“射频磁控溅射法”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果163475个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法-CN201711330312.9在审
发明人：孙桂红;黄乐;陈立;凌云;黄夏;祝海生;黄国兴 -专利权人：湘潭宏大真空技术股份有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其中，所述磁控溅射法包括在基材上依次磁控溅射Mo层、高温蒸镀CIGS层，并化学气相沉积法制备AZO层，其中化学气相沉积法的反应温度为400～600℃，反应本发明采用磁控溅射与高温蒸镀结合的方法制备CIGS薄膜，制备的CIGS薄膜在电镜下观察薄膜晶体呈规则的柱状生长，晶粒大小均一，光学性能良好，界面清晰，本方法对制备环境的要求低，无需高压或催化剂，物相和形貌可控性好
制备磁控溅射法化学气相沉积磁控溅射高温蒸薄膜晶体保护气体反应气压光学性能形貌可控晶粒掺杂剂前驱物基材均一铝源锌源柱状催化剂氧气清晰生长观察

[发明专利]利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法-CN201210308708.4有效
发明人：李文英;钟建;张小秋;尹桂林;张柯;姜来新;余震;何丹农 -专利权人：上海交通大学;上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2012-08-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种利用磁控溅射对原子力显微镜探针进行金膜修饰的方法，该方法利用磁控溅射法，室温下在清洗干净的原子力显微镜探针（硅或氮化硅）上依次沉积Cr膜和Au膜；通过改变溅射时间改变Cr膜和Au膜的厚度，由于磁控溅射法具有设备简单、成膜均匀、沉积速度快、可用于大面积制膜等优点，该制备方法可在工业化生产中的得到广泛应用。
利用磁控溅射原子显微镜探针进行修饰方法

[发明专利]磁控溅射制备导电薄膜的方法-CN201410039632.9有效
发明人：郑芳平;张迅;易伟华 -专利权人：江西沃格光电股份有限公司
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射制备导电薄膜的方法。该方法包括提供基板，将所述基板放入磁控溅射腔室中；提供阴极和靶材，将所述阴极和靶材放入所述磁控溅射腔室中；以及在电源的作用下，同时采用直流磁控溅射和射频磁控溅射在所述基板上溅射制备导电薄膜的步骤。这种方法同时采用溅射直流溅射镀膜和射频溅射在基板上溅射镀膜。经实验表明，该方法能够在较低的电压下镀膜，能够避免直流磁控溅射镀膜存在的电阻率高和透射率低的问题。
磁控溅射制备导电薄膜方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510107041.5有效
发明人：任明冲;杨荣;王进;张林;代玲玲;谷士斌;孟原;李立伟;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，用以减少溅射沉积透明导电氧化物薄膜层时对非晶硅薄膜的轰击力，提高异质结太阳能电池的开路电压和短路电流密度，提高生产效率。其中异质结太阳能电池的制备方法，包括在第一导电类型非晶硅层和第二导电类型非晶硅层上分别采用第一溅射法形成第一透明导电氧化物薄膜层，第一溅射法中溅射粒子的能量低于直流磁控溅射法中溅射粒子的能量；在每层第一透明导电氧化物薄膜层上采用第二溅射法形成第二透明导电氧化物薄膜层，第二溅射法中溅射粒子的能量高于第一溅射法中溅射粒子的能量。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种Ag掺杂Mg₂Si基热电薄膜及其制备方法-CN201510704558.2在审
发明人：温翠莲;陈志坚;周白杨;詹晓章;黄小桂;熊锐;林逵 -专利权人：福州大学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：采用磁控溅射沉积法在绝缘衬底上进行双靶循环溅射，其中，一靶位放Mg₂Si靶，电源选用射频电源；另一靶位放Ag单质靶，电源选用直流电源；先镀一层Mg₂Si，接着镀Ag层，再镀一层Mg₂Si，以此为一周期；按此周期循环溅射多次，制备得到具有叠层结构的薄膜；最后采用真空退火获得Ag掺杂Mg₂Si基热电薄膜。本发明的磁控溅射法制备工艺具有膜层与衬底结合力强、膜层均匀致密且工艺简单、成本低等优势，可在制备热电薄膜的生产上推广使用。
一种 ag 掺杂 mg sub si 热电薄膜及其制备方法

[发明专利]涂覆类石墨薄膜的电池集流体及其制备方法、制备的极片-CN201911225327.8在审
发明人：周升国;党蕊;马利秋 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01M4/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种涂覆类石墨薄膜的电池集流体及其制备方法、制备的极片，对金属箔集流体表面预处理去除其表面杂质后，采用氩等离子体溅射清洗金属箔集流体表面，然后采用磁控溅射法在金属箔集流体表面涂覆类石墨薄膜，类石墨薄膜厚度约为2.0μm，氩等离子体溅射清洗金属箔集流体表面和磁控溅射法在金属箔集流体表面涂覆类石墨薄膜时，预抽真空到1.0×10
集流体表面石墨薄膜金属箔涂覆集流体磁控溅射法氩等离子体溅射清洗极片制备电池预处理表面杂质活性物质基底偏压溅射功率阳极浆料预抽真空氩气气体强度差靶基烘干溅射气压去除

[发明专利]一种制备六角螺旋形貌碲化铋热电薄膜的方法-CN201610829115.0有效
发明人：商红静;丁发柱;古宏伟;张慧亮;董泽斌;屈飞;张贺 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种制备六角螺旋形貌碲化铋热电薄膜的方法，采用磁控溅射法制备碲化铋热电薄膜。首先清洗磁控溅射设备腔体，再安装碲化铋(Bi2Te3)合金靶以及碲(Te)单质靶，然后把清洗过的石英玻璃衬底固定在基底上；调整碲化铋合金靶与石英玻璃衬底之间的距离为100mm～120mm，调整碲单质靶与石英玻璃衬底之间的距离为130mm～140mm，抽真空至5×10‑4Pa～7.5×10‑4Pa；再对石英玻璃衬底加热至300℃～400℃，通入氩气(Ar)，在工作气压为0.3Pa～0.5Pa的条件分别打开直流源和射频源，设置直流源功率为18W，射频源功率为18W～20W，然后通过共溅射开始镀膜；最后将溅射的薄膜在250℃～350℃下退火处理，形成具有六角螺旋形貌的碲化铋热电薄膜。
一种制备六角螺旋形貌碲化铋热电薄膜方法

[发明专利]基于ZnO/Al核壳纳米线的等离激元激光器及其制备方法-CN202011361347.0有效
发明人：徐春祥;王茹;石增良;邱腾 -专利权人：东南大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于ZnO/Al核壳纳米线的等离激元激光器及其制备方法，等离激元激光器包括单根ZnO纳米线、Al壳层膜；制备方法包括如下步骤：在Si衬底上用气相沉积法生长ZnO纳米线阵列；用射频磁控溅射法在ZnO纳米线阵列上溅射Al壳层膜；将ZnO/Al纳米阵列放置在无水乙醇中进行超声，取超声后的溶液滴加在干净的石英片上进行烘干，便形成分散性好的等离激元激光器。本发明通过简单的气相沉积方法和射频磁控溅射方法，优化溅射时间，可在ZnO纳米线阵列上生长不同厚度、表面光滑均一的Al壳层膜，制备的ZnO/Al核壳纳米，在325nm飞秒激光器泵浦下，可以在突破衍射极限的条件下
基于 zno al 纳米离激元激光器及其制备方法

[发明专利]一种吸收环境中太赫兹波的材料的制备方法-CN202010994560.9有效
发明人：吕德斌;祝凯乾;刘连茹;张玉良;陆斌;蔡东;孙宏念;张士海 -专利权人：天元航材（营口）科技股份有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明提供一种吸收环境中太赫兹波的材料的制备方法，主要先制备高纯六方氮化硼粉料，再热压合成六方氮化硼靶材，采用射频磁控溅射法沉积表面平整度高、结晶性良好、以层状模式生长的连续大面积的高纯六方氮化硼薄膜，此外，采用射频磁控溅射法沉积高纯六方氮化硼薄膜，其操作简单、可大量制备、沉积膜层的可控性强，降低了材料成本。
一种吸收环境赫兹材料制备方法

[发明专利]一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法-CN201110331789.5无效
发明人：陈希明;孙连婕;薛玉明;郭燕;阴聚乾;张倩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成；其制备方法是：1）采用直流磁控溅射法在纳米CVD金刚石衬底表面沉积纳米Al膜；2）采用射频磁控溅射法在纳米Al膜表面沉积纳米立方氮化硼c-BN薄膜；3）在纳米立方氮化硼c-BN薄膜表面制备叉指换能器IDT。
一种立方氮化压电薄膜表面波器件及其制备方法

[发明专利]一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法-CN201610033268.4有效
发明人：巩海波;黄涛;张永兴;张永杰;向朝玉;吴芳 -专利权人：新疆中兴能源有限公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种光解水用大面积钒酸铋薄膜的简易制备方法，采用射频磁控溅射法生长钒酸铋薄膜，包括如下步骤：S1，将氧化钒和氧化铋的混合粉末压制成靶材胚体，再将靶材胚体置于800-900℃烧结，得到靶材；S2，以导电玻璃为衬底，在氩气和氧气的混合气氛或纯氩气气氛下进行射频磁控溅射生长薄膜；S3，将生长的薄膜置于空气中退火，退火温度为500-600℃。
一种光解大面积钒酸铋薄膜简易制备方法

[发明专利]用射频磁控溅射法在金属托槽表面附着掺氮TiO_2-xN_x薄膜的方法-CN201110192472.8无效
发明人：曹宝成;王育华;李娜;张颖杰;张旭 -专利权人：曹宝成
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种用射频磁控溅射法在金属托槽表面附着掺氮TiO2-xNx薄膜的方法。其步骤是先将金属托槽用40g/LNaOH、25g/LNaCO3、50g/LNa3PO4·12H2O和7.5g/LNa2SO3配制而成的混合液清洗，然后把托槽放入盛有丙酮溶液的烧杯中；利用TiO2光催化抗菌性能，通过采用射频磁控溅射制备掺氮
射频磁控溅射金属表面附着 tio sub 薄膜方法

[发明专利]一种低残余应力的铜薄膜制备方法-CN201210384082.5无效
发明人：唐武;王学慧 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：该方法应用在磁控溅射镀膜设备上，采用射频进行磁控溅射以制备铜薄膜，所述磁控溅射镀膜设备具有磁控溅射腔室，在所述磁控溅射腔室中设有磁控溅射靶；具体包括以下步骤：a.对基片进行预处理；b.将经过预处理后的基片放置在磁控溅射腔室内；c.对磁控溅射腔室进行抽真空；d.向磁控溅射腔室内通入高纯氩气；e.调节射频溅射功率和气压，对磁控溅射靶进行溅射，在基片上形成铜薄膜；f.在磁控溅射腔室冷却后，取出铜薄膜样品，进行残余应力测试。
一种残余应力薄膜制备方法

[发明专利]高速钢丝锥表面涂层制备方法-CN201710304392.4有效
发明人：赵海波;刘亚;鲜广;梁红樱;但秦 -专利权人：成都真锐科技涂层技术有限公司;成都天科精密制造有限责任公司;四川大学
申请日： 2017-05-03 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速钢丝锥表面涂层制备方法，属于纳米涂层技术领域，该方法在镀膜时，采用了阴极电弧法与磁控溅射法相结合的方式；在N₂气氛下，用阴极电弧法蒸发Ti元素，同时用磁控溅射法溅射
高速钢丝锥磁控溅射法阴极电弧法表面涂层制备纳米涂层技术避免污染综合性能表面镀镀膜溅射生产成本蒸发

[发明专利]控制磁控溅射设备镀膜的方法-CN202211706326.7在审
发明人：杨骥;鲍少娟;黄金;师海峰;冀杨洲;高英杰;杨泽奇;潘国鑫;杨文亮;任法渊;李莎;张娟;吕霞 -专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制磁控溅射设备镀膜的方法，属于磁控溅射镀膜技术领域。包括：将全新的靶材安装在磁控溅射设备的靶位上，确保靶材表面和接缝洁净、无破损；建立磁控溅射设备的真空环境，并开启加热；向磁控溅射设备中通入Ar和O2；开启磁控溅射设备的射频电源，并开启射频电源的脉冲调制模式，设定脉冲频率为5KHz，脉冲占空比为85％，并将磁控溅射设备的设定功率调整为磁控溅射设备常规功率的117％；开启磁控溅射设备并调整其传输速度后，开始进行硅片镀膜。
控制磁控溅射设备镀膜方法