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[发明专利]原子力显微镜-CN201910788619.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：一种原子力显微镜包括晶圆夹取装置，用于固定晶圆，并使晶圆竖立；具有探针的第一微悬臂和第二微悬臂，所述第一微悬臂和第二微悬臂用于在晶圆竖立时，通过探针分别对晶圆的正面和背面进行扫描；第一位置检测装置和第二位置检测装置，分别用于检测第一微悬臂和第二微悬臂的偏移量，获得晶圆的正面和背面的形貌图像。由于晶圆夹取装置固定晶圆，并使晶圆竖立，在晶圆竖立时，晶圆所受的重力沿晶圆的表面垂直向下，使得重力对晶圆造成的影响降到最低，从而防止重力造成的晶圆弯曲或变形，通过第一微悬臂和第二微悬臂对竖立的晶圆的正面和背面进行扫描时，防止此弯曲或变形对测量结果的影响，从而提高对晶圆形貌测量的精度。
原子显微镜

[实用新型]原子力显微镜-CN201921389176.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：一种原子力显微镜包括晶圆夹取装置，用于固定晶圆，并使晶圆竖立；具有探针的第一微悬臂和第二微悬臂，所述第一微悬臂和第二微悬臂用于在晶圆竖立时，通过探针分别对晶圆的正面和背面进行扫描；第一位置检测装置和第二位置检测装置，分别用于检测第一微悬臂和第二微悬臂的偏移量，获得晶圆的正面和背面的形貌图像。由于晶圆夹取装置固定晶圆，并使晶圆竖立，在晶圆竖立时，晶圆所受的重力沿晶圆的表面垂直向下，使得重力对晶圆造成的影响降到最低，从而防止重力造成的晶圆弯曲或变形，通过第一微悬臂和第二微悬臂对竖立的晶圆的正面和背面进行扫描时，防止此弯曲或变形对测量结果的影响，从而提高对晶圆形貌测量的精度。
原子显微镜

[实用新型]一种适用于微反射镜阵列镀膜的硅晶圆掩膜板-CN202320124686.X有效
发明人：胡敬佩;黄惠杰 -专利权人：上海镭望光学科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F1/52 文献下载
摘要：一种适用于微反射镜阵列镀膜的硅晶圆掩膜板，包括第一层硅晶圆、绝缘层和第二层硅晶圆；绝缘层位于第一层硅晶圆和第二层硅晶圆之间，第一层硅晶圆的厚度大于第二层硅晶圆的厚度；第二层硅晶圆用于与微反射镜阵列贴合；硅晶圆掩膜板配合微反射镜阵列设置有微反射镜阵列区域和非微反射镜阵列区域，微反射镜阵列区域中的第一层硅晶圆和绝缘层被刻蚀，微反射镜阵列区域中的第二层硅晶圆对应微反射镜阵列刻蚀有通孔阵列。通过半导体光刻工艺和刻蚀工艺将硅晶圆掩膜板开孔大小做的更加精准，对准图形更加精细，硅晶圆的硬度在足够薄的情况下相对于金属更不容易产生形变，且通过半导体加工工艺后，硅晶圆掩膜板表面光滑度更能满足其与微反射镜的贴合度
一种适用于反射阵列镀膜硅晶圆掩膜板

[发明专利]半导体处理设备组以及半导体处理设备-CN201610496004.2有效
发明人：温子瑛 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明揭露了一种半导体处理设备组以及半导体处理设备，其中，半导体处理设备组包括至少两个沿横向分布的用于容纳和处理半导体晶圆的微腔室和承载半导体晶圆在多个横向分布的微腔室之间移动的晶圆承载部。在微腔室处于关闭位置时，半导体晶圆被晶圆承载部安置于微腔室中，进行单晶圆化学处理；在打开位置时，晶圆承载部承载半导体晶圆从一个微腔室移动到另一微腔室。使得本发明提供的半导体处理设备组在保留单晶圆处理技术的同时能够对半导体晶圆进行批量化处理。
半导体处理设备组以及设备

[发明专利]图案控制系统-CN200510077153.7有效
发明人：郭养国 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-14 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种图案控制系统，是一种在微影曝光制程之前用以冷却晶圆的图案控制系统，主要包含晶圆传送路径装置以及冷却模组。晶圆传送路径装置用以于微影制程中传送晶圆，冷却模组用以沿着该晶圆传送路径装置来冷却晶圆。此种晶圆冷却方式可于后续的微影曝光制程中避免晶圆上的光阻层的电路图案产生热变形。
图案控制系统

[发明专利]用于晶圆表面微损伤的检测方法和检测系统-CN202211178482.0在审
发明人：徐鹏 -专利权人：西安奕斯伟材料科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及用于晶圆表面微损伤的检测方法和检测系统，该检测方法包括：选取步骤：选取经过抛光处理的晶圆；单晶层生长步骤：在所选取的晶圆的表面上生长单晶层；热处理步骤：对已生长有单晶层的晶圆进行热处理；以及检测步骤：对经过热处理的晶圆的单晶层进行堆垛层错检测，以确定晶圆是否存在表面微损伤。在本公开中，可以实现对尺寸微小的微损伤的检测，并且可以使零散分布在晶圆的整个表面上的微损伤都能够被检测到。
用于表面损伤检测方法系统

[发明专利]一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构-CN202111583684.9在审
发明人：周超杰;夏晨辉;王刚;明雪飞;李奇哲 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本发明公开一种三维集成TSV针肋微流道主动散热封装方法及结构，属于集成电路封装领域。在裸硅晶圆上刻蚀盲孔，并对其进行电镀填充，制成带TSV铜柱的硅基板晶圆；在硅基板晶圆的底部刻蚀出芯片槽并埋入异构芯片；在硅基板晶圆的底部表面形成RDL和UBM的多层互联金属再布线；减薄硅基板晶圆片的顶部直至漏出TSV铜柱；在减薄的硅基板晶圆上刻蚀出针肋微流道及进出口通道，完成TSV针肋微流道下盖板；重复上述工序制作出TSV针肋微流道上盖板；将TSV针肋微流道上盖板和TSV针肋微流道下盖板进行面对面SoIC键合，实现微流道密封，完成微流道单元；利用晶圆级植球工艺，在重构的多层硅基晶圆的UBM处植上焊球，再对三维集成TSV针肋微流道圆片进行划片形成最终的封装体。
一种三维集成 tsv 针肋微流道主动散热封装方法结构

[发明专利]微影模拟方法-CN201910927935.7在审
发明人：田福安;黄旭霆;刘如淦;罗世翔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在以微影模拟最佳化微影模型的方法中，根据给定布局形成遮罩，使用遮罩列印晶圆，量测在列印晶圆上形成的图案，使用晶圆边缘偏压表及给定遮罩布局来模拟晶圆图案，获得模拟晶圆图案与量测图案之间的差异，并且根据差异调整晶圆边缘偏压表
模拟方法

[发明专利]晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质-CN202311102899.3在审
发明人：叶德好;万智泉;邓庆文 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请涉及一种晶圆基板布线方法、装置及可读存储介质，应用于晶上系统，晶上系统包括依次连接的标准预制件、晶圆基板和芯片配置基板，晶圆基板包括多个重布线层；该方法包括：获取微凸点阵列中各微凸点的位置信息、与各微凸点分别连接的标准预制件管脚的功能信息，以及微焊盘阵列中各微焊盘的位置信息、与各微焊盘分别连接的芯片配置基板管脚的功能信息；基于各微凸点的位置信息和对应的功能信息，以及与微凸点对应的微焊盘的位置信息，生成各微凸点、微焊盘对应的布线路径和通孔，以连接微凸点与对应的微焊盘，微焊盘对应的功能信息与微凸点对应的功能信息相同，实现晶圆基板的自动绕线，解决了缺少晶圆基板自动布线方法的问题。
晶圆基板布线方法装置可读存储介质

[发明专利]一种晶圆内部微裂纹检测装置及检测方法-CN202111505456.X在审
发明人：李柠 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于晶圆缺陷检测领域，公开了一种晶圆内部微裂纹检测装置及检测方法，包括基座,基座中间具有固定座，固定座上安装有晶圆夹持机构，晶圆装夹在所述晶圆夹持机构上，基座左右两边固定安装有水平直线位移平台，水平直线位移平台上安装有立座，立座上具有竖直直线位移平台，测试单元安装在所述竖直直线位移平台上，测试单元用于对晶圆的两面的检测部位进行微裂纹检测。本发明的晶圆内部微裂纹检测装置检测范围从大到小层层检测，提高了检测效率和检测精度。本发明的设计的晶圆夹持机构利用可控磁性原理缓慢将晶圆夹住，避免了刚性压紧造成的晶圆破碎的问题。通过本装置对晶圆内部微裂纹进行检测，提升了芯片产品良品率，降低了不良品比例。
一种内部裂纹检测装置方法

[发明专利]晶圆级光学窗口及制作方法和具有该光学窗口的微镜装置-CN201911256878.0有效
发明人：马宏 -专利权人：觉芯电子（无锡）有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级光学窗口，包括：基材层，基材层具有相对设置的第一面和第二面；光学元件层，光学元件层集成于所述第一面和/或所述第二面的特定区域内。相应地，本发明提供了一种具有晶圆级光学窗口的微镜装置。本发明还提供了一种具有晶圆级光学窗口的微镜装置，包括晶圆级光学窗口，还包括：基底；MEMS微镜，MEMS微镜设置于所述基底上；支撑架，支撑架设置于晶圆级光学窗口与MEMS微镜之间。本发明通过在晶圆级光学窗口的特定区域上集成光学元件层，利用该集成有光学元件层的晶圆级光学窗口与MEMS微镜形成微镜装置，并将该微镜装置应用于各类光学系统中，能够实现包括散斑抑制、光束准直、聚光和扫描角度增大等功能
晶圆级光学窗口制作方法具有装置

[发明专利]晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法-CN202010870329.9在审
发明人：倚娜;张翔 -专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆表面处理装置，用于采集晶圆表面的阴阳离子，包括用于容纳晶圆的微腔室，所述微腔室包括能够打开或关闭所述微腔室的盖板，所述微腔室的侧壁设置有用于引入溶解晶圆表面的阴阳离子的溶解液的液体入口，所述微腔室底部设置有用于引出溶解有晶圆表面的阴阳离子的溶液的液体出口，所述微腔室的侧壁上还设置有惰性气体入口和惰性气体出口，所述惰性气体入口处设置有气体流速控制结构，用于控制惰性气体流入所述微腔室内时间或流速本发明还涉及一种晶圆表面阴阳离子取样方法。
表面处理装置阴阳离子取样方法

[实用新型]晶圆级微透镜阵列的测试结构及其测试装置-CN202121529426.8有效
发明人：崔中秋;沈志杰;金杰;王腾 -专利权人：苏州多感科技有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆级微透镜阵列的测试结构及其测试装置，测试结构包括：晶圆放置组件和透光组件；晶圆放置组件包括外支撑环以及镂空区域，用于放置形成有微透镜阵列单元的待测晶圆，外支撑环边缘具有缺口且包含限位边界和放置台阶；透光组件，位于晶圆放置组件的一侧表面，正对镂空区域设置，边缘固定于外支撑环。测试结构用于将待测晶圆放置于镂空区域，光源透过透光层产生具有测试图形光场，检测待测晶圆上微透镜的解析力和漏光等性能。测试装置通过测试结构进行微透镜性能检测，将拍摄到的待测晶圆的测试图像与标准图像比较，获得测试结果，并根据测试结果输出测试图谱，定位有缺陷的微透镜阵列单元的位置。
晶圆级微透镜阵列测试结构及其装置

[实用新型]一种滤波器晶圆级封装结构-CN202023166844.3有效
发明人：朱其壮;李永智;吕军;赖芳奇 -专利权人：苏州科阳半导体有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体封装技术领域，公开了一种滤波器晶圆级封装结构。所述滤波器晶圆级封装结构包括滤波器晶圆、覆盖晶圆及微凸焊点，滤波器晶圆包括基板，基板的上表面设置有功能区和多个焊垫，覆盖晶圆由硅片制成，覆盖晶圆通过胶水层粘合于基板的上表面，覆盖晶圆靠近基板的一侧开设有凹槽，功能区容纳于凹槽内，微凸焊点设置在所述覆盖晶圆上，微凸焊点与所述焊垫电性连接。本实用新型的滤波器晶圆级封装结构，封装过程简单、封装过程不易污染功能区，整体厚度结构较薄。
一种滤波器晶圆级封装结构

[发明专利]一种射频模块、制作方法及电子设备-CN202111447605.1在审
发明人：裘进;陆原;张光瑞;王志良;李立伟;张栓;梁骥;李佩笑;陈学志 -专利权人：赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种射频模块、制作方法及电子设备，包括：衬底晶圆；微同轴结构，位于衬底晶圆上，射频芯片，倒装在微同轴结构上；侧墙，位于衬底晶圆上，且围绕微同轴结构设置；盖板晶圆，通过侧墙与衬底晶圆键合，盖板晶圆上设置有硅通孔以及与硅通孔连接的信号端口，硅通孔通过导体柱与微同轴结构连接。
一种射频模块制作方法电子设备

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