(e)通过吸附在上述非晶质硅上的源气体与上述辅助气体发生反应，从而最终在上述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤；(f)对吸附有上述金属的非晶质硅进行热处理的步骤。根据本发明，具有以下效果：可以适当且微细地调节吸附于非晶质硅薄膜上的金属的量，可以在利用金属诱导结晶化方式进行硅的结晶化时，在降低结晶化温度的同时防止金属所导致的污染。
多晶制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201910639112.4有效
发明人：杨尊;张珍珍;宋冬门;周永平 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种本发明的半导体结构的形成方法，在所述晶圆正面表面依次形成第一介质层，位于第一介质层上的第一硬掩膜层后，对所述晶圆的背面采用DSP溶液进行清洗。对晶圆的背面进行清洗采用DSP溶液，一方面，所述DSP溶液能干净的去除晶圆背面的残留的金属离子；另一方面，采用DSP溶液对背面进行清洗的过程中，DSP溶液溶液对于晶圆材料和第一介质层材料的刻蚀速率较低，防止晶圆正面边缘的第一介质层的表面和晶圆正面表面不会形成刻蚀缺陷，进而后续在第一介质层上形成第二介质层和第二硬掩膜层时，晶圆边缘上的第二介质层和第二硬掩膜层不会悬空，从而防止第二介质层和第二硬掩膜层的边缘形成剥离
半导体结构形成方法

[发明专利]非晶质分割铁芯定子以及利用该定子的轴向间隙型马达-CN201280012840.9有效
发明人：金炳秀 -专利权人：阿莫泰克有限公司
申请日： 2012-03-23 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H02K1/12 文献下载
摘要：本发明涉及非晶质分割铁芯定子及利用该定子的轴向间隙型非晶质分割铁芯马达，上述非晶质分割铁芯定子及利用该定子的轴向间隙型非晶质分割铁芯马达由于能够最大化多个分割铁芯与磁铁间的相向面积，提高线圈填充因数，并利用非晶质合金粉末成型本发明的非晶质分割铁芯定子及利用该定子的轴向间隙型非晶质分割铁芯马达，其特征在于，包括：旋转轴，两端部以能够旋转的方式支撑，环形的第一磁轭及第二磁轭，中央部分别与上述旋转轴相结合，并以留有间隔的方式配置，第一转子及第二转子，在上述第一磁轭及第二磁轭的内侧面设有以相向的极性方式安装的多个磁铁，以及定子，配置在上述第一转子及第二转子之间，分别设有缠绕线圈的多个分割铁芯；上述多个分割铁芯由非晶质金属粉末成型
非晶质分割定子以及利用轴向间隙马达

[发明专利]阻障堆叠结构及形成阻障堆叠结构的方法-CN201210183309.X无效
发明人：柯孟综 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该方法包括提供一基板；以一第一气相沉积工艺形成一导体层于该基板上；以一第二气相沉积工艺形成一第一非晶质薄膜于该导体层上；对该第一非晶质薄膜进行一改质工艺，以将该第一非晶质薄膜改质为一第一阻障层，该第一阻障层包括一第二非晶质薄膜及一晶体化薄膜，其中该晶体化薄膜位于该第二非晶质薄膜的上表面；以一化学气相沉积工艺形成一第二阻障层于该第一阻障层上，以形成阻障堆叠结构。
阻障堆叠结构形成方法

[发明专利]蚀刻机台的刻蚀缺陷的检测方法-CN202110094612.1在审
发明人：孙玉乐 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：该方法包括提供测试晶圆，所述测试晶圆包括衬底、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层和所述第二介质层依次形成于所述衬底的顶表面，所述衬底内设置有电容接触结构；将所述测试晶圆传递至待测蚀刻机台内，刻蚀部分所述第二介质层和部分所述第一介质层，以形成电容孔；去除所述第二介质层，以形成量测晶圆；将所述量测晶圆传递至缺陷检测机台，检测所述量测晶圆的电容孔的形状；根据所述量测晶圆的电容孔的形状，确定所述待测蚀刻机台是否存在刻蚀缺陷。
蚀刻机台刻蚀缺陷检测方法

[发明专利]层间介质层的形成方法-CN202210494077.3在审
发明人：金立培;李宗旭;许隽;张严 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-04-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种层间介质层的形成方法，包括：提供一晶圆，晶圆上形成的结构具有沟槽；通过预设的参数，通过HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，该预设的参数包括补偿参数，该补偿参数是根据晶圆在清洁循环中的排序所设置的工艺参数，清洁循环是进行HDP CVD工艺的沉积设备在两次清洁工艺之间运行晶圆的作业过程；依次在第一介质层上形成第二介质层和第三介质层。本申请通过包含补偿参数的预设参数，采用HDP CVD工艺在晶圆上沉积第一介质层，补偿参数是基于作业中的晶圆在清洁循环中的排序确定的，因此能够补偿设备由于连续作业引起作业环境变化从而导致第一介质层填充后的形貌不利于第二介质层与第三介质层填充
介质形成方法

[发明专利]MEMS晶圆的切割方法-CN201110215784.6有效
发明人：徐乃涛;刘金峰 -专利权人：美新半导体（无锡）有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种MEMS晶圆的切割方法，其包括以下步骤：将膜贴在晶圆的正面保护MEMS结构；将激光聚焦于晶圆内部进行照射，自晶圆正面向晶圆内部的位置形成改质层，然后在晶圆背面与所述改质层相对应的位置进行激光照射，在晶圆背面形成标记槽；沿标记槽的位置在晶圆背面进行水刀切割且不切到底，自晶圆背面向晶圆内部形成水刀切割槽，所述水刀切割槽远离晶圆背面的一端与改质层相连；和沿改质层进行裂片引伸，直至各个MEMS结构之间完全分开本发明涉及的MEMS晶圆切割方法，结合激光照射与水刀切割的优势，实现对MEMS晶圆的无崩边、低沾污切割。
mems 切割方法

[发明专利]由无机高分子构成的非晶质纳米结构体及其制备方法-CN201880058437.7有效
发明人：许可铉;金玟锡 -专利权人：韩国科学技术研究院
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C08G79/00 文献下载
摘要：公开非晶质纳米结构体及非晶质纳米结构体的制备方法。非晶质纳米结构体的主链上具有过渡金属及卤族元素，过渡金属具有+1的氧化数。并且，形成非晶质纳米结构体的无机高分子与邻接的无机高分子形成氢结合。
无机高分子构成非晶质纳米结构及其制备方法

[发明专利]一种新型铝制固晶板LED技术-CN200910137198.7无效
发明人：何忠亮 -专利权人：何忠亮
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型铝制固晶板LED技术，包括晶元、晶元座、引线、晶元副座及基板，所述晶元座为铝质材料，晶元直接与铝质材料相接触，从而相对现有技术来说，该发明具有工艺简便且散热效果好的特点。
一种新型铝制固晶板 led 技术

[发明专利]太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能电池的制作方法-CN201410466355.X在审
发明人：彭振维 -专利权人：英属开曼群岛商精曜有限公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池、太阳能电池模块及太阳能电池的制作方法，其中太阳能电池，包括基板、第一本质非晶半导体层、第二本质非晶半导体层以及氮化硅层。基板具有相对设置的第一表面和第二表面。第一本质非晶半导体层和第二本质非晶半导体层彼此互相分离且均设置于第二表面上。氮化硅层是被设置于第一本质非晶半导体层与第二本质非晶半导体层间，其中氮化硅层是直接接触该第二表面。
太阳能电池模块制作方法

[发明专利]光伏元件及其制造方法-CN201480016801.5有效
发明人：小林英治 -专利权人：长州产业株式会社
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：所述光伏元件(10)包括n型结晶半导体基板(11)、在n型结晶半导体基板(11)的一侧层叠的p型非晶质系硅薄膜(13)、以及在n型结晶半导体基板(11)的另一侧层叠的n型非晶质系硅薄膜(15)，所述光伏元件(10)具有存在于n型结晶半导体基板(11)和p型非晶质系硅薄膜(13)之间的本征非晶质系硅薄膜(12)，n型结晶半导体基板(11)和n型非晶质系硅薄膜(15)直接接合，n型非晶质系硅薄膜(15)侧被用作光入射面
元件及其制造方法

[发明专利]玻璃晶圆处理方法、玻璃晶圆及玻璃晶圆的检测方法-CN201310371393.2有效
发明人：刘玮荪 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2013-08-22 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种玻璃晶圆处理方法、玻璃晶圆及玻璃晶圆的检测方法，其中，玻璃晶圆的处理方法包括提供玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆中形成扫描标记，所述扫描标记能够改变入射至玻璃晶圆中的激光的光路。在对玻璃晶圆的扫描定位过程中，当激光照射到玻璃晶圆中的扫描标记，扫描标记会改变入射至玻璃晶圆中的激光的光路。若在照射玻璃晶圆的激光入射方向未检测到穿过玻璃晶圆的激光或者检测到的激光与照射玻璃晶圆的激光的光强度不同，则判定对应该激光照射位置处为一玻璃晶圆。使用本发明技术方案处理的玻璃晶圆，借助于现有的用于硅晶圆扫描定位的装置，就可以较好实现对玻璃晶圆的扫描定位目的，而无需对硅晶圆扫描定位装置进行改进，节省了成本。
玻璃处理方法检测

[发明专利]非晶质磁性部件以及利用该部件的电动马达及其制造方法-CN201180058944.9有效
发明人：金炳秀;南秦泽 -专利权人：阿莫泰克有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及高功率、高速电动马达用非晶质磁性部件以及利用该部件的电动马达及其制造方法，通过对非晶质金属材料进行粉末化并压缩成形，能够容易实现复杂形状的铁芯部件的成形，并通过将软磁特性优秀的结晶质金属粉末添加于非晶质合金粉末本发明包括如下步骤对非晶质合金的带或条进行粉碎，来得到板状的非晶质合金粉末的步骤；对非晶质合金粉末进行分级之后，混合球形的软磁粉末来得到混合粉末，以提高磁导率及填充密度的步骤；将上述混合粉末与粘结剂混合之后
非晶质磁性部件以及利用电动马达及其制造方法

[发明专利]中空球结构的多孔ZnO纳米晶薄膜、制备方法及应用-CN201510822052.1在审
发明人：卢革宇;赵培陆;刘凤敏;刘德烨;李丹;孙鹏 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-11-24 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种中空球结构的多孔ZnO纳米晶薄膜、制备方法及其在作为染料敏化太阳能电池光阳极方面的应用，属于染料敏化太阳能电池技术领域。本发明所述的染料敏化太阳能电池，由阳极导电玻璃FTO、光阳极、电解质溶液(I^-/I₃^-)和Pt对电极组成，电解质溶液通过真空回填的方法注入电池光阳极材料为本发明所制备的具有中空球结构的多孔ZnO纳米晶薄膜，该多孔ZnO纳米晶薄膜具有良好的电子传输特性，从而降低了电子的复合速率；同时得益于其特殊的中空结构，薄膜对入射光表现出很好的利用效率，同时底层的最终该ZnO纳米晶薄膜获得了4.84％的光电转换效率。
中空结构多孔 zno 纳米薄膜制备方法应用