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[发明专利]用于测量角膜的方法和分析设备-CN201310221600.6有效
发明人： A·施泰因穆勒 -专利权人：欧科路光学器械有限公司
申请日： 2013-06-05 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： A61B3/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于利用眼科分析系统来测量尤其是人的待检查的眼睛（17）的角膜的方法，其中，利用眼科分析系统，测量角膜（15）的形貌，其中，利用眼科分析系统，按照测量时间间隔来获得所述角膜的表面区域（24）的多个图像数据集，其中，在所述测量时间间隔中，所述眼睛的眼压变化受心血管活动影响，其中，由于所述眼压的变化，导致了所述测量时间间隔内所述角膜的形貌的重复变化，其中，根据所述多个数据图像集来确定所述角膜的形貌的重复变化，其中所述角膜的形貌的变化被测量，其中，在每种情况下，对于所述角膜的表面区域的点（P）测量变化，所述点在形貌测量期间被测量。
用于测量角膜方法分析设备

[发明专利]采用Photoshop与MATLAB软件分析壁画表面形貌变化的方法-CN201710082864.6在审
发明人：王菊琳;徐树强;张逸东 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：采用Photoshop与MATLAB软件分析壁画表面形貌变化的方法，属于壁画表面形貌变化的分析技术领域。(1)对壁画表面形貌每隔一定时间进行同一位置跟踪拍照，或不同条件下的壁画进行同一位置跟踪拍照；(2)用Photoshop和MATLAB软件对数码照片进行分析，提取相关数据并进行计算，得到壁画表面形貌的量化分析结果，由量化数据判断病害发生了明显或微小的变化。采用Photoshop和MATLAB软件对壁画表面形貌的数码照片进行相关处理后，可以将宏观的数码照片转换成微观形貌变化的量化数值，从而获得壁画表面病害的发生与发展信息。
采用 photoshop matlab 软件分析壁画表面形貌变化方法

[发明专利]一种基于表面形貌粗糙度的工件内部缺陷检测方法-CN201910151256.5有效
发明人：王向红;赵淑慧;马义淮;胡宏伟 -专利权人：长沙理工大学
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01B17/08 文献下载
摘要：本发明是一种基于表面形貌信息进行内部缺陷检测的方法，属于无损检测领域。该方法根据表面形貌粗糙度的大小与内部缺陷之间的关系，通过声发射信号的传输特性的变化得到工件是否存在缺陷的方法。通过研究同一工件在无缺陷和存在内部缺陷的情况下，表面粗糙度大小的变化来揭示内部缺陷对表面形貌变化的影响。本发明旨在利用声发射信号得到工件表面形貌信息并对其进行研究，通过了解表面粗糙度大小的变化去建立内部缺陷与表面形貌之间的对应关系。通过表面形貌信息粗糙度的变化预测工件内部是否存在缺陷。
一种基于表面形貌粗糙工件内部缺陷检测方法

[发明专利]共形承载微带天线阵面形貌对电性能影响的预测方法-CN201210405584.1有效
发明人：周金柱;黄进;宋立伟;李鹏;章丹;郭东来 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01R29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种共形承载微带天线阵面形貌对电性能影响的预测方法，主要解决现有技术不能预测阵面形貌变化对电性能影响的问题。其实现步骤是：（1）根据设计指标，建立几何模型，获得理想阵面形貌；（2）利用分形函数描述制造引起的阵面形貌误差，并施加气动和温度载荷到其力学模型中，获得阵面变形数据；（3）根据变形数据，利用多核支持向量回归重构服役载荷导致的阵面形貌变化量；（4）通过修正理想阵面形貌，得到实际阵面形貌；（5）根据实际阵面形貌，计算天线电性能，并根据提取的电性能指标修改天线结构以获得最优天线设计。本发明能够评估阵面形貌变化对电性能的影响程度，实现机电集成分析，缩短研制周期，降低研制成本。
承载微带天线阵形貌性能影响预测方法

[实用新型]基于双向形状变化的防伪指示标识-CN201320606227.1有效
发明人：魏民;吴雪莲;吕海宝;黄为民 -专利权人：南京天朗制药有限公司;魏民;吴雪莲;吕海宝;黄为民
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G09F3/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及双向可逆形状变化聚合物的应用技术，具体涉及一种基于双向形状变化的防伪指示标识。本实用新型的基于双向形状变化的防伪指示标识包括有一个具双向形状变化功能的基体，其表面有至少一处可随特定激励的施加或减弱/消除而发生相应的可逆形貌变化的初始形貌。本实用新型的防伪指示标识采用具有双向形状记忆效应的基体，能够通过不同条件下的双向形貌变化进行防伪指示。
基于双向形状变化防伪指示标识

[发明专利]一种控制齿轮单双齿啮合刚度平缓性的方法-CN201810764188.5在审
发明人：唐进元;温昱钦 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过齿轮表面微观形貌及粗糙度参数控制齿轮单双齿啮合刚度平缓性的方法，该方法先计算分析所需要的齿轮宏观参数与力学参数，再根据得到的齿轮宏观参数与力学参数，基于粗糙表面接触模型，计算不同表面微观形貌参数下的齿轮单双齿啮合位置接触刚度变化，然后再根据前述步骤得到不同表面微观形貌参数下的齿轮单双齿啮合位置接触刚度变化结果，最终确定符合单双齿啮合刚度平缓性要求的表面微观形貌参数。本发明所提供的控制齿轮单双齿啮合刚度平缓性的方法，计算简便，效率高，可以分析大量不同微观形貌参数下的接触刚度变化，选择最合适的表面微观形貌参数，最终实现利用齿轮表面微观形貌控制齿轮啮合单双齿啮合刚度平缓性
双齿啮合表面微观形貌齿轮接触刚度控制齿轮齿轮表面宏观参数力学参数啮合位置微观形貌微观形貌控制粗糙度参数变化结果齿轮啮合粗糙表面计算分析性要求分析

[发明专利]一种金属玻璃断面韧窝形貌与流动单元分布建立联系的方法-CN202310593047.2在审
发明人：黄平;王飞;王壮壮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属玻璃断面韧窝形貌与流动单元分布建立联系的方法，主要将金属玻璃断裂面韧窝形貌分布与流动单元的分布量化表征并建立起联系，建立的断裂面韧窝形貌分布与流动单元分布关系将对建立金属玻璃宏观力学表现行为与微观结构之间的关系发挥作用本发明首先统计金属玻璃断裂面韧窝形貌分布，通过β弛豫的行为对流动单元的分布进行表征，通过比较表征韧窝形貌分布离散程度的σ值与表征流动单元分布的半高宽FWHM值的变化，得到金属玻璃断裂面韧窝形貌分布与流动单元分布呈一致的变化趋势本发明表征金属玻璃韧窝形貌分布的σ值与表征流动单元分布的半高宽FWHM值的变化趋势是一致的，即确立起了金属玻璃断裂面韧窝形貌分布与流动单元分布之间的联系。
一种金属玻璃断面形貌流动单元分布建立联系方法

[发明专利]一种掺杂勃姆石二维形貌控制方法-CN202111494732.7有效
发明人：刘健晨;邓传玉;蒋学鑫;王韶晖 -专利权人：安徽壹石通材料科技股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C01F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂勃姆石二维形貌控制方法，涉及无机粉体技术领域，本发明通过调节浆料pH值实现掺杂勃姆石形貌的控制，即制得六方片状掺杂勃姆石或长板状掺杂勃姆石；在现有技术中勃姆石形貌随pH值的变化是：pH值由酸性向碱性调节时，形貌由长板状向六方片状转变，而本发明中控制掺杂勃姆石形貌变化则是pH值由酸性向碱性调节时，形貌由六方片状向长板状转变，为掺杂勃姆石的形貌控制提供了一种新方法。
一种掺杂勃姆石二维形貌控制方法

[发明专利]基于尺寸形貌变化的检测装置-CN201811462924.8在审
发明人：杨斌堂;杨诣坤 -专利权人：杨斌堂
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G01B7/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于尺寸形貌变化的检测装置，包含位移触发元件与传感组件，被测元件包含被测表面，所述位移触发元件与被测表面相对设置，位移触发元件与被测表面接触或不接触；所述被测元件与位移触发元件之间能够相对运动，被测表面尺寸和/或形貌的变化能够引起位移触发元件的运动；所述位移触发元件与传感组件相连；或者，所述位移触发元件构成传感组件的组成部件。本发明能够有效简化孔径测量装置的构造，降低设计制造成本，同时适用范围广，不仅能够适应多种口径、深度的开孔的内径测量，还能应用到管外壁或者其他带有尺寸形貌变化的结构的测量。
触发元件传感组件形貌变化被测元件检测装置孔径测量装置设计制造成本形貌表面相对内径测量组成部件不接触管外壁开孔测量口径应用

[实用新型]基于尺寸形貌变化的检测装置-CN201822008308.7有效
发明人：杨斌堂;杨诣坤 -专利权人：杨斌堂
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01B7/13 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于尺寸形貌变化的检测装置，包含位移触发元件与传感组件，被测元件包含被测表面，所述位移触发元件与被测表面相对设置，位移触发元件与被测表面接触或不接触；所述被测元件与位移触发元件之间能够相对运动，被测表面尺寸和/或形貌的变化能够引起位移触发元件的运动；所述位移触发元件与传感组件相连；或者，所述位移触发元件构成传感组件的组成部件。本实用新型能够有效简化孔径测量装置的构造，降低设计制造成本，同时适用范围广，不仅能够适应多种口径、深度的开孔的内径测量，还能应用到管外壁或者其他带有尺寸形貌变化的结构的测量。
触发元件传感组件形貌变化本实用新型被测元件检测装置孔径测量装置设计制造成本形貌表面相对内径测量组成部件不接触管外壁开孔测量口径应用

[发明专利]用于改进层间介电层形貌的方法-CN201910211341.6在审
发明人：苏冠玮;黄俊育;林志勋;谢炳邦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本文公开了用于改进层间介电(ILD)层形貌的方法和产生的集成电路器件。在第一区域和第二区域之间存在第一形貌变化。第二厚度与第一厚度不同，以实现小于第一形貌变化的第二形貌变化。第一形貌变化可以由设置在第一区域中的晶圆上方的第一栅极结构与设置在第二区域中的晶圆上方的第二栅极结构之间的高度差引起。本发明的实施例还涉及用于改进层间介电层形貌的方法。
接触蚀刻停止层形貌变化晶圆第二区域第一区域形貌栅极结构改进层集成电路器件高度差介电层介电

[发明专利]一种含瓦斯煤破碎过程瓦斯解吸规律表征方法-CN202310322851.7在审
发明人：张宪尚;张仰强;张玉柱;赵旭生;胡杰;张睿;隆清明;吕贵春;邓华易;李建功;郭敬远;韩恩光;高华礼;王鹏博 -专利权人：中煤科工集团重庆研究院有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N7/04 文献下载
摘要：本发明属于多孔固体介质气体解吸扩散测定领域，涉及一种含瓦斯煤破碎过程瓦斯解吸规律表征方法，包括以下步骤：步骤1.对煤样进行清洗和烘干；步骤2.对煤样的粒度特征及形貌进行测量统计以得到粉碎前煤样的粒度及形貌的特征参数；步骤3.对粉碎前煤样的瓦斯吸附量进行测试；步骤4.对煤样进行粉碎并测定粉碎过程中煤样的瓦斯解吸量；步骤5.将煤样粉碎前后的粒度及形貌的特征参数进行分析对比，以得到特征变化参数；步骤6.根据特征变化参数，分析对比瓦斯解吸程度随煤样粒度特征或形貌特征变化参数的变化程度以筛选出用于表征瓦斯解吸程度的特征变化参数；步骤7.通过瓦斯解吸量结合特征变化参数，计算煤样粉碎过程中瓦斯解吸规律表征参数。
一种瓦斯破碎过程解吸规律表征方法

[实用新型]一种用于检测熔池形貌的装置-CN201621216803.1有效
发明人：郝晓杰;张妍;李瑞行;张运刚;董永;杨忠新;姚张群;季鸿鸣;陈岁元;刘常升;魏明炜;董世运;赵晓霆 -专利权人：山西暗睛光电科技有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及增材制造熔池形貌领域，具体涉及一种用于检测熔池形貌的装置。将收集的信号及时输送至显形单元中，同步呈现出检测的熔池连续变化情况，以此实现在线检测熔池形貌，并根据熔池的实际变化趋势来快速反馈调整加工参数，保证加工质量。同时本实用新型提供的检测装置因为保护装置的存在，可以有较强的抗高温，能够准确快速的检测熔池形貌变化。
一种用于检测熔池形貌装置

[发明专利]一种用于微结构工件的斜率自适应形貌测量方法-CN201510346794.1有效
发明人：许斌;尹德强;方辉;刘乾乾 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于微结构工件的斜率自适应形貌测量方法，涉及微结构面形质量检测技术领域。该方法主要包括斜率预测、旋转扫描、误差补偿、形貌重构等步骤，在测量样品时能够根据被测样品表面形貌变化，自动调节触针与样品间的相对夹角，使扫描触针能够适应样品表面的斜率变化，不至于发生轮廓干涉等现象，扫描结束后系统根据触针式位移传感器的输出值、XYZ微位移平台的移动量、β旋转轴承的旋转量和触针尖端半径的大小可以重构出样品表面形貌特征。与已有的形貌测量方法相比，本发明提供了一种简单、有效地测量具有复杂表面形貌特征的微结构的方法，可以在较短时间内准确地重构出样品表面形貌特征。
一种用于微结构工件斜率自适应形貌测量方法

[发明专利]一种谐振器、滤波器、电子设备、及谐振器的制备方法-CN202211024843.6在审
发明人：李林萍 -专利权人：见闻录（浙江）半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：底电极位于衬底和压电层之间，压电层位于底电极和顶电极之间，底电极与衬底之间设置有多层空腔，从靠近衬底到远离衬底的方向上，每一层空腔的宽度逐渐减小，使后续在多层空腔上生长的底电极和压电层在每层空腔的交接处形貌变化减小，从而减少因形貌变化较大而产生的较大应力变化。同时，较缓慢的形貌变化，使得底电极和压电层的生长质量得到提高，减少生长缺陷，提高器件Q值。另外，由于释放通道的高度即为最靠近衬底的一层空腔的高度，其高度相对降低，使得覆盖在最靠近衬底的一层空腔上的压电层形貌变化减小，应力突变也减小。本案还提供一种滤波器、电子设备、及谐振器的制备方法。
一种谐振器滤波器电子设备制备方法

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