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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]通过外延生长制造半导体装置-CN201610247808.9在审
  • J·鲍姆加特尔;M·屈恩勒;E·莱凯尔;D·施勒格尔;H-J·舒尔策;C·魏斯 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2016-04-20 - 2016-11-09 - H01L21/331
  • 一种制造半导体装置的方法被提供。该方法包括：提供具有一表面的半导体衬底；在该表面上沿垂直于该表面的竖直方向外延生长出背侧发射层，其中，背侧发射层具有第一导电类型的掺杂物或与第一导电类型互补的第二导电类型的掺杂物；在背侧发射层上方沿着竖直方向外延生长出漂移层，漂移层具有第一导电类型的掺杂物，其中，背侧发射层的掺杂物浓度高于漂移层的掺杂物浓度；并且在漂移层内或在漂移层的顶部上形成体区域，体区域具有第二导电类型的掺杂物，体区域与漂移层之间的过渡形成PN结。外延生长出漂移层包括：在漂移层内形成第一导电类型的掺杂物沿着竖直方向的掺杂物浓度走向，掺杂物浓度走向为第一导电类型掺杂物的浓度沿竖直方向的变化。
  • 通过外延生长制造半导体装置
  •  1 
  • 共 1 条
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