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[发明专利]一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法-CN202211532020.4在审
发明人：张粮;车巍;童祎;王璇之;肖建;王宇 -专利权人：山西职业技术学院
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠式双忆阻器存储结构、存储电路及工作方法，每个忆阻器存储单元包括反向相连的忆阻器m1和忆阻器m2；每个忆阻器的上电极和下电极分别设有第一金属丝线和第二金属丝线；所述第一金属丝线连通读取层电路，第二金属丝线连通编码层电路；本发明采用堆叠式方法设计了编码层电路和读取层电路，二者共用忆阻器存储单元，且互相独立，同时公开了相应的工作方法，包括编码、读取和格式化方法；本发明设计的堆叠式双忆阻器存储电路结构既保证了资源的合理使用，更提升了忆阻器作为存储核心单元的稳定性，保证了存储阵列在存储数据时的优势，从而使忆阻器在存储器中的应用具有更好的适用性。
一种堆叠式双忆阻器存储结构电路工作方法

[发明专利]可产生堆叠吸引子的双忆阻信号发生器-CN202011404731.4有效
发明人：杜传红;张正平;余世星;刘立才 -专利权人：贵州大学;安顺学院
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明公开可产生堆叠吸引子的双忆阻信号发生器，包括：压控忆阻器、流控忆阻器、第一运算放大器、第二运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容器、第二电容器、反向电路；本发明提供一种由压控忆阻器和流控忆阻器实现的可产生堆叠吸引子的双忆阻信号发生器，堆叠吸引子是一种新型混沌吸引子，本发明第一次报道，不仅丰富了忆阻混沌系统理论，还对丰富吸引子种类具有重要意义；同时，本发明采用常见的模拟电路元件实现忆阻器等效电路，有效降低了系统的成本。
产生堆叠吸引双忆阻信号发生器

[发明专利]一种双曲正弦型忆阻器电路模型-CN201911272532.X有效
发明人：朱斌达;王光义;董玉姣;应佳捷 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种双曲正弦忆阻器的等效模拟电路。本发明中的集成运算放大器U1构成磁通量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相放大运算，将输出信号作为忆阻器等效电路的忆导控制信号；双曲正弦型忆阻器等效电路由集成运算放大器U2和乘法器U3构成，集成运算放大器U2用于实现指数运算和加法运算，集成运算放大器U2与乘法器U3相连用于实现除法器的作用，得到需要的双曲正弦信号，乘法器U4用于实现将双曲正弦信号和电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量本发明提出了一种实现忆阻器特性的模拟电路，用以模拟忆阻器的磁通电荷特性，替代实际忆阻器进行实验和应用及研究。
一种正弦型忆阻器电路模型

[发明专利]一种忆阻耦合Hindmarsh-Rose神经元电路-CN202110412746.3有效
发明人：丁大为;陈晓宇;江丽;胡永兵;杨宗立 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻耦合Hindmarsh‑Rose神经元电路，应用于神经元电路设计技术领域，包括分数阶磁通控制的理想忆阻器、分数阶双曲型忆阻器和分数阶阈值忆阻器；分数阶磁通控制的理想忆阻器和分数阶双曲型忆阻器分别引入到二维Hindmarsh‑Rose神经元模型中构建第一三维Hindmarsh‑Rose神经元模型、第二三维Hindmarsh‑Rose神经元模型；将两个三维Hindmarsh‑Rose神经元模型运用分数阶阈值忆阻器进行耦合本发明通过建立两个不同的三维神经元模型，并使用分数阶阈值忆阻器进行耦合，具有丰富的放电行为，有效的反映出了人类大脑神经元的放电行为。
一种耦合 hindmarsh rose 神经元电路

[发明专利]忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM-CN201880000463.4在审
发明人：姚国峰;沈健 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM，该忆阻器的制造方法包括：沉积所述忆阻器的下电极；在沿所述忆阻器的下电极的沉积方向的截面制备所述忆阻器的电阻层；在所述忆阻器的电阻层上制备所述忆阻器的上电极
忆阻器电阻层下电极制备随机存取存储器沉积方向电极沉积制造申请

[发明专利]一种实时可重构通用忆阻器的仿真方法-CN202210826653.X在审
发明人：许波;耿航;白利兵;邹松庭;陈凯 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种实时可重构通用忆阻器的仿真方法，将忆阻器数学模型通过m项多项式进行非线性拟合，其中m与输入信号的幅度和频率及拟合精度有关，这样通过更新多项式的阶次、多项式系数和采样间隔即可简单快速地适配指定的忆阻器模型在此基础上，基于FPGA进行忆阻器实时仿真：计算系统状态变量、忆导值或忆阻值，最后计算出输出信号，然后，对输入信号、输出信号进行处理，以便能清晰显示忆阻器的捏滞迟滞回线。本发明通过改变多项式系数即可实时可重构忆阻器，从而实现实时可重构以适应不同模型忆阻器的发明目的，并且可以仿真高工作频率的忆阻器，同时，采用数字电路进行重构仿真，实验精度得到了提高。
一种实时可重构通用忆阻器仿真方法

[发明专利]忆阻器电压与电流关系的确定方法、装置和终端设备-CN201710993687.7在审
发明人：王晓霞;魏进武 -专利权人：中国联合网络通信集团有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种忆阻器电压与电流关系的确定方法、装置和终端设备，其中，该方法包括根据预设的时间与忆阻器厚度比例之间对应关系，以及流经忆阻器的电流，确定电流从忆阻器的掺杂区域向忆阻器的非掺杂区域移动的速度，其中，忆阻器厚度比例为忆阻器的掺杂区域宽度与忆阻器的非掺杂区域宽度比值；根据速度、以及电流每次流经忆阻器的时间，得到忆阻器的掺杂区域的当前宽度；根据忆阻器的掺杂区域的当前宽度和电流，带确定忆阻器的电压与电流的关系式从而在电流流到了忆阻器的掺杂区边界、或非掺杂区边界的时候，计算得到忆阻器的电压不会发生突变，便于在将忆阻器应用到存储器等器件中的时候，采用忆阻器的电压值去对存储器等进行处理。
忆阻器电压电流关系确定方法装置终端设备

[发明专利]漂移和噪声校正的忆阻器件-CN202180075252.9在审
发明人： G·S·塞耶德;B·克斯廷;A·塞巴斯蒂安 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01C13/00 文献下载
摘要：一种忆阻器存储器器件(100)，包括忆阻式存储器单元(102)、输入端子(104)、输出端子(108)和栅极端子(112)。输入端子(104)和输出端子(108)直接附接到忆阻式存储器单元(102)，并且栅极端子(112)与忆阻式存储器单元(102)电隔离。栅极端子(112)被配置成用于接收用于忆阻式存储器单元(102)的电导的易失性调制的电信号，通过该易失性调制，实现了忆阻器存储器器件(100)的非理想电导调制的校正。
漂移噪声校正器件

[发明专利]一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法-CN201710255065.4有效
发明人：张小红;万丽娟;钟小勇 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：一种基于Chua电路的异构磁控忆阻器模型的电路设计方法，(1)构建两个具有光滑三次非线性特性的异构磁控忆阻器模型；(2)分析(1)异构忆阻Chua系统混沌特性，验证其是否具有忆阻器本质特征；(3)结合(1)两个忆阻器模型，在经典三阶Chua电路上构建一个五阶异构磁控忆阻电路模型；(4)采用Multisim软件对(3)进行电路仿真，并与(2)数值计算进行比较，验证所设计的异构磁控忆阻器模型的正确性及忆阻可靠性本发明通过数值仿真和电路验证，忆阻模型均具有斜“8”字形的类紧磁滞回线的伏安特性曲线，同时验证了新构建的双异构忆阻Chua电路能够产生混沌行为，具有复杂的非线性动力学特性。
一种基于 chua 电路异构磁控忆阻器模型电路设计方法

[发明专利]一种基于WOx-CN202310739403.7有效
发明人：刘雍;熊锐 -专利权人：武汉大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器的制备方法，属于非易失性存储器领域。该模拟忆阻器的制备步骤如下：在衬底上沉积导电薄膜作为模拟忆阻器的下电极；采用溅射工艺在下电极上沉积连续WOx/YOy/base:Sub>x/YOy薄膜层，制备WOx/YOy双异质结构作为模拟忆阻器的介质存储层；介质存储层上沉积导电薄膜作为上电极，得到基于WOx/YOy双异质结结构模拟忆阻器。本发明制备的模拟忆阻器，制备方法可控，易于实现规模化，能实现对导电通道的可控调节，且模拟性能得到有效的提高，在神经网络计算方面具有良好的市场应用前景。
一种基于 wo base sub

[发明专利]一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用-CN201210119083.7有效
发明人：黄如;杨庚雨;叶乐;张耀凯;陈诚;蔡一茂 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-04-20 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于阻变忆阻器的电压保护电路及其应用。本发明的电压保护电路包括：电阻连接至运算放大器的一个输入端；运算放大器的另一输入端接地；阻变忆阻器连接在电阻连接至运算放大器的一端与运算放大器的输出端之间；阻变忆阻器为双极阻变忆阻器；电阻和阻变忆阻器与运算放大器的连接为同相电压保护电路或者为反相电压保护电路本发明利用加在阻变忆阻器两端的电压超过发生阻变的阈值时，阻变忆阻器的阻值变小的特性，通过在电阻与运算放大器的输出端之间连接阻变忆阻器，使得当输入电压变大时，输出电压不会过高，从而以起到保护元件的作用。
一种基于阻变忆阻器电压保护电路及其应用

[发明专利]一种基于FPGA和DAC的实时可重构通用忆阻器仿真方法-CN202210825402.X在审
发明人：耿航;许波;邹松庭;陈凯;颜雁军 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G06F30/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FPGA的实时可重构通用忆阻器仿真方法，将忆阻器数学模型通过m项多项式进行非线性拟合，其中m与输入信号的幅度和频率及拟合精度有关，这样通过更新多项式的阶次、多项式系数和采样间隔即可简单快速地适配指定的忆阻器模型在此基础上，基于FPGA进行忆阻器实时仿真：在计算出系统状态变量、忆导值或忆阻值的基础上计算出输出信号，然后，对输入信号、输出信号进行归一化处理、DAC输入处理以及DAC数模转换，得到对应的模拟信号，最后送入数字示波器以清晰显示忆阻器的捏滞迟滞回线本发明通过改变多项式系数即可实时可重构忆阻器，并且可以仿真高工作频率的忆阻器，同时，采用数字电路进行重构仿真，实验精度得到了提高。
一种基于 fpga dac 实时可重构通用忆阻器仿真方法

[发明专利]一种忆阻反馈型双路单极性偏置可调混沌振荡器-CN202210202222.6在审
发明人：李春彪;李志南;王然;阿基夫·阿克古力;张鑫 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H03K3/84 文献下载
摘要：本发明公开了一种忆阻反馈型双路单极性偏置可调混沌振荡器，包括第一积分支路、第二积分支路、符号函数支路、绝对值函数支路和忆阻器模拟单元支路，输出双路单极性偏置可调的混沌信号。通过第二支路中的可调直流电源供电电压和第一支路中的电容器的初始电压实现忆阻混沌信号的偏置控制以及通路控制，本发明的忆阻混沌振荡器有两个独立的控制旋钮，增加硬件电路调控的灵活性，极大的降低电路调控的难度，便于忆阻混沌振荡器在信号传输检测等应用领域的研究。
一种反馈型双路单极性偏置可调混沌振荡器

[发明专利]一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统-CN202011125139.0有效
发明人：刘立才;杜传红;祝凤侠;吴育辉;蒋宪邦 -专利权人：安顺学院
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统，包括：包括忆阻混沌电路系统、磁控忆阻器；通过所述忆阻混沌电路系统的若干个状态变量与所述磁控忆阻器进行非线性耦合，形成忆阻混沌系统，通过所述忆阻混沌系统产生高维隐藏信号本发明将两个不同种类的忆阻器进行变量耦合，耦合后的系统非线性增强，电路在不同系统参数和系统初值条件下系统暂态过渡行为具有普通存在性，暂态跃迁行为表现出过渡状态数多达5个，系统复杂度和秘钥空间大大提高，有效保证了所产生的隐藏吸引子的准确性；同时，本发明利用分立RLC、运算放大器和模拟乘法器等元器件实现忆阻器功能，有效降低了系统的成本。
一种耦合双忆阻器高维隐藏信号发生系统

[发明专利]基于忆阻器的切换混沌系统及其反馈控制电路-CN202011077732.2有效
发明人：时帅帅;王力;李方义;张仕学;张继燕 -专利权人：贵州工程应用技术学院
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H03K17/967 文献下载
摘要：本发明属于忆阻器混沌系统与一般混沌系统的切换电路实现，并对该切换系统电路进行反馈控制。本发明以三维Rossler混沌系统为基础，通过引入忆阻器构造出四维忆阻器混沌系统，忆阻器的忆导函数项和系统之间通过单刀双掷开关连接，开关连接不同会产生不同的混沌系统，搭建了一个忆阻器混沌系统和普通混沌系统的切换电路，并对该切换混沌系统设计了反馈控制电路，切换系统中各子系统在同一反馈控制器作用下都能达到很好的控制效果，为忆阻器切换混沌系统的应用奠定基础，丰富了混沌切换系统的类型。
基于忆阻器切换混沌系统及其反馈控制电路

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