专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]置换镀金液和接合形成方法-CN201180004299.2有效
  • 菊池理惠 - 日本电镀工程股份有限公司
  • 2011-04-15 - 2012-07-18 - C23C18/42
  • 本发明提供一种在形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合时,能够实现均匀膜厚的置换镀金液和镀敷处理技术。本发明的置换镀金液,用于在由导电性金属构成的导体层上形成依次层叠镍层、钯层、金层而成的接合,其特征在于,该置换镀金液含有氰化金盐、络合剂和铜化合物,置换镀金液中的络合剂与铜化合物的摩尔比为络合剂/铜离子=1.0~500的范围,由络合剂和铜化合物形成的化合物在pH4~6下的稳定常数为8.5以上。
  • 置换镀金接合部形成方法
  • [发明专利]金属制部件的断裂开始形成方法-CN201080021527.2无效
  • 长谷浩一 - 株式会社安永
  • 2010-06-21 - 2012-04-25 - B23P13/00
  • 金属制部件的断裂开始形成方法具有:第1步骤,通过机械加工在金属制部件(1)的与断裂开始相对应的部分形成(11);和第2步骤,在槽(11)的底的部分相互隔开预定间隔地形成多个凹(12),利用该金属制部件的断裂开始形成方法,以低成本形成能够在断裂后得到稳定的断裂面的金属制部件的断裂开始,由此,与以往相比,能够以非常小的冲击能制造具有均匀断裂面的连杆,在响应节能要求的同时获得高品质的连杆。
  • 金属部件断裂开始形成方法
  • [发明专利]在碱性电池壳体上形成端子凸的方法-CN99809425.0无效
  • 威廉·H·加德纳 - 杜拉塞尔公司
  • 1999-08-24 - 2001-09-12 - H01M6/06
  • 一种在电化学电池(最好是具有含锌的阳极、含二氧化锰的阴极和碱性电解质的碱性电池)的圆筒形壳体(10)的封闭端(11)上形成一个端子凸(15)的方法。在壳体(10)的封闭端(11)上形成端子凸(15)使该凸(15)成为壳体(10)的一个整体部分。的内径的长形柱塞(34)压入阴极材料(20)中,与此同时,设置一种防止阴极材料(20)上升至高于预定高度的机构(47),柱塞(34)所加的力使阴极材料(20)被压实,与此同时,在壳体(10)的封闭端(11)上形成一个端子凸
  • 碱性电池壳体形成端子方法
  • [发明专利]形成方法和鳍式场效应管的形成方法-CN201610015659.3在审
  • 韩秋华;吴端毅 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-01-11 - 2017-07-18 - H01L21/336
  • 一种鳍形成方法和鳍式场效应管的形成方法。其中,所述鳍形成方法包括提供半导体衬底,半导体衬底包括第一区和第二区;在第一区的表面和第二区的表面形成硬掩膜层;刻蚀硬掩膜层,直至形成位于硬掩膜层中的开口;沿开口刻蚀半导体衬底,直至形成沟槽,相邻沟槽之间的剩余半导体衬底成为鳍;在沟槽和开口内填充满隔离材料;进行平坦化处理,直至隔离材料的表面与硬掩膜层的表面齐平;在位于第一区上的隔离材料和硬掩膜层上形成光刻胶层;以光刻胶层为掩模,刻蚀位于第二区的隔离材料、硬掩膜层和鳍,直至去除位于第二区的鳍所述形成方法消除了稀疏鳍负载效应,简化了工艺过程,降低了工艺难度,提高了工艺效率。
  • 形成方法场效应
  • [发明专利]形成方法和鳍式场效应管的形成方法-CN201610016115.9有效
  • 韩秋华;吴端毅 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2016-01-11 - 2019-11-05 - H01L21/336
  • 一种鳍形成方法和鳍式场效应管的形成方法。其中,所述鳍形成方法包括:在半导体衬底的第一区的表面和第二区的表面形成硬掩膜层;形成位于硬掩膜层中的开口;沿开口刻蚀半导体衬底,直至形成第一沟槽,相邻第一沟槽之间的剩余半导体衬底成为第一鳍;在第一沟槽和开口内填充满填平材料;在第一区的填充材料上形成光刻胶层;刻蚀位于第二区的填充材料、硬掩膜层和第一鳍,直至去除位于第二区的第一鳍,并使第二区中的第一沟槽成为第一凹槽;以第一鳍和硬掩膜层为掩模,并沿第一沟槽和第一凹槽继续刻蚀半导体衬底所述形成方法消除了稀疏鳍负载效应,节省了工艺步骤,简化了工艺过程,提高了工艺效率。
  • 形成方法场效应

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