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[发明专利]一种微铜柱结构及倒装芯片封装结构-CN202111355069.2在审
发明人：朱文辉;陈华鹏;腾晓东;汪炼成;孙国辽 -专利权人：长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种微铜柱结构，包括微铜柱主体、锡焊帽、背金属化层，所述锡焊帽设于微铜柱主体的一端，通过锡焊帽使微铜柱主体的一端与其余元器件焊接；所述背金属化层设于微铜柱主体相对锡焊帽的另一端，所述背金属化层外层设有微铜柱钝化层，通过微铜柱钝化层使微铜柱主体的另一端与其余元器件焊接。
一种微铜柱结构倒装芯片封装

[发明专利]石墨烯/微铜柱阵列复合的柔性电磁屏蔽薄膜及制备方法-CN202310668734.6在审
发明人：于占江;邹兆强;谭瑞旺;张晓冬;任万飞;许金凯;杨珅;李一全;于化东 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：石墨烯/微铜柱阵列复合的柔性电磁屏蔽薄膜及制备方法，属于功能材料制备技术领域，包括聚酰亚胺薄膜层以及石墨烯/微铜柱阵列复合层，所述聚酰亚胺薄膜层设置在石墨烯/微铜柱阵列复合层的外表面；所述石墨烯/微铜柱阵列复合层为N层堆叠设置，且N≥1；每层所述石墨烯/微铜柱阵列复合层均包括聚酰亚胺表面纯铜镀层、微铜柱阵列层、聚酰亚胺溶液固化层以及聚酰亚胺表面激光诱导石墨烯层。本发明采用了微铜柱超表面阵列层和激光诱导石墨烯层相配合，实现材料吸波的阻抗匹配；并且由于制备的吸波薄膜厚度处于亚毫米级，容易在目标表面进行贴覆，从而达到表面共形高低频吸波目的，实现目标电磁屏蔽的保形护甲功能
石墨微铜柱阵列复合柔性电磁屏蔽薄膜制备方法

[实用新型]一种铜柱密封微纳制造设备-CN201821596530.7有效
发明人：苏焕涛 -专利权人：深圳市金宏鹰五金制品有限公司
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜柱密封微纳制造设备，包括铜柱密封微纳制造设备主体，所述铜柱密封微纳制造设备主体的两侧开设有凸形凹槽。第二滑动块通过第一螺纹通孔和第二螺纹通孔与第一螺纹杆和第二螺纹杆螺纹连接，转动第一螺纹杆和第二螺纹杆，使第二滑动块向下移动到需要调节高度的距离，然后停止转动第一螺纹杆，继续转动第二螺纹杆，由于第二螺纹杆转动连接在铜柱密封微纳制造设备主体上，从而使第二螺纹杆带着铜柱密封微纳制造设备主体向上移动，调节铜柱密封微纳制造设备主体的高度，达到了方便调节铜柱密封微纳制造设备主体高度的效果。
螺纹杆制造设备铜柱密封本实用新型螺纹通孔滑动块转动螺纹杆螺纹方便调节停止转动凸形凹槽向上移动向下移动转动连接

[发明专利]一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法-CN201911120017.X有效
发明人：周盛锐;徐玲;杨颖琳 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型MEMS高Q值非螺线管集成电感及其制备方法，该集成电感包含：硅基体；嵌设在所述硅基体内的TSV微铜柱，其两端分别露出，该TSV微铜柱包含：中心端口铜柱、内侧微铜柱组、第一外侧微铜柱组及第二外侧微铜柱组；第一表层互连线圈，其包含顶部表层互连线圈、底部表层互连线圈；外表层互连铜柱；及，第二表层互连线圈，其包含顶部外表层互连线圈、底部外表层互连线圈。
一种新型 mems 螺线管集成电感及其制备方法

[发明专利]一种铜柱微凸点结构的制作方法及其结构-CN201310307081.5无效
发明人：戴风伟;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-07-22 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜柱微凸点结构及制作方法，简化了工艺制程，降低了生产成本，同时提高了产品的良品率，其包括以下步骤：（1）在IC晶圆上制作多层RDL金属互连结构，当完成最后一层RDL金属互连层的电镀后，剥离光刻胶，但不腐蚀其种子层；（2）在最后一层RDL金属连层及其种子层上直接涂覆光刻胶，用于制作铜柱微凸点；（3）对光刻胶图形化，裸露出RDL金属互连层，以确定铜柱微凸点的大小和节距；（4）电镀铜柱和SnAg焊料；（5）剥离光刻胶；（6）刻蚀最后一层RDL金属互连层的种子层，也是用于电镀铜柱微凸点的种子层；（7）SnAg焊料回流；本发明同时还供了一种铜柱微凸点结构。
一种铜柱微凸点结构制作方法及其

[发明专利]微铜柱的制造方法-CN201710735809.2有效
发明人：王福亮;王峰;赵志鹏;聂南天;任鑫宇;曾鹏;朱文辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种微铜柱的制造方法，包括：步骤一、在绝缘衬底上完成多层RDL金属互连结构，在最后一层金属互连结构外对应导电通道位置处设置焊盘；步骤二、制作微阳极，微阳极的直径与微铜柱的直径相匹配；步骤三、制作微阳极夹具盘，将制作好的微阳极安装于微阳极夹具盘上对应焊盘的区域，并将各微阳极连通；步骤四、将装有微阳极的微阳极夹具盘放置在芯片上方，使微阳极与焊盘一一对应，将微阳极夹具盘连接至电镀电源的正极，芯片连接至电镀电源的负极；步骤五、采用局部电化学沉积方法，在焊盘上电镀沉积出需要的微铜柱。对设备的要求较低，制备过程简单，降低了制作成本；并且可通过多焊盘和多微阳极同时制备多个微铜柱，生产效率较高。
微铜柱制造方法

[实用新型]双球转动型发热微电流按摩仪-CN201920700016.1有效
发明人：石晓东 -专利权人：深圳市四季电子有限公司
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： A61H15/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双球转动型发热微电流按摩仪，包括手持主体部以及按摩头部；该手持主体部内设置有电源、第一PCB板、用于产生微电流的第二PCB板，该按摩头部包括有用于按摩的转动圆球，该转动圆球内设置有铜柱、轴承、导热件、发热板；该铜柱电性连接于第一PCB板、第二PCB板，该轴承套设于铜柱外，该发热板安装于铜柱内，该导热件连接于铜柱上端并位于轴承上方；该转动圆球内还设置有用于传递微电流的弹针；借此，通过由第一PCB板控制第二PCB板产生的微电流传递到转动圆球上，并控制发热板使转动圆球发热的结构设计，使其同时具备转动、发热、微电流等按摩方式，提高了按摩理疗的效果，增加了用户的体验效果，解决了按摩方式单一性的问题
转动发热电流按摩

[发明专利]测量TSV铜柱中残余应力的方法-CN201310261083.5有效
发明人：王珺;翟歆铎;张兆强;肖斐 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： G01N19/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。
测量 tsv 铜柱中残余应力方法

[发明专利]一种导通孔内无缝衔接埋嵌铜柱方法-CN202010612353.2在审
发明人：吴发夫;陈世金;梁鸿飞;韩志伟;徐缓;张丰如;李志鹏 -专利权人：博敏电子股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种导通孔内无缝衔接埋嵌铜柱方法，涉及线路板制作技术领域，主要解决的是现有埋嵌铜柱方法存在可靠性差的技术问题，本发明的方法为在PCB板的导通孔内嵌入异形铜柱；在所述PCB板脉冲填孔电镀前先对所述PCB板依次进行除油、微蚀、预浸处理。本发明通过嵌入异形铜柱，可以使孔壁与铜柱衔接良好，通过在脉冲填孔电镀前先对PCB板依次进行除油、微蚀、预浸处理，可以除去残留的空气和药水，脉冲填孔电镀时可以实现了孔壁与铜柱之间的无缝衔接，提高PCB板的可靠性
一种导通孔内无缝衔接埋嵌铜柱方法

[发明专利]一种TSV转接板及其制造工艺-CN201410450356.5有效
发明人：何洪文;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种TSV转接板及其制造工艺，先在基板上进行植球工艺，形成凸点，然后将铜柱嵌入凸点中，形成铜柱凸点结构；利用塑封工艺将铜柱凸点结构进行塑封，利用湿法或干法工艺将铜柱上表面露出来，进行正面RDL层和第一微凸点的制造工艺；将基板材料去除，利用减薄工艺打磨基板背面，直到露处铜柱的下表面为止，做背面RDL层和第二微凸点，完成整个的TSV转接板工艺。
一种 tsv 转接及其制造工艺

[发明专利]一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置-CN201610546341.8有效
发明人：王福亮;陈卓;何虎;李军辉;朱文辉 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置，将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。
一种微铜柱间铜铜直接超声倒装方法及其装置

[发明专利]实现超窄节距互连的高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用-CN202310160698.2在审
发明人：叶义军;俞国庆;郝杰 -专利权人：立芯精密智造（昆山）有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种实现超窄节距互连的高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用，其包括以下步骤：S1、在晶圆上溅射种子层；S2、制作牺牲层；S3、制作掩膜层并光刻、显影得到软掩膜图形；所述软掩膜图形的线条之间形成有若干槽孔，所述槽孔向下延伸至牺牲层的下表面；S4、在所述槽孔中制备得到铜柱，所述铜柱的顶部突出所述掩膜层的上表面形成键合部；S5、对所述铜柱表面进行抛光至设定高度；S6、剥离所述牺牲层与所述掩膜层；S7、对所述种子层进行刻蚀，在每一个所述铜柱的底部形成一个焊盘，完成高密度铜柱微凸点的制备。本发明大大降低了铜柱表面粗糙度，为实现低温低压凸点键合互连工艺奠定了条件基础，实现了超窄节距的高密度互联。
实现超窄节距互连高密度铜柱微凸点制备工艺及其应用

[发明专利]一种基板内置环形磁芯电感的工艺方法-CN201410785623.4有效
发明人：张立东 -专利权人：江苏长电科技股份有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基板内置环形磁芯电感的工艺方法，它包括以下步骤：步骤一、在载板表面做出第一层铜线路；步骤二、在第一层铜线路上电镀形成内外两圈铜柱；步骤三、在内外两圈铜柱之间加入环形微磁芯；步骤四、对载板表面进行包封减薄，露出铜柱及环形微磁芯表面；步骤五、在塑封料表面电镀第二层铜线路，从而实现内外两圈铜柱之间依次错位连接；步骤六、对第二层铜线路进行包封，完成基板内置环形微磁性电感结构。
一种内置环形电感工艺方法

[发明专利]一种铜柱凸块结构的制作方法-CN201510738820.5在审
发明人：林正忠;蔡奇风 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种铜柱凸块结构的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一晶圆级芯片基体，在其表面形成凸块下金属层；S2：形成一光阻层，并形成若干光阻层开口；S3：形成塑封层；S4：采用微压印方法在所述塑封层中形成若干塑封层开口；S5：在所述塑封层开口内自下而上依次形成铜柱及锡基金属合金柱；S6：去除所述光阻层及所述塑封层；S7：去除所述铜柱周围多余的所述凸块下金属层，并进行回流工艺使所述锡基金属合金柱形成锡基金属合金帽。本发明采用塑封层材料代替了厚光阻层，并采用微压印方法在所述塑封层中形成铜柱凸块图形，其中，微压印方法形成图形与光学问题无关，从而可以显著减小特征尺寸偏移，使得特征尺寸更加精确，并降低了工艺复杂性。
一种铜柱凸块结构制作方法

[发明专利]铜柱凸点结构及成型方法-CN201410135780.0有效
发明人：李昭强;戴风伟;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构及方法，尤其是一种铜柱凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述铜柱凸点结构，包括基底及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底部通过种子层与金属焊盘及介质层接触，且种子层覆盖铜柱的外侧壁；在铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用在光刻胶上形成种子层的方法，避免了侧向钻蚀的现象，并且铜柱侧壁表面具有种子层，对铜柱形成保护作用，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。
铜柱凸点结构成型方法

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