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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及其制造方法-CN201811479175.X在审
发明人：范增焰;吕开敏;全昌镐 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：提供一种扇出型晶圆级封装结构及其制造方法，该方法包括：提供支撑晶片层，于支撑晶片层上形成粘合剂层；将多个裸片粘合至粘合剂层表面，裸片具有接脚，接脚面对粘合剂层表面；于粘合剂层和裸片远离支撑晶片层的一侧形成预固化层预固化层覆盖裸片；于预固化层远离支撑晶片层的一侧形成固化层；去除支撑晶片层和粘合剂层，暴露出裸片的接脚；于暴露出裸片的接脚的一侧表面形成重布线层，并于重布线层上形成球形接脚；打磨固化层至预定厚度；切割，形成扇出型晶圆级封装结构该方法生产的封装结构减小了在扇出型晶圆级封装工艺中晶圆的翘曲。
扇出型晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]扇出型晶圆级封装结构及封装方法-CN202010936915.9在审
发明人：赵海霖 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及制备方法，该结构包括：两片以上具有焊垫的半导体芯片，半导体芯片排布为扇出型晶圆阵列，每个半导体芯片具有各自的初始位置；塑封层，覆盖半导体芯片表面及各半导体芯片之间，每个半导体芯片具有塑封后各自的偏移位置该扇出型晶圆级封装结构可实现半导体芯片与重新布线层的有效对准，提高晶圆片封装的成品率。
扇出型晶圆级封装结构方法

[发明专利]一种垂直互连晶圆级封装方法及结构-CN202010471579.5在审
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇;李守委;徐罕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种垂直互连晶圆级封装方法及结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。该垂直互连晶圆级封装结构包括裸硅基体及其双面多层再布线的钝化层和金属线路。通过晶圆级双面再布线后，通过划片技术分离成单颗垂直互连通道单元，此垂直互连通道单元可以替代TSV、TMV和TGV等通孔被应用在三维硅基扇出型封装和2.5D转接板，制备方法简单、成本低，适合大规模量产应用
一种垂直互连晶圆级封装方法结构

[实用新型]一种垂直互连晶圆级封装结构-CN202020939072.3有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇;李守委;徐罕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开一种垂直互连晶圆级封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。该垂直互连晶圆级封装结构包括裸硅基体及其双面多层再布线的钝化层和金属线路。通过晶圆级双面再布线后，通过划片技术分离成单颗垂直互连通道单元，此垂直互连通道单元可以替代TSV、TMV和TGV等通孔被应用在三维硅基扇出型封装和2.5D转接板，制备方法简单、成本低，适合大规模量产应用
一种垂直互连晶圆级封装结构

[发明专利]一种晶圆级封装结构及其封装方法-CN202110786682.3在审
发明人：马晓建;刘卫东;高瑞锋;张婕;张兵;张红兵;杨欢;苏亚兰 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装结构及其封装方法，本发明的晶圆级封装结构中，通过在台阶形转接板贴装到晶圆，晶圆通过键合线连接台阶形转接板，本发明的封装结构能够有效缩短封装流程，台阶形转接板可适用于批量生产，降级封装成本本发明以单片晶圆为作业单位，转接板贴装，打线键合，填胶，实现简化的晶圆级封装结构。本发明通过台阶形导电转接板，使本身需要减划、贴装、塑封、研磨、扇出线路、切割的晶圆封装工艺，变更为台阶形转接板制作、晶圆级贴装、打线、切割即可实现，降低封装成本，缩减封装流程。
一种晶圆级封装结构及其方法

[发明专利]扇出型晶圆级封装方法及封装结构-CN202210157206.X有效
发明人：郝兵;姚辉轩 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及嵌入式扇出型晶圆级芯片封装技术领域，特别涉及了一种扇出型晶圆级封装方法及封装结构，所述方法包括提供衬底晶圆；在衬底晶圆的第一表面上形成第一厚胶层，采用曝光显影工艺在第一厚胶层内形成凹槽；提供芯片，将芯片键合于凹槽内；芯片形成有焊盘的正面远离凹槽的底部；芯片的厚度大于凹槽的厚度；至少在第一厚胶层远离衬底晶圆的表面形成第二厚胶层，第二厚胶层覆盖芯片；在第二厚胶层上形成有第一开口，第一开口暴露出焊盘在整个制备工艺中使用的是全厚度晶圆，可以保证芯片封装过程中晶圆的翘曲度保持在较小的范围内，以达到减小晶圆翘曲的目的。
扇出型晶圆级封装方法结构

[发明专利]晶圆级扇出芯片的封装方法及封装结构-CN201410097812.2有效
发明人：谢智正;许修文;叶俊莹;冷中明 -专利权人：尼克森微电子股份有限公司;帅群微电子股份有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级扇出芯片的封装方法及封装结构。本发明提供的晶圆级扇出芯片的封装方法包括：提供一载体，并在载体上配置多个芯片；形成多个黏着层在对应芯片的主动面上；覆盖一导电盖体，使导电盖体通过黏着层与芯片黏合，导电盖体并分别区隔该些芯片于多个封装空间
芯片导电盖体扇出封装封装结构封装空间晶圆级黏着层绝缘材料绝缘结构贯孔区隔填入移除种晶黏合覆盖配置

[发明专利]晶圆级扇出型封装中的集成电路（IC）管芯之间的通信-CN202180066539.5在审
发明人： C·F·潘;A·拉拉巴;P·厄帕德亚亚 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03K19/17796 文献下载
摘要：本文所述的示例总体涉及晶圆级扇出型封装中的集成电路(IC)管芯之间的通信。在一个示例中，电子器件包括晶圆级扇出型封装。该晶圆级扇出型封装包括第一集成电路(IC)管芯、第二IC管芯和再分布结构。
晶圆级扇出型封装中的集成电路 ic 管芯之间通信

[实用新型]一种解决扇出型晶圆级封装翘曲的装置-CN201520970705.6有效
发明人：王波;杨静;马强;唐亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：为了解决塑封体翘曲的难题，本实用新型提出一种解决扇出型晶圆级封装翘曲的装置，包括加热单元、固定单元、校正单元。在加热单元上设有固定单元。在固定单元的上方设有校正单元。有益的技术效果：经过本实用新型对扇出型晶圆级封装的翘曲进行处理后，能够有效地解决塑封体的翘曲问题。通过对温度和时间参数的调整，可使晶圆形状的薄型封装体的翘曲度控制在1mm以内，为后续的RDL再布线工艺奠定基础。
一种解决扇出型晶圆级封装装置

[发明专利]扇出晶圆级封装结构-CN201310018216.6在审
发明人：林俊成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了扇出晶圆级封装结构和用于形成封装结构的方法，该方法可包括将管芯和通孔施加到具有粘合层的载体上方并且在载体上方和通孔周围形成模制衬底，露出通孔和管芯上的安装件的端部。
扇出晶圆级封装结构

[发明专利]扇出晶圆级封装方法-CN201510751008.6有效
发明人：丁万春 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇出晶圆级封装方法，包括：在承载板的正面形成第一开口部；在第一开口部的周围形成第一重布线层；在第一重布线层上形成导电柱，导电柱的顶面高于待装载芯片的顶面；在第一开口部内装载芯片；在承载板的正面设置第一封料层
扇出晶圆级封装方法

[发明专利]扇出晶圆级封装结构-CN201510750934.1有效
发明人：丁万春 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇出晶圆级封装结构，包括：承载板，承载板上的第一开口部内装载有芯片；形成于承载板上且位于第一开口部周围的第一重布线层；形成于第一重布线层上的导电柱，导电柱的顶面高于芯片的顶面；形成于承载板上的第一封料层
重布线层承载板导电柱封料层芯片顶面晶圆级封装结构连接区域开口部扇出固化过程连接部件散热性能柱子区域偏移结合力栅栏状树脂焊球阻流装载

[发明专利]系统级扇出晶圆封装方法-CN201110032270.7无效
发明人：陶玉娟;石磊;高国华 -专利权人：南通富士通微电子股份有限公司
申请日： 2011-01-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明涉及系统级扇出晶圆封装方法，包括步骤：在载板上形成胶合层；将芯片和无源器件的功能面贴于所述胶合层上；将载板贴有芯片和无源器件的一面形成封料层，进行封装固化；去除所述载板和胶合层。与现有技术相比，本发明请求保护的系统级扇出晶圆封装方法，将芯片和无源器件进行整合后再一并封装，可以形成包含整体系统功能而非单一的芯片功能的最终封装产品，相比现有的系统级封装，高集成度的圆片级封装更是降低了系统内电阻
系统级扇出晶圆封装方法

[实用新型]一种扇出型封装结构和射频模组-CN202122470876.0有效
发明人：潘益军;王鑫;宋驭超 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种扇出型封装结构和射频模组，该扇出型封装结构包括第一晶圆、第二晶圆和重布线层，重布线层包括设置于第一晶圆第一表面的第一绝缘层和设置于第二晶圆第一表面的第二绝缘层，第一晶圆的第一表面通过晶圆键合，并以扇出方式与第二晶圆的第二表面结合为一体，且第一晶圆与第二晶圆之间通过第一绝缘层形成密封空腔；第一晶圆通过贯穿第一绝缘层、第二晶圆和第二绝缘层的通孔实现电性连接。本实用新型实施例提供的技术方案通过扇出方式将第一晶圆与第二晶圆键合在一起形成扇出型三维晶圆，使得晶圆的尺寸灵活性较高，可以使适应不同尺寸的晶圆键合，大大提高了晶圆封装的集成度，从而提升了晶圆的利用率。
一种扇出型封装结构射频模组

[实用新型]一种硅基扇出型晶圆级封装结构-CN201921226336.4有效
发明人：王成迁;明雪飞;吉勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开一种硅基扇出型晶圆级封装结构，属于集成电路封装领域。所述硅基扇出型晶圆级封装结构包括硅基，其第一面刻蚀有散热通道，散热通道上沉积有截止层；所述硅基的第二面刻蚀有凹槽并埋入芯片；所述芯片的焊盘通过第一层布线和微凸点与n层布线连接；所述n层布线连接有最后一层布线
一种硅基扇出型晶圆级封装结构

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