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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201711478125.5有效
发明人：刘焕新;张北超;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；对基底表面进行第一表面处理，第一表面处理采用的气体包括含硫气体；进行第一表面处理后，对基底表面进行氧化处理，在基底表面形成氧化物层；在所述氧化物层表面形成栅介质层。所述方法提高了半导体器件的性能。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201611130661.1有效
发明人：韩秋华;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区和NMOS区，所述PMOS区和NMOS区上形成有栅极结构；在所述半导体衬底和所述栅极结构上沉积第一硬掩膜层，并在所述第一硬掩膜层上沉积第二硬掩膜层；执行刻蚀，以去除位于所述PMOS区的第二硬掩膜层；刻蚀位于PMOS区的第一硬掩膜层，以在PMOS区栅极结构侧壁上形成硬掩膜侧墙；以剩余的第一硬掩膜层及第二硬掩膜层为掩膜刻蚀所述PMOS区暴露的半导体衬底，以形成凹槽；在所述凹槽中形成嵌入式锗硅层。本发明提出半导体器件的制造方法，可以避免产生光刻胶的负载效应。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]互连结构及其制造方法-CN201711306042.8有效
发明人：韩秋华;严凯;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连结构及其制造方法。该方法包括：提供衬底结构，包括：衬底、在衬底上的层间电介质层、贯穿层间电介质层的多个第一通孔和填充多个第一通孔的第一金属层；在衬底结构上形成通孔结构层，其所包括的双大马士革通孔结构包括：在通孔结构层中的第二通孔和第三通孔及在它们之上的开口；该开口露出通孔结构层的在第二通孔和第三通孔之间的部分；在第二通孔和第三通孔中填充第二金属层，第二金属层的上表面低于通孔结构层的上述部分的上表面；刻蚀通孔结构层的上述部分，使得该部分的上表面低于第二金属层的上表面；在开口中形成连接第二金属层的第三金属层。本发明解决了现有技术的菜花状缺陷问题。
互连结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710597716.8有效
发明人：韩秋华;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：基底，基底包括第一区和第二区；在基底上形成由第一区延伸至第二区的栅介质层和位于栅介质层上的伪栅极层；在基底上形成介质层，介质层顶部暴露出伪栅极层表面；在第二区伪栅极层中掺入掺杂离子；在第二区伪栅极层中掺入掺杂离子之后，去除第一区伪栅极层，在第一区介质层内形成第一伪栅开口，第一伪栅开口底部暴露出栅介质层表面；在第一伪栅开口内形成第一功函数层。所述方法形成的器件的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710735140.7有效
发明人：张冬平;王智东;吴端毅;徐立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在部分基底上形成若干相互分立的第一牺牲层；在所述第一牺牲层的侧壁上形成侧墙，相邻第一牺牲层和侧墙之间具有第一开口以及第二开口；在所述第一开口内形成第二牺牲层；形成所述第二牺牲层之后，去除第一牺牲层，形成第三开口；形成第三开口之后，以所述侧墙和第二牺牲层为掩膜，刻蚀部分所述基底，在所述基底内形成沟槽，所述沟槽位于第二开口和第三开口底部。所述方法形成的相邻沟槽之间的距离不相同，以满足半导体器件的不同需求。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、电子装置-CN201610726727.7有效
发明人：韩秋华;纪世良;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有伪栅极结构，在伪栅极结构的两侧形成有侧壁结构，在侧壁结构外侧的半导体衬底上形成有层间介电层；回蚀刻侧壁结构和伪栅极结构中的牺牲栅极材料层，形成沟槽；在侧壁结构的顶部靠近层间介电层的一侧形成牺牲侧墙；去除部分牺牲栅极材料层；回蚀刻未被牺牲侧墙遮蔽的侧壁结构；去除残余的牺牲栅极材料层，形成倒T形凹槽；在倒T形凹槽中形成金属栅极结构。根据本发明，形成的高k介电层/金属栅极结构呈倒T形，倒T形的台阶部分可以改善功函数设定金属层的沉积质量，从而提升高k介电层/金属栅极结构的电学性能。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件及制备方法、电子装置-CN201610586917.3有效
发明人：韩秋华;王彦;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一功能区域和第二功能区域，在半导体衬底上交替形成有第一牺牲层和第二牺牲层；图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在第一功能区域中形成第一开口并露出半导体衬底；选择性蚀刻所述第一开口中露出的所述第一牺牲层，以使位于所述第一牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸大于位于所述第二牺牲层中的所述第一开口的横向尺寸；在所述第一开口中填充第一半导体材料，以形成第一鳍片；图案化所述第二牺牲层和所述第一牺牲层，以在所述第二功能区域中形成第二开口并露出所述半导体衬底；在所述第二开口中填充第二半导体材料，以形成第二鳍片。
一种半导体器件制备方法电子装置

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710020105.7有效
发明人：韩秋华;潘亚武;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有器件结构，所述器件结构的顶部表面具有掩膜结构，所述基底、器件结构和掩膜结构上具有初始第一介质层；去除部分初始第一介质层形成第一介质层，所述第一介质层的顶部表面低于所述器件结构的顶部表面；在形成第一介质层之后，去除所述掩膜结构；在去除所述掩膜结构之后，在所述第一介质层表面和器件结构的顶部表面形成初始第二介质层，所述初始第二介质层的密度大于初始第一介质层的密度；平坦化所述初始第二介质层直至暴露出器件结构顶部表面，形成第二介质层。所述第二介质层的隔离性能较好，所述半导体结构性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201610914857.3有效
发明人：韩秋华;王彦;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，部分基底上有栅极结构膜；形成第一侧墙和掩膜侧墙，第一侧墙分别覆盖栅极结构膜两侧侧壁，第一侧墙的顶部表面高于栅极结构膜的顶部表面，掩膜侧墙位于部分栅极结构膜上，掩膜侧墙与高于栅极结构膜顶部表面的第一侧墙侧壁接触；以第一侧墙和掩膜侧墙为掩膜刻蚀栅极结构膜，形成具有相对的第一侧和第二侧的栅极结构，第一侧墙位于栅极结构第一侧；在栅极结构第一侧和第二侧分别形成第二侧墙，栅极结构第一侧的第二侧墙在第一侧墙侧壁表面，栅极结构第二侧的第二侧墙在栅极结构和掩膜侧墙的侧壁表面；之后在栅极结构第一侧和第二侧的基底中分别对应形成漏区和源区。所述方法使工艺难度降低。
半导体器件及其形成方法

[外观设计]渗水器（HW-A）-CN202030040602.6有效
发明人： 吴端毅 -专利权人： 吴端毅
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：渗水器（HW‑A）。2.本外观设计产品的用途：用于植物自动浇水使用的渗水器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.省略视图：右视图与左视图相同故省略右视图；后视图与主视图相同故省略后视图。
渗水 hw

[外观设计]渗水器（HBL-200-T）-CN202030041373.X有效
发明人： 吴端毅 -专利权人： 吴端毅
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：渗水器（HBL‑200‑T）。2.本外观设计产品的用途：用于植物自动浇水使用的渗水器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.省略视图：右视图与左视图相同故省略右视图；后视图与主视图相同故省略后视图。
渗水 hbl 200

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置-CN201610182177.7有效
发明人：韩秋华;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制作方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有若干栅极结构，在所述半导体衬底和所述栅极结构的侧壁上形成有接触孔蚀刻停止层，在所述接触孔蚀刻停止层上形成有第一介电层，以填充所述栅极结构之间的间隙；蚀刻去除所述栅极结构的侧壁上的所述接触孔蚀刻停止层，以在所述栅极结构和所述第一介电层之间形成沟槽；在所述沟槽中形成热降解聚合物，以填充所述沟槽；沉积第二介电层，以覆盖所述第一介电层、所述热降解聚合物和所述栅极结构；在所述栅极结构的外侧和/或所述栅极结构上形成接触插塞；执行加热步骤，以降解所述热降解聚合物，在所述栅极结构的外侧形成空气间隙。
一种半导体器件及其制作方法电子装置

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201510916709.0有效
发明人：韩秋华;潘亚武;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。所述半导体结构的制作方法提高PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法-CN201610016115.9有效
发明人：韩秋华;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法。其中，所述鳍部的形成方法包括：在半导体衬底的第一区的表面和第二区的表面形成硬掩膜层；形成位于硬掩膜层中的开口；沿开口刻蚀半导体衬底，直至形成第一沟槽，相邻第一沟槽之间的剩余半导体衬底成为第一鳍部；在第一沟槽和开口内填充满填平材料；在第一区的填充材料上形成光刻胶层；刻蚀位于第二区的填充材料、硬掩膜层和第一鳍部，直至去除位于第二区的第一鳍部，并使第二区中的第一沟槽成为第一凹槽；以第一鳍部和硬掩膜层为掩模，并沿第一沟槽和第一凹槽继续刻蚀半导体衬底。所述形成方法消除了稀疏鳍负载效应，节省了工艺步骤，简化了工艺过程，提高了工艺效率。
形成方法场效应

[发明专利]形成具有扩展空气间隙的半导体器件的方法-CN201610178733.3有效
发明人：韩秋华;吴端毅;肖芳元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成具有空气间隙的半导体器件的方法，通过对金属互连线进行回刻蚀来在所述金属互连线上方形成凹槽，以用于定义金属互连线之间形成空气间隙的扩展深度，从而保证了后续形成的器件结构的对准精度，同时通过在凹槽中填充第三层间介质层后，将金属互连线周围的第二层间介质层替换为牺牲层，并在之后在牺牲层和第三层间介质层上覆盖第四层间介质层，使得去除牺牲层而获得空气间隙仅在深度方向上扩展，从而在实现进一步降低金属互连结构之间的寄生电容的同时，还能足够保证器件的机械抗压能力的效果。
形成具有扩展空气间隙半导体器件方法

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