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[发明专利]齐纳二极管的制备方法和齐纳二极管-CN201510284694.0有效
发明人：杜蕾 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：，其中，制备方法包括：在衬底上形成第一阱区、第二阱区和齐纳阱区后，在所述第一阱区和所述第二阱区的两个公共区域以及所述第二阱区和所述齐纳阱区的两个公共区域形成场氧化层；在所述齐纳阱区的内部形成两个多晶硅掩膜结构；在形成所述多晶硅掩膜结构的衬底上依次形成第一离子区域、第二离子区域、图形化的隔离层和金属电极以完成所述齐纳二极管的制备。
齐纳二极管制备方法

[发明专利]一种硅基MEMS超级电容器及其制备方法-CN201910308795.5有效
发明人：任巍;刘学森;赵慧丰;张易军 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基MEMS超级电容器的制备方法，首先在洁净的硅片上旋涂一层光刻胶，通过交替排列的方形掩蔽层模板曝光、显影，在硅片上得到交替排列的方形掩膜结构；然后在具有方形掩膜结构的硅片上采用气体干法刻蚀
一种 mems 超级电容器及其制备方法

[发明专利]用于液晶显示器的边界掩膜结构-CN201410522299.7在审
发明人：梁丙悳;野津大辅;山形裕和;大沢裕史;金景旭;张世昌 -专利权人：苹果公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本公开涉及用于液晶显示器的边界掩膜结构。一种显示器可具有薄膜晶体管层和滤色器层。该显示器可具有有效区域和无效边界区域。该无效边界区域中的阻光结构可防止来自背光源导光板的杂散背光泄露出显示器。该薄膜晶体管层可具有透光基板、位于该透光基板上的图案化的黑色掩膜层、位于该黑色掩膜层上的透光平面化层、以及位于该透光平面化层上的薄膜晶体管电路层。该黑色掩膜层可由黑色可光成像的聚酰亚胺形成。该阻光结构可包括由该黑色掩膜层的一部分形成的第一层和诸如位于该滤色器层的下侧的黑色带材层之类的第二层。
用于液晶显示器边界膜结构

[发明专利]一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺-CN201510675743.3在审
发明人：赵高杰;孙玉俊;刘益宏;廖黎明;刘少雄;李星月;姜舒月;陈之战 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺，具体指一种半导体材料深刻蚀加工的掩膜的制备方法，涉及半导体材料加工技术领域。本发明以SiC材料为例。通过全新掩膜结构，优化电镀液组分，改进微电镀条件，提高镀层金属与衬底的粘附性，提高镀层金属的均匀性和厚度，制备金属镀层既满足SiC深刻蚀加工掩膜层的需要，又扩展了碳化硅在相关器件制备方面的应用。
一种基于电镀 mems 微型阵列结构加工工艺

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910881282.3在审
发明人：杨晨曦;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干伪栅极结构，所述伪栅极结构顶部具有初始第一保护层；在衬底上形成初始第一介质层，所述初始第一介质层暴露出初始第一保护层顶部表面，且所述初始第一介质层表面齐平于初始第一保护层顶部表面回刻蚀初始第一介质层表面和初始第一保护层表面，使初始第一介质层减薄形成第一介质层，使初始第一保护层减薄形成第一保护层；去除第一保护层，在第一介质层内形成第一开口；在第一开口内以及第一介质层上形成第二保护层；在第二保护层上形成掩膜结构，所述掩膜结构暴露出部分位于所述伪栅极结构顶部的所述第二保护层表面。所形成的半导体结构性能得到提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]基于文本掩膜结构相似度的文本印刷质量评价方法-CN202211261004.6在审
发明人：贺王鹏;赵敏敏;蒋元淑;李诚;刘恒言;郭宝龙 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G06V30/418 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于文本掩膜结构相似度的文本印刷质量评价方法：通过基于文本掩膜的动态感知文本分割网络，对印刷文本图像以及标准文本图像进行处理，得到多通道文本精分割特征图；利用图像细化算法对多通道文本精分割特征图进行文字骨架信息提取，根据提取过程中去除像素的顺序，赋予每层像素不同的权值并建立文本骨架模板；采用结构相似度图像质量评价算法，对标准文本骨架模板及印刷文本骨架模板进行文本印刷质量检测，得到印刷文本骨架模板与标准文本骨架模板的平均结构相似度值；根据平均结构相似度值，判定文本印刷质量。本发明构建文本分割网络，输出是具有文本掩膜信息的特征图，提高了检测范围以及检测准确度。
基于文本膜结构相似印刷质量评价方法

[发明专利]一种平面掩膜结构的太赫兹可重构滤波器及制备方法-CN202210899470.0在审
发明人：朱忠博;李小军;朱舸;李琪;李升;王彩霞;邵伟 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本申请涉及太赫兹技术领域，具体公开了一种平面掩膜结构的太赫兹可重构滤波器及制备方法，滤波器包括金属波导，延波导长度方向开设贯穿金属波导侧面的安装缝；滤波结构，穿过安装缝插入进波导，将金属波导内腔分为两部分，包括依次设置的半导体基板、设置于半导体基板一侧的掩膜电路、可调介质，半导体基板设有通孔，掩膜电路通过通孔与金属波导连接；通过调控可调介质材料的介电常数分布，调整滤波器的中心频率和通带带宽。本专利结合了金属结构低损耗和半导体结构加工工艺高的优点，而且对于装备精度也表现出良好的容差性。通过适当调控，本专利实现的滤波器可实现中心频率可重构、带宽可重构，具有广阔的应用前景。
一种平面膜结构赫兹可重构滤波器制备方法

[发明专利]一种选择性发射极电池掩膜的制备方法-CN201210369319.2有效
发明人：卢春晖;黄仑;吴俊清;王金伟;史孟杰 -专利权人：东方电气集团（宜兴）迈吉太阳能科技有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开一种选择性发射极电池掩膜的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：将印有刻蚀二氧化硅掩膜的硅片送入等离子体增强化学气相沉积法PECVD反应炉腔，炉腔内压强抽真空；升高压强，同时通入N2O；检测炉管压强本发明方法制作氮氧化硅掩膜的低温效果降低了温度对硅片少子寿命的影响，同时在二次扩散时不会因为高温导致部分氢键断裂造成氮化硅掩膜结构损伤而引起掩膜功能失效，掩膜效果优于氮化硅薄膜，同时还能阻挡其他杂质金属离子
一种选择性发射极电池制备方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法、掩膜结构-CN201911105656.9在审
发明人：陶大伟 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种浅沟槽隔离结构及其形成方法、一种掩膜结构，所述浅沟槽隔离结构包括：衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；位于所述第一区域内的第一沟槽，和位于所述第二区域内的第二沟槽，所述第一沟槽的密度大于所述第二沟槽的密度不同区域内的浅沟槽隔离结构的深度相同，具有相同的隔离效果。
沟槽隔离结构及其形成方法膜结构

[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法-CN202010252529.8在审
发明人：李强;苏波 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：待刻蚀层；位于待刻蚀层上的初始牺牲层；位于初始牺牲层上的保护层，所述保护层的密度大于所述初始牺牲层的密度，且所述保护层的密度大于所述初始牺牲层氧化物的密度；位于保护层上的掩膜结构。所述半导体结构形成的图形稳定性较好。
半导体结构形成方法

[发明专利]光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构-CN200810202063.X无效
发明人：焦新兵;魏劲松;干福熹 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G02B1/10 文献下载
摘要：一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由SiN或SiO₂构成，所述的超分辨掩膜层由Si(x)Ag(1-x)合金组成，其中x的取值范围为0＜x＜1，所述的磁记录层为TbFeCo。
混合存储记录分辨薄膜结构

[发明专利]一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法-CN202111096026.7在审
发明人：富松;张洪波;华勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，包括在铌酸锂基片表面形成一层具有导电性能的导电薄膜；利用光刻工艺在所述导电薄膜的表面形成一第一钛条沉积窗口和光刻胶波导掩膜结构；对导电薄膜进行第一次腐蚀，在导电薄膜上对应于所述第一钛条沉积窗口的位置处形成第二钛条沉积窗口，所述第二钛条沉积窗口使得铌酸锂基片的表面显露于外；在铌酸锂基片显露于外的表面形成一层钛膜；将铌酸锂基片上的光刻胶波导掩膜结构剥离；对导电薄膜进行第二次腐蚀，得到具有钛条扩散源的铌酸锂基片；将得到的铌酸锂基片在预设的扩散温度及扩散时间下进行钛扩散
一种扩散铌酸锂光波导制备方法

[发明专利]一种MEMS麦克风中的振膜结构及其制造方法-CN201410525743.0有效
发明人：蔡孟锦 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H04R7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种MEMS麦克风中的振膜结构及其制造方法，首先在硅基板氧化层的振膜区沉积一层用于形成第二振膜的第二薄膜；在该第二薄膜上设置掩膜，将除了第二振膜的区域全部刻蚀掉；在氧化层的振膜区沉积一层用于形成第一振膜的第一薄膜；在该第一薄膜上设置掩膜，将除了第一振膜的区域全部刻蚀掉，构成了具有第二振膜补强的第一振膜。本发明的振膜结构，包括了第一振膜以及对第一振膜中特定局部位置进行补强的第二振膜，也就是说，使得至少连接部的位置是多层膜设计，增大了该位置的膜厚，从而提高了第一振膜中连接部位的机械强度，避免了撕裂问题的发生
一种 mems 麦克风中的膜结构及其制造方法

[发明专利]一种纳米尺度超分辨光学聚焦器件的制作方法-CN201310035344.1无效
发明人：罗先刚;赵泽宇;王长涛;陶兴;王彦钦;高平;胡承刚;黄成;杨欢;姚纳 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：设计菲涅尔各级波带半径；S3：选择凹槽环带的位置即内环半径；步骤S4：根据焦斑强度需要调制凹槽环带的宽度与深度；S5：根据入射光偏振态选择凹槽环带的排列方向；S6：用加工技术获得菲涅尔波带环形条缝和凹槽的金属掩膜；S7：在金属掩膜后表面交替蒸镀纳米厚度的金属和介质多层膜结构，沉积多层膜的总厚度为透镜的焦距；S8：在多层膜结构后蒸镀一层纳米厚度的光刻胶及一层反射金属层，获得纳米尺度超分辨光学聚焦器件。
一种纳米尺度分辨光学聚焦器件制作方法

[实用新型]一种MEMS麦克风中的振膜结构-CN201420575885.3有效
发明人：蔡孟锦 -专利权人：歌尔声学股份有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H04R7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种MEMS麦克风中的振膜结构，首先在硅基板氧化层的振膜区沉积一层用于形成第二振膜的第二薄膜；在该第二薄膜上设置掩膜，将除了第二振膜的区域全部刻蚀掉；在氧化层的振膜区沉积一层用于形成第一振膜的第一薄膜；在该第一薄膜上设置掩膜，将除了第一振膜的区域全部刻蚀掉，构成了具有第二振膜补强的第一振膜。本实用新型的振膜结构，包括了第一振膜以及对第一振膜中特定局部位置进行补强的第二振膜，也就是说，使得至少连接部的位置是多层膜设计，增大了该位置的膜厚，从而提高了第一振膜中连接部位的机械强度，避免了撕裂问题的发生
一种 mems 麦克风中的膜结构