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[发明专利]一种具有双忆阻器的最简四维自治混沌系统及实现电路-CN201610554588.4有效
发明人：邓玮;刘娜;张培;高卫民;郑晓婉 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种具有双忆阻器的最简四维自治混沌系统，包括电路模型和数学模型，电路模型包括荷控忆阻器、广义压控忆阻器、电感和电容，电感与荷控忆阻器串联连接后与广义压控忆阻器、电容并联连接，同时公开了电路模型的实现电路;数学模型由4个非线性微分方程组成，其中前两个微分方程中分别包含1个广义压控忆阻器和荷控忆阻器，后两个微分方程分别是荷控忆阻器和广义压控忆阻器的内部状态变量。
一种具有双忆阻器最简四维自治混沌系统实现电路

[发明专利]一种独立写入遗忘忆阻桥突触及其权值设置方法、系统-CN202211067911.7在审
发明人：李传东;陈玲;黄军建;黄廷文 -专利权人：西南大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提出了一种独立写入遗忘忆阻桥突触及其权值设置方法、系统。其中，独立写入遗忘忆阻桥突触包括以桥式电路连接的4个遗忘忆阻器，每个遗忘忆阻器分别并联一个用于单独对该遗忘忆阻器的长时记忆电阻、短时记忆电阻设置的信号源。该独立写入遗忘忆阻桥突触的四个遗忘忆阻器具有各自独立的写入信号源，基于电流源的设置可对遗忘忆阻器的长短时记忆电阻进行独立写入，特别适用于小规模的应用。
一种独立写入遗忘忆阻桥突触及其设置方法系统

[发明专利]一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法-CN201910063212.7有效
发明人：李阳;王文晓;岳文静;张春伟 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS2/ZnS界面，其在施加偏压下，硫空位能够容易地从MoS2漂移到ZnS中，形成硫空位导电通道，使器件进入低阻态；当施加相反偏压时，硫空位重新漂移回到MoS2，导电通道断裂，使器件回到高阻态，同时，本发明采用的惰性电极阻止了硫空位进入顶电极，大幅度改善了忆阻器的重复性。
一种二硫化钼硫化锌功能结构忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路-CN201910494237.2有效
发明人：李玉霞;宋庆海;常辉;袁方 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-06-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明公开了一种双局部有源绝对值磁控忆阻器的等效模拟电路，其利用模拟集成运算设计电路实现了该忆阻模型的伏安磁滞特性，属于电路设计技术领域。利用电子器件的集成运算，设计该忆阻器本征动力学运算关系。其中，配置反相比例器，实现输出电压与输入电压的比例运算，并使它们极性相反；利用反相比例加法器，实现多个输入电压的加法运算，使其和作为输出电压且成反相；配置反相积分器，实现对输入电压信号的积分运算；设计乘法电路本发明的电路仿真设计，使其能够代替实物双局部有源绝对值磁控忆阻器实现与此忆阻器相关的非线性电路与系统的设计和实验，探索该忆阻器电气特性及关联系统的动力学，为忆阻器的应用奠定必要的理论与实践研究基础。
一种局部有源绝对值磁控忆阻器等效模拟电路

[发明专利]一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器-CN201510663159.6在审
发明人：包伯成;林毅;徐权;张琴玲;蒋涛 -专利权人：常州大学
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器，包括一阶广义忆阻器M、电容C₁、电容C₂、电感L、电阻R₁、双极性晶体三极管Q。本发明的耦合一阶广义忆阻器实现的四阶忆阻Colpitts混沌信号发生器通过调节电路参数即可产生单涡卷混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象，使其成为了一类新型的混沌信号发生器。其结构简单，稳定性强，具有显著的混沌特性，对于忆阻混沌电路的应用发展起到较大的推进作用。
一种耦合一阶广义忆阻器实现四阶忆阻 colpitts 混沌信号发生器

[发明专利]一种基于超材料的波导式光忆阻器-CN201410850612.X在审
发明人：周济;吴红亚 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超材料的波导式光忆阻器。该光忆阻器，包括光忆阻、波导、传输线和填充介质；其中，所述光忆阻位于所述波导内，所述波导内的剩余空间填充所述填充介质；所述传输线位于所述波导外，且分别与所述波导的两端相连；所述光忆阻的个数至少为一个。该波导式光忆阻器的透射率在电磁场的加载下表现出有高低透射率的变化，并具有记忆效应。该波导式光忆阻器可以用作一种光学元器件，使现有的光路设计更富有功能性，能使光学产品，如矢量网络分析仪等，向功能更丰富的方向发展。
一种基于材料波导式光忆阻器

[发明专利]一种基于双极性晶体管的忆阻器-CN201910466647.6在审
发明人：孙广辉;赵慧慧;徐志伟;徐兆青 -专利权人：南京邮电大学通达学院
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于双极性晶体管的忆阻器，克服了现有采用有源电路芯片、所设计忆阻器模型结构复杂、成本高的缺点，采用全新设计结构，通过两个晶体管、两个二极管、四个电阻及两个电容组成忆阻器，具有结构简单、易实现、成本低、便于电路参数调整的优点，为科研人员研究忆阻器电路的生产和应用提供便利。
忆阻器双极性晶体管电路参数调整二极管模型结构设计结构应用提供电容晶体管源电路电阻电路芯片便利科研生产研究

[发明专利]光子忆阻器及其制造方法-CN202010168188.6在审
发明人：张启明;顾敏;陈希;栾海涛 -专利权人：张启明;顾敏;陈希;栾海涛
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子忆阻器及其制造方法，属于光子学技术领域。本发明的光子忆阻器，包括：基板；光双稳层，形成于基板上表面，光双稳层包括第一二维晶体材料单元和第二二维晶体材料单元，所述第一二维晶体材料单元具有第一还原态，所述第二二维晶体材料具有第二还原态，所述第一还原态不同于所述第二还原态光子忆阻器的光双稳层能以光子为信号载体进行数据传输，相对于以电信号为载体的电子忆阻器而言，提高了数据传输的速度，且功耗低，便于集成应用。
光子忆阻器及其制造方法

[发明专利]忆阻器及其制作方法、阻变式存储器-CN202080047443.X在审
发明人：胡泽望;姚国峰;沈健 -专利权人：深圳市汇顶科技股份有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种忆阻器及其制作方法、阻变式存储器。忆阻器包括依次层叠的底电极、阻变层和顶电极，底电极和顶电极中的至少一者在其平面方向上相对阻变层向内凹陷；其中，底电极和顶电极由金属或者金属化合物制成，阻变层由阻变材料制成。本申请提供的忆阻器可减小阻变层的边缘损伤区域对忆阻器的循环及保持特性的影响，提升阻变式存储器的可靠性。
忆阻器及其制作方法阻变式存储器

[发明专利]一种基于分数阶忆阻器的混沌电路-CN201711421037.1在审
发明人：杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分数阶忆阻器的混沌电路，包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容分数阶电感Lq，所述分数阶电容两端并联有分数阶忆阻器Mq，分数阶电容两端并联负阻G；本发明基于分数阶忆阻器的混沌电路能够准确的模拟真实的广义忆阻器；本发明混沌电路能够进行数值仿真和电路仿真，根据调节参数可产生双涡卷吸引子和单涡卷吸引子，使其成为一种简单的蔡氏混沌电路；分数阶忆阻器无接地限制，且由于为分数阶，更加符合实际，对理论研究和实物研究都具有重要意义，忆阻电路结构简单，易于电路实现。
一种基于分数阶忆阻器混沌电路

[发明专利]基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器-CN201410451930.9有效
发明人：包伯成;林毅;徐权;于晶晶;姜盼 -专利权人：常州大学
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H04L9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L、电阻R1、电阻R2、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M。本发明基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器通过将基于忆阻二极管桥的广义忆阻器电路引入到四阶Colpitts振荡器电路中，通过调节系统参数即可产生多种混沌现象，使其成为了一类新型的混沌信号发生器
基于广义 colpitts 振荡器混沌信号发生器

[发明专利]基于忆阻器阵列的逻辑门电路及全加器实现方法-CN202111569139.4在审
发明人：赵毅;陈辉;刘鹏;武继刚 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于忆阻器阵列的逻辑门电路及全加器实现方法，所述逻辑门电路包括两个连接时钟信号的解码器，两个电压控制器以及由若干忆阻器、字线以及多若干位线构成的忆阻器阵列；本发明能够基于忆阻器阵列实现互补式阻性开关，使用同行的不同忆阻器来组合操作以实现与门、或门、全加器。本发明提供的方案能够减少实现与门、或门、全加器的操作步骤和忆阻器数量开销，降低整体的能耗。
基于忆阻器阵列逻辑门电路全加器实现方法

[发明专利]一种双极性双稳态忆阻器及其制备方法-CN201810122783.9有效
发明人：姜超;余延涛;黄小忠;王春齐;岳建岭;杜作娟;蒋礼 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明的目的是公开一种双极性双稳态忆阻器，其包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成。本发明的阻态转变层是由二氧化钛纳米线和二氧化钛薄膜构成，二氧化钛纳米线具有高密度特性，制备成为忆阻器，可实现忆阻器的高密度存储，提高忆阻器的响应速度，降低忆阻器的功耗；在二氧化钛纳米线涂布一层二氧化钛薄膜，可避免纳米线参差不齐，与金属上电极接触不充分而引起的漏电流，从而提高忆阻器稳定性。
忆阻器二氧化钛纳米线二氧化钛薄膜阻态转变双极性双稳态电极制备二氧化钛纳米线阵列高密度存储金属上电极纳米线阵列密度特性漏电流纳米线下电极功耗响应

[发明专利]一种基于分数阶电感的二极管桥广义分数阶忆阻器-CN201910401855.8有效
发明人：吴朝俊;刘璋;闫开;杨宁宁 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于分数阶电感的二极管桥广义分数阶忆阻器，包括二极管桥式电路，所述二极管桥式电路的两端还并联有分数阶电感本发明一种基于分数阶电感的二极管桥广义分数阶忆阻器，本发明这种由分数阶电感和二极管桥式电路构成的分数阶忆阻器能够真实准确的模拟真实广义忆阻器；该忆阻器将广义忆阻中的整数阶电感L扩展为分数阶；分数阶忆阻器无接地限制，且由于为分数阶，更加符合实际，对理论研究和实物研究都具有重要意义
一种基于分数电感二极管广义阶忆阻器

[发明专利]忆阻器、制备忆阻器的方法和人工突触器件-CN202211434875.3在审
发明人：于萍;熊天逸;毛兰群;马文杰 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了忆阻器、制备忆阻器的方法和人工突触器件，所述忆阻器包括玻璃锥体和位于所述玻璃锥体内壁上的聚电解质结构；所述玻璃锥体具有相对设置的第一端开口和第二端开口，所述第一端开口的直径小于所述第二端开口的直径由此，本发明的忆阻器具有皮焦耳级的低功耗、较低的工作电位和高效能。本发明的忆阻器在施加脉冲电位刺激时，可以产生类似神经元突触的双脉冲易化和双脉冲抑制效应，同时由于离子效应的存在，可实现对体系可塑性能力的有效调控。此外，本发明的忆阻器还具有优异的稳定性和可设计性等优点。
忆阻器制备方法人工突触器件