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[发明专利]一种晶圆键合结构及其形成方法-CN202111583127.7在审
发明人：唐鹤洹;石强;王志高;高长城 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供晶圆键合结构及其形成方法，所述方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括器件区和修边区，所述第一晶圆表面形成有第一介质层，所述器件区的第一介质层中形成有金属互连结构，所述修边区的第一介质层中形成有填充结构；在所述第一介质层表面依次形成覆盖所述第一介质层的第一刻蚀停止层、第二介质层、第二刻蚀停止层和第三介质层；在所述第一刻蚀停止层、第二介质层、第二刻蚀停止层和第三介质层中形成电连接所述金属互连结构的第一金属连接结构；对所述第一晶圆进行修边。本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，使晶圆表面没有光阻层残留，晶圆键合时晶圆边缘没有气泡，提高器件可靠性。
一种晶圆键合结构及其形成方法

[实用新型]一种三相三柱非晶质铁心-CN200720076283.3无效
发明人：林添福;张作军 -专利权人：大同(上海)有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及变压器制造中的非晶质铁心技术，是一种三相三柱非晶质铁心，它含有非晶质铁心、非晶薄带切断接合口、树脂胶涂层、绝缘材料，支撑铁板、上下夹件、吊耳和底座等；非晶质铁心由一个外铁心、两个内铁心构成，非晶质铁心端面和内层用树脂胶粘合有山形支撑铁板，粘合了支撑铁板的铁心外面用上下夹件紧箍，在上夹件上设有吊耳，下夹件上安装有底座。本实用新型的非晶质铁心因为有支撑铁板而能不依赖线圈而得到支撑，因使用了夹持组件而使铁心紧箍成一个整体，便于竖立、吊装，改善了铁心与线圈组装，降低了外加应力，改善了铁心的损耗及噪音，提升了非晶质变压器的质量，使大容量非晶质铁心变压器的制造成为可行。
一种三相三柱非晶质铁心

[发明专利]半导体装置及其应用-CN200810005300.3有效
发明人：刘人诚;杨敦年;洪志明;王文德;庄俊杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：此半导体装置包括半导体基材、形成于半导体基材上的第一磊晶半导体层、形成覆盖在第一磊晶半导体层上的第二磊晶半导体层、以及位在第二磊晶半导体层上的影像感测器。其中第一磊晶半导体层具有第一型掺质及第一掺质浓度，而第二磊晶半导体层则具有第一型掺质及浓度低于第一掺质浓度的第二掺质浓度。
半导体装置及其应用

[发明专利]一种晶圆的剥离方法及剥离装置-CN202010860508.4在审
发明人：王宏建;赵卫;何自坚;陈湘文;朱建海 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆的剥离方法及剥离装置，涉及激光加工技术领域。其包括：先在晶锭的目标聚焦面上形成多个间隔分布的第一改质层，然后在目标聚焦面上形成第二改质层，第二改质层的数量为一个或多个，第二改质层与第一改质层交替布置且互相连接以共同形成连续的第三改质层，第三改质层沿目标聚焦面贯穿晶锭；以第三改质层作为剥离界面，将作为目标晶圆的部分自晶锭剥离，获得晶圆。上述方法相比于现有的通过激光束一次性直接形成连续的第三改质层方式，可有效减小因激光束连续作用而导致的局部区域热量集中，大幅降低激光加工过程中产生的不利热影响，提高晶圆的剥离质量。
一种剥离方法装置

[发明专利]无铅晶质玻璃及其制备方法-CN201510995281.3有效
发明人：于田荣;于田观;于伟明 -专利权人：靳职雄
申请日： 2015-12-26 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： C03C3/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅晶质玻璃及其制备方法，其组分范围按氧化物的重量百分比计含有：SiO₂ 45‑52％；B₂O₃ 4.1‑5.2％；K<
无铅晶质玻璃及其制备方法

[发明专利]一种非晶质石英基复合钛白粉的制备方法-CN201511027523.6有效
发明人：胡修权;贺爱平;陈梁;尤大海;李国栋;汪超;孙立;成岚 -专利权人：中南冶金地质研究所
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： C09C3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶质石英粉为基核复合钛白粉的制备方法。具体制备过程分为两大步骤先将优质天然脉石英矿，经破碎研磨、除杂后，于1700‑2000℃熔融至玻璃态，研磨并气流粉碎至D90﹤20μm，再以全陶瓷砂磨机研磨至D90﹤1μm，制备固含量为浆料；再以TiCl4采用本法制备的非晶质石英复合钛白新材料具有非常好的理化性能，其亮度达92％以上，反射率达95％以上，遮盖力近20g/m2。本发明充分利用非晶质石英粉耐高温、耐腐蚀、耐摩擦及钛白粉的高遮盖力及高稳定性等许多优点而制备的一种复合材料，可应用于许多特种领域。
一种非晶质石英复合钛白粉制备方法

[发明专利]一种晶质铀矿的浮选方法-CN202010333112.4有效
发明人：刘志超;李广 -专利权人：核工业北京化工冶金研究院
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B03D1/018 文献下载
摘要：本发明属于选矿技术领域，具体涉及一种晶质铀矿的浮选方法。将矿石破碎磨细，将矿浆浓度调至矿石质量分数占10％～40％，转移至浮选槽中；用硫酸将矿浆pH值调至5.5～6.5；在矿浆中加入水玻璃搅拌；在矿浆中加入氯化铁，硫酸铜，搅拌，使晶质铀矿与Fe3+和Cu2+充分接触结合；在矿浆内加入苯甲羟肟酸，油酸钠，搅拌，加入2号油，搅拌，充气浮选晶质铀矿，得到粗选精矿和粗选尾矿；在得到的粗选尾矿中加入氯化铁
一种铀矿浮选方法

[发明专利]一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法-CN202111598478.5在审
发明人：安重镒;李相遇;李东根 -专利权人：成都高真科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆表面聚合膜质去除方法及测试晶圆再生方法，通过气体对晶圆上生成的聚合膜质进行去除；其中，所述气体在去除聚合膜质的同时不破坏氧化膜质。本发明提出的方案能够避免采用化学液体去除膜质产生大量有害废水的情况产生；能够简化测试晶圆再生过程，省去再次进行氧化工艺过程；并且不需要采用膜质开封用的设备。
一种表面聚合去除方法测试再生

[发明专利]玻璃组合物-CN93119049.5无效
发明人：绪方春彦;小宫秀利;稻叶静江 -专利权人：东洋玻璃株式会社
申请日： 1993-10-20 - 公布日： 1998-05-27 - 主分类号： C03C3/078 文献下载
摘要：本发明提供完全不含铅，而密度和光的折射率、色散值等与已往的含铅晶质玻璃相等或较高的玻璃组合物，以重量百分比计，含SiO2５０—６０％、K2O５—１３％、TiO2５—８％、BaO１０—１５％、ZnO５—１０
玻璃组合

[发明专利]固体电解质和锂离子导电玻璃陶瓷-CN202111261273.8在审
发明人： J·舒马赫;M·施耐德;W·施密特保尔;S·洛伊克尔;A·罗特斯;M·莱茨;R·萨姆辛格 -专利权人：肖特股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制备包括锂离子导电玻璃陶瓷的固体电解质的方法，所述方法包括以下步骤：‑提供具有陶瓷相含量和非晶相含量的至少一种锂离子导体；‑提供所述至少一种锂离子导体的粉末，所述粉末的多分散性指数在0.5和1.5之间，优选在0.8和1.3之间，优选在0.85和1.15之间；以及a)将所述粉末掺入聚合物电解质或聚电解质中；和/或b)使用所述粉末形成元件。
固体电解质锂离子导电玻璃陶瓷

[发明专利]一种高强度低温烧结微晶玻璃结合剂及其制备方法-CN201710456315.0有效
发明人：肖卓豪;易晨浩;张海涛;吴敏;尼尔·鲁什金 -专利权人：江西冠亿研磨股份有限公司
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： B24D3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度低温烧结微晶玻璃结合剂，由以下原料按照质量百分比组成：二氧化硅40‑49％、氧化铝5‑15％、氧化硼8‑15％、氧化锂1‑5％、氧化钠6‑9％、氧化钾6‑9％、氧化镁9‑12％、氧化钙本发明的微晶玻璃结合剂成分稳定、均质、很容易获得各种尺寸的颗粒、且烧结温度低，因而可以在相对较低的烧成温度条件下实现对磨料颗粒的均质“包裹”，从而解决当前刚玉砂轮尤其是400#以细刚玉砂轮生产中遇到的产品合格率低
一种强度低温烧结玻璃结合及其制备方法

[发明专利]电光元件用的复合基板及其制造方法-CN201880093270.8有效
发明人：多井知义;近藤顺悟 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：复合基板具备：电光结晶基板，其具有电光效应；支承基板，其至少隔着非晶质层而与电光结晶基板接合；以及低折射率层，其位于电光结晶基板与非晶质层之间，并且，其折射率比电光结晶基板的折射率低。非晶质层由构成从一侧与非晶质层接触的层或基板的元素、以及构成从另一侧与非晶质层接触的层或基板的元素构成。
电光元件复合及其制造方法

[发明专利]一种多开放孔型微晶泡沫玻璃吸声隔音材料及其制备方法-CN201810870963.5有效
发明人：魏科峰 -专利权人：巩义市欧洁源环保技术服务有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： C03C11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种多开放孔型微晶泡沫玻璃吸声隔音材料及其制备方法，该材料由以下方法制备：1)将玻璃粉、粉煤灰、高炉渣、碳酸钠、碳粉、硼砂与晶核剂混合均匀得配合料；2)将配合料装模，压制成型并干燥得生坯；3)隔绝氧气条件下，生坯先缓慢升温至430℃‑450℃并保温预热，再快速升温至930℃‑950℃进行烧结和无氧发泡得发泡熔体；4)将发泡熔体快速冷却至760‑780℃，向烧结炉内充入富氧气体并保温进行氧化和析晶，本发明通过对烧结保温气氛调控使主、辅发泡剂各自独立发泡，获得具有多开放孔且内部密布三维连通孔结构的微晶泡沫玻璃吸声隔音材料，质轻高强，吸音效果好，适合推广使用。
一种开放孔型泡沫玻璃吸声隔音材料及其制备方法

[发明专利]一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片-CN201610606289.0在审
发明人：赵玉龙;马鑫;张琪;胡腾江;王鹏 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-07-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：一种基于非晶态碳膜的加速度传感器芯片，包括硅质敏感结构，硅质敏感结构的背面与硼玻璃键合，硅质敏感结构包括质量块以及与质量块相连的悬臂梁，在硅质敏感结构上采用物理气相沉积或化学气相沉积方法镀有四个非晶碳膜电阻，其中第一非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的悬臂梁上，并靠近边框一端；第二、第三、第四非晶态碳膜电阻位于硅质敏感结构的边框处，四个非晶碳膜电阻连接成惠斯通半桥检测电路，并通过金属导线和焊盘连接，由于本发明采用的非晶态碳膜电阻具有低摩擦系数
一种基于晶态加速度传感器芯片

[发明专利]切削工具-CN202080088441.5有效
发明人：户田达也;古桥拓也;丰田亮二 -专利权人：日本特殊陶业株式会社
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：切削工具(1)是由氮化硅质烧结体(2)形成的，所述氮化硅质烧结体(2)包含：基质相(3)、硬质相(4)、及存在有玻璃相(11)和晶相(12)的晶界相(10)。氮化硅质烧结体(2)含有以氧化物换算计为5.0wt％以上且15.0wt％以下的钇，且含有作为硬质相(4)的氮化钛5.0wt％以上且25.0wt％以下。X射线衍射峰中，在氮化硅质烧结体(2)的内部区域中，在2θ为25°至35°的范围内示出光晕图案。在氮化硅质烧结体(2)的表面区域中，最大峰强度B相对于最大峰强度A之比即B/A满足下述式(1)的关系，在氮化硅质烧结体(2)的内部区域中，最大峰强度B相对于最大峰强度A之比即B/A满足下述式(2)的关系
切削工具