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[发明专利]用于获取晶圆级键合结构电阻的方法及其半导体结构-CN201310430011.9有效
发明人：陈政;张海芳;戚德奎;李新;陈晓军;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及采用该结构获取晶圆级键合结构电阻的方法。关于获取方法，包括通过对两晶圆键合前后的电阻分别进行测量，后依据两晶圆键合前后的电阻、晶圆级键合结构的电阻之间的串并联关系获取晶圆级键合结构的电阻。获取方法不依赖焊盘、金属互连线以及连接两者的导电插塞的电阻的经验值，因而所获取的晶圆级键合结构的电阻较为精准。
用于获取晶圆级键合结构电阻方法及其半导体

[发明专利]晶圆级硅基液晶投影组件、系统与方法-CN201410221984.6有效
发明人：范纯圣 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： G03B21/00 文献下载
摘要：本发明的题目是一种晶圆级硅基液晶投影组件、系统与方法。晶圆级硅基液晶投影组件包括一硅基液晶显示器以及一偏振分光层。硅基液晶显示器以空间调变入射于硅基液晶显示器的光线。晶圆级硅基液晶投影系统的组装方法包括将一偏振分光晶圆设置于一有源矩阵晶圆上，有源矩阵晶圆包括多个有源矩阵以定义多个液晶显示像素。组装方法还包括设置一透镜晶圆于偏振分光晶圆上，透镜晶圆包括多个透镜。一种晶圆级偏振分光器的组装方法包括接合一偏振分光晶圆与至少另一晶圆以形成一堆叠晶圆，偏振分光晶圆包括一偏振分光层，偏振分光层包括多个偏振分光膜带。
晶圆级硅基液晶投影组件系统方法

[发明专利]具有缓冲层的半导体器件-CN202180021470.4在审
发明人： H.S.赵;S.K.穆尼拉提南 -专利权人： PEP创新私人有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：公开了一种晶圆级缓冲层。所述晶圆级缓冲层被配置为防止在晶圆切割过程中后段(BEOL)电介质产生碎裂。晶圆级缓冲层是一种具有减振剂的复合晶圆级缓冲层。所述减振剂包括具有填料的聚合物基底层。
具有缓冲半导体器件

[发明专利]用于校正光刻过程中的套刻误差的系统和方法-CN202180030346.4在审
发明人：李志洋;T·杨 -专利权人：昂图创新有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：这些校正可减轻与扇出型晶圆级封装(FOWLP)和扇出型面板级封装(FOPLP)相关联的一些问题。
用于校正光刻过程中的误差系统方法

[发明专利]聚酰胺酸组合物、聚酰亚胺组合物、聚酰亚胺薄膜及聚酰亚胺覆铜板-CN202110500109.1有效
发明人：李盈盈;李金辉;李长青;张国平 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明通过添加吡啶衍生物或嘧啶衍生物作为粘结助剂，制备聚酰胺酸组合物，并提供了应用其制备的具有高粘结强度的聚酰亚胺组合物、聚酰亚胺薄膜以及聚酰亚胺覆铜板，显著提升了聚酰亚胺与铜面的粘结力，可将其用于高频通信的晶圆级扇出型封装或大板级扇出型封装中的层间介质材料
聚酰胺组合聚酰亚胺薄膜铜板

[发明专利]一种晶圆级封装工艺及晶圆级封装结构-CN202011565608.0在审
发明人：殷晨晖;陈胜;江勇;虞亚运 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种晶圆级封装工艺及晶圆级封装结构。晶圆包括基板，基板上呈矩阵分布有多个功能区，每个功能区周围设置有焊垫，晶圆级封装工艺包括步骤：在覆盖板上制作支撑围堰，以形成呈矩阵分布的多个凹槽，支撑围堰包括用于围成凹槽的棱边，棱边的内侧端部凹设有锯齿段；通过丝网印刷工艺在支撑围堰上涂覆键合胶；将覆盖板及涂覆有键合胶的支撑围堰键合于晶圆上，支撑围堰通过键合胶与焊垫处紧密结合，功能区容纳于凹槽内。本发明的晶圆级封装工艺，不易污染功能区、封装效果好、成品率高。本发明晶圆级封装结构，其通过采用上述的晶圆级封装工艺，封装质量好。
一种晶圆级封装工艺结构

[实用新型]晶圆级超声波元件检测装置-CN202121634457.X有效
发明人：邱奕翔 -专利权人：茂丞科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G01R23/06 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级超声波元件检测装置，用以电性连接晶圆上的晶圆级超声波元件以进行检测，晶圆级超声波元件检测装置包含承载板、多个测试元件以及反射板；承载板开设有贯孔，贯孔贯穿承载板，且贯孔与晶圆级超声波元件相对；测试元件设置于承载板上，且测试元件分别位于贯孔的周围，且分别用以电性连接至该晶圆级超声波元件；反射板设置于承载板相对于测试元件的另一侧，以遮蔽贯孔。借此装置，在晶圆上完成制作晶圆级超声波元件后，即可针对所需的谐振波频进行测试，并通过频率‑电压的转换来判断谐振频率是否在所需频率范围中。
晶圆级超声波元件检测装置

[发明专利]一种扇出形晶圆激光隐形切割方法-CN201910222506.X有效
发明人：陈洁 -专利权人：苏州福唐智能科技有限公司
申请日： 2019-03-22 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种扇出形晶圆激光隐形切割方法，本发明利用激光隐形切割，对低k介质层进行预切割，由于具有支撑载体和晶圆双压合作用，可以防止碎裂的同时，防止激光切割温度导致的介质层剥离；在进行激光二次切割时，
一种扇出形晶圆激光隐形切割方法

[发明专利]晶圆级封装方法、激光器模组、摄像头组件及电子装置-CN201810996282.3有效
发明人：杨鑫 -专利权人： OPPO(重庆)智能科技有限公司
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆级封装方法、激光器模组、摄像头组件及电子装置，用于激光器模组的晶圆级封装方法包括如下步骤：S1、提供晶圆、封装支架和透镜层，晶圆包括衬底和阵列设置在衬底上的多个激光器芯片，每个激光器芯片倒装在衬底上；S2、将晶圆、封装支架和透镜层依次叠加并通过胶水粘接固定，形成晶圆级封装件；S3、对晶圆级封装件进行切割以获得单个的激光器模组。根据本申请实施例的用于激光器模组的晶圆级封装方法，将晶圆的激光器芯片倒装在衬底上，通过将晶圆、封装支架和透镜层整体进行封装，封装之后再切割成一个个的激光器模组，由此可以提高激光器模组的封装效率。
晶圆级封装方法激光器模组摄像头组件电子装置

[发明专利]一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构-CN201710193790.3在审
发明人：任玉龙;孙鹏;耿菲 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构，其中，晶圆级封装结构的制备方法包括提供集成有多颗芯片的第一晶圆，其中，所述第一晶圆包括形成有多个凸点的正面以及相对于所述正面的背面，所述凸点与对应的芯片电连接；对所述第一晶圆进行临时键合；沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀，且至少刻蚀至键合界面；对所述第一晶圆进行解键合，形成单颗芯片。本发明可降低对切割道尺寸的要求，增加晶圆的有效芯片数量。
一种晶圆级封装结构制备方法

[发明专利]一种扇出型封装器件-CN201710740313.4在审
发明人：俞国庆 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇出型封装器件，所述器件包括封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接
一种扇出型封装器件

[发明专利]一种扇出型封装方法-CN201710740477.7在审
发明人：俞国庆 -专利权人：通富微电子股份有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2018-01-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种扇出型封装方法，所述方法包括提供封装基板，所述封装基板包括硅晶圆基层、焊盘及第一再布线层，所述焊盘设置于所述硅晶圆基层一侧，所述第一再布线层设置于所述硅晶圆基层的另一侧，其中，所述焊盘和所述第一再布线层电连接
一种扇出型封装方法

[发明专利]三维集成装置及其制造方法-CN202211679946.6在审
发明人：胡胜;孙鹏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：所述制造方法中，利用第一载片晶圆形成晶圆级互连层，再在所述晶圆级互连层上接合设定数量的目标芯片，并通过晶圆重塑层进行晶圆重塑，进而接合第二载片晶圆以移除第一载片晶圆，在暴露的所述晶圆级互连层的第一表面接合封装基板，所述晶圆级互连层能够采用工艺能力较强的晶圆尺度半导体工艺形成，能够提供晶圆范围内灵活的高密度互连，在目标芯片之间可形成大范围高连接密度，且工艺难度以及制造成本较低。
三维集成装置及其制造方法

[发明专利]一种晶圆级封装中形成导电插塞的方法及晶圆级封装结构-CN201810069676.4在审
发明人：刘孟彬 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级封装中形成导电插塞的方法及晶圆级封装结构，该方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆上形成有多个第一芯片，所述第一晶圆的正面或背面通过芯片连接薄膜粘贴有多个第二芯片；在所述第一晶圆的与粘贴有多个所述第二芯片的一面相背的另一面上形成图形化的掩膜层；以所述图形化的掩膜层为掩膜依次刻蚀所述第一晶圆和所述芯片连接薄膜，以形成贯穿所述第一晶圆和所述芯片连接薄膜的通孔；以导电材料填充所述通孔形成导电插塞。该晶圆级封装中形成导电插塞的方法可以实现更好的电性连接。该晶圆级封装结构具有类似的优点。
晶圆导电插塞晶圆级封装结构芯片连接芯片图形化掩膜层通孔种晶薄膜封装导电材料填充晶圆级封装薄膜粘贴电性连接刻蚀相背掩膜粘贴背面贯穿

[发明专利]一种用于晶圆封装的组合物、包含组合物的扇出型封装结构及其制备方法-CN202310804855.9在审
发明人：伍得;林若兰;廖述杭;苏峻兴 -专利权人：湖北三选科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于晶圆封装的组合物、包含组合物的扇出型封装结构及其制备方法，按照质量份数计算，所述组合物包括：75份至83份的第一球形二氧化硅，5.5份至11份的第一树脂，8.5份至13份的第一固化剂0.05份至1.15份的第一促进剂，其中，第一球形二氧化硅的D50为3μm～6μm，第一树脂对可见光的透过率不低于35％，第一树脂选自环氧树脂，具有良好的透光性、低热膨胀系数和低吸水率的特性，能够应用于晶圆级封装工艺中填充相邻的两个凸电柱之间的间隙，能够提升切割后的晶圆键合至基底载板的精准度，有效地降低了产品的不良率，并且提升了导电柱的稳定性和可靠性。
一种用于封装组合包含扇出型结构及其制备方法