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[发明专利]一种晶圆的重测方法-CN201711177120.9有效
发明人：赵朝珍;莫保章 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆的重测方法，应用于制造执行系统，其中包括以下步骤：晶圆测试设备对晶圆执行测试后，将测试形成的测试结果发送至晶圆接收测试单元；晶圆测试单元将测试结果发送至统计制程控制系统；统计制程控制系统根据预设的管控规则对测试结果进行处理以形成对应的触发指令；统计制程控制系统将触发指令发送至制造执行系统；制造执行系统根据触发指令选择对应的处理等级，并将处理等级对应的重测项目输出至晶圆测试设备；晶圆测试设备根据重测项目对待测晶圆执行重新测试。其技术方案的有益效果在于，有效的减少了人为的干预，进而避免人为误判导致的晶圆报废以及晶圆测试设备产能的浪费。
一种方法

[发明专利]一种通过STDF文件处理晶圆首测和重测信息的方法-CN202111578803.1在审
发明人：张亦锋;徐展菲;庄启升 -专利权人：上海利扬创芯片测试有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G06F16/172 文献下载
摘要：本发明揭示了一种通过STDF文件处理晶圆首测和重测信息的方法，所述方法包括如下步骤：S100、根据STDF文件的存储路径链接到所述STDF文件；S200、根据所述存储路径读取所述STDF文件，按照STDF文件的规范寻找首测和重测所对应的字段并读取其数据，所述字段至少包括关于测试时间的字段，关于BIN的字段，关于DIE坐标的字段；S300、根据所述字段的数据，输出晶圆首测和晶圆重测的信息。本发明摒弃了现有技术中容易出错且低效的方法，更加快捷方便，且不容易出错，方便作业人员快速并精确的进行首测和重测信息的统计和分析。
一种通过 stdf 文件处理晶圆首测信息方法

[发明专利]一种晶圆电性测试方法及测试设备-CN202011121614.7有效
发明人：杨锃;梁君丽;王柏翔;李芃葳 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆电性测试方法及测试设备，将各电性测试项的通过条件定义在初始测试参数中，而后对晶圆上的多个位置区域依次进行测试，在对一所述位置区域上一电性测试项进行测试时，判断所述位置区域上所述电性测试项的测试结果是否满足所述通过条件；若不满足，则即时重测所述电性测试项，若重测后满足所述通过条件或重测次数达到预设值，则开启所述位置区域的下一电性测试项的测试或开启下一位置区域的测试。即在晶圆某一位置区域的单项电性测试项测试NG后即时重测，如此，不仅有效解决了晶圆电性测试判定的滞后性，更大大缩短了电性测试NG晶圆重测的时间，另外，也可有效去除电性测试的异常跳点值，从而显著提升测试的稳定性及抗干扰能力
一种晶圆电性测试方法设备

[发明专利]一种WAT自动重测方法-CN202111671628.0在审
发明人：毛俊;李成霞 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种WAT自动重测方法，属于集成电路测试技术领域。具体包括下述步骤：步骤1.测试设备选定重测设置与配置信息，配置信息包括测试相关的数据配置文件；选定并载入待测晶圆；步骤2.测试设备执行主测试流程，得到初始测试结果；步骤3.测试设备根据重测设置自动执行重测分析系统，对初始测试结果进行分析，获得重测项清单；步骤4.若重测项清单为空，则不执行重测测试流程，继续执行主测试流程；否则测试设备执行重测测试流程；对重测项清单的内容进行重测，重测后继续执行主测试流程。本发明可以实现晶圆电性测试过程中测试结果不稳定的测试项的自动重测，大大提高测试效率与测试精度。
一种 wat 自动方法

[发明专利]晶圆打点方法和重定位方法-CN202010142412.4有效
发明人：马勇;梁锦昌;张伟;门洪达 -专利权人：广西天微电子有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆打点方法和重定位方法，晶圆打点方法包括：获取晶圆的中测文件；根据所述中测文件选择打点区域，并修改所述中测文件中打点区域的晶粒的分组值为设定值；根据修改后的所述中测文件，对晶圆进行打点；其中，所述打点区域包含的晶粒数小于所述晶圆包含的不良晶粒数，所述打点区域的晶粒修改后的分组值与所述打点区域外相邻设置的晶粒的分组值均不相同。通过选择恰当的打点区域，并对所述打点区域中的晶粒进行打点，一方面可以利用打点晶粒在晶圆移动至其他机台时进行对准，从而保证了重定位的对准精度；另一方面也减少了需要打墨点的晶粒数量，节省了打点工艺所需的材料和时间
打点方法定位

[发明专利]晶圆重测的方法及测试设备-CN201911335170.4有效
发明人：马勇;彭良宝;张伟;门洪达 -专利权人：广西天微电子有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆的重测方法及测试设备。该方法包括：设置晶圆的第一区域，所述第一区域是由晶圆上不参与参数测试的芯片区域组成的区域；获取晶圆的第二区域，所述第二区域是由晶圆经初次参数测试后获取的参数异常的芯片区域组成的区域；根据第一区域和第二区域获取晶圆的测试区域通过设置不参与参数测试的芯片区域组成的第一区域，使得重测时测试区域的芯片区域均为有效测试区域，减小了重测时的无效测试，缩短了晶圆重测的作业时间，提高了测试效率，减少了针卡耗材的消耗，提高了生产效率。
晶圆重测方法测试设备

[发明专利]晶圆测试管理系统及方法-CN201510435476.2有效
发明人：莫保章;席与凌;娄晓祺 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆测试管理系统及方法，该方法包括：步骤一，对待测批次晶圆进行测试；步骤二，获取待测批次晶圆测试后的测试数据；步骤三，依据出货标准对测试数据进行结果判断；步骤四，若符合出货标准，则输出该待测批次晶圆，结束该批次晶圆测试流程；若出错，则进入步骤五；步骤五，自动将出错的晶圆停住；步骤六，判断是否需要重新测试；步骤七，若接收到重新测试指令，则提供用户设置重测条件，并进入步骤一，本发明可以在晶圆测试完成后根据测试结果智能的选择流程处理晶圆后续作业的方案
晶圆测试晶圆测试数据重新测试出货出错测试管理系统管理系统后续作业结果判断流程处理用户设置种晶指令测试输出智能

[发明专利]一种晶圆的膜层膜厚量测方法-CN202211545372.3在审
发明人：黄克仲;黄建伟;濮伟丰;周挺;蒋鹏 -专利权人：江苏时代芯存半导体有限公司;北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆的膜层膜厚量测方法，属于半导体集成电路制造领域。该方法使用的设备包括：PVD机台、CVD机台、CMP机台、光刻机台、刻蚀机台、检测机台和量测机台，所述量测方法包括：相变材料沉积步骤；光刻对准步骤；对准标记刻蚀步骤；半导体组件形成步骤；第一量测步骤；第二光刻步骤；检测步骤；量测重工步骤：如果存在异常，则量测晶圆与正常的膜层结构的优拟合度；重工判定步骤：如果优拟合度过低，则判定发生异常的原因；第二重工量测步骤：更改膜层结构，然后量测晶圆与更改后的膜层结构的优拟合度通过本发明的量测方法，可以快速准确地进行晶圆的膜层膜厚量测，并发现导致异常的原因，从而提高产品良率。
一种膜层膜厚量测方法

[发明专利]一种可提高电极烧结机台烧结温度测量精准度的测量方法-CN200710171617.X有效
发明人：周祖源;朱津泉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-30 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：现有技术中使用无掺杂的测试晶圆来测量电极烧结机台的烧结温度，会因电极烧结机台在正常作业时所处理的衬底晶圆多为P型而无法精准的测量出其在正常作业时的烧结温度。本发明使用一组P型重掺杂的测试晶圆在标准电极烧结机台的不同烧结温度下烧结，依据烧结后的测试晶圆的方块电阻及其对应的烧结温度来生成方块电阻与烧结温度的关系曲线，之后再将一P型重掺杂的测试晶圆设置在待测电极烧结机台进行烧结，然后测量烧结后的测试晶圆的方块电阻，最后依据所测得的方块电阻以及关系曲线得出该待测电极烧结机台的烧结温度。
一种提高电极烧结机台温度测量精准测量方法

[发明专利]晶圆厚度的测量方法及测量装置-CN202010436949.1在审
发明人：陈忠奎 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-21 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆厚度的测量方法及测量装置，利用自动对焦测距原理，通过测定已知厚度的标准晶圆来校准设置在测量镜头上的马达在Z方向的零点位置，在测量待测晶圆的厚度时，在零点位置的基础上调节马达在Z方向位置，以调节测试镜头的焦距，完成自动对焦，并通过马达在Z方向位置的变化间接计算出待测晶圆的厚度。本发明提供的晶圆厚度测量方法可以对重掺杂晶圆实现非接触式的厚度测量，尤其是重掺杂晶圆的厚度测量，降低测量过程中晶圆坏损率，且测量精度小于1％，重复性小于0.1％，满足量产需求，便于自动化生产，提高生产效率
厚度测量方法测量装置

[实用新型]晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构-CN201821796498.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆堆叠结构与芯片堆叠结构。晶圆堆叠结构包括：第一晶圆、第一下重布线层、第一上重布线层、第二晶圆、第二下重布线层、第二上重布线层。其中，第二晶圆直接键合于第一上重布线层，且第二晶圆包括底部直接接触第一上重布线层的硅通孔，该硅通孔制作于第二晶圆与第一上重布线层键合之后。第一晶圆与第二晶圆中分别设置有两个连接相同信号的焊盘，在第一晶圆和第二晶圆中这两个焊盘的位置互换。本公开提供的晶圆堆叠结构可以提高制造堆叠芯片的良品率。
晶圆重布线层晶圆堆叠芯片堆叠结构硅通孔焊盘堆叠结构堆叠芯片位置互换直接键合良品率键合种晶制作制造

[发明专利]晶圆检测方法及晶圆检测模组-CN202010510195.X在审
发明人：刘昊岩 -专利权人：刘昊岩
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭露一种晶圆检测方法，该方法包括:提供一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；在此待测晶圆片的背面，对选定的若干个区域逐个进行照光；在此待测晶圆片的正面，侦测光线透射所选定区域后的影像；分析该些影像以判断此待测晶圆片是否符合规范以及可用于前述晶圆检测的晶圆检测模组，其包括:一待测晶圆片，该待测晶圆片具有复数个光学微结构；光源装置，设于待测晶圆片的背面，用于为待测晶圆片提供光源或照光；及感测机构，设于待测晶圆片的正面，用于对经所述光源装置光照后的区域拍摄影像由此，通过前述晶圆检测模组及晶圆检测方法可在封装前对晶圆的合规性进行检测，方便快捷。
检测方法模组

[发明专利]套刻偏差的补偿方法-CN202111613638.9在审
发明人：柏耸;张高颖;邱运航 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种套刻偏差的补偿方法，包括：提供待补偿晶圆，待补偿晶圆包括中心区和边缘区，中心区具有若干第一量测点，边缘区具有若干第二量测点；获取第一量测点的第一待补偿偏差、以及获取第二量测点的第二待补偿偏差；采用第一全局补偿模型对第一量测点进行第一补偿处理，获取第一已补偿信息；采用第二全局补偿模型对第二量测点进行第二补偿处理，获取第二已补偿信息；采用局部补偿模型对每个第一量测点的第一剩余偏差、以及每个第二量测点的第二剩余偏差进行第三补偿处理，获取第三已补偿信息通过对待补偿晶圆进行三重细化补偿，分别获取第一已补偿信息、第二已补偿信息以及第三已补偿信息，能够有效提升对待补偿晶圆的补偿效果。
偏差补偿方法

[发明专利]一种堆叠式芯片以及堆叠式芯片的检测方法-CN202210172154.3在审
发明人：李乾男 -专利权人：西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种堆叠式芯片及堆叠式芯片的测试方法，堆叠式芯片包括：至少两个待测晶圆，至少两个待测晶圆包括：第一待测晶圆以及第二待测晶圆；第一待测晶圆与第二待测晶圆层叠设置，且通过连接层互连；布线层，布线层位于第一待测晶圆远离第二待测晶圆的一侧，布线层包括导电焊盘，第一待测晶圆连接导电焊盘，且第二待测晶圆通过连接层连接导电焊盘；比较单元，比较单元位于至少两个待测晶圆中其中一个待测晶圆上，用于将写入第一待测晶圆的第一数据与写入第二待测晶圆的第二数据进行比较，以确定连接层是否可靠；其中，第二数据是通过连接层写入第二待测晶圆的。
一种堆叠芯片以及检测方法

[发明专利]缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统-CN202110134057.0在审
发明人：汪金凤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种缺陷检测晶圆图优化方法及其优化系统，所述缺陷检测晶圆图优化方法包括以下步骤：通过机台端对晶圆进行缺陷检测并得到晶圆图；对所述晶圆上的各个芯片进行针测，并将所述芯片的针测数据导入所述机台端；根据各个芯片的针测数据生成晶圆针测图；使所述晶圆针测图与所述晶圆图的比例及坐标均保持一致以对所述晶圆针测图和所述晶圆图进行比对，并在所述晶圆图中标记出不在所述晶圆针测图中的芯片。通过将针测数据导入机台端并生成晶圆针测图，并将所述晶圆针测图与机台端的晶圆图进行比对，能够高效、准确的标记出无效芯片，实现晶圆图的优化，从而释放机台产能，节省时间并降低人力消耗。
缺陷检测晶圆图优化方法及其系统

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