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[发明专利]一种多层膜结构的声表面波器件及其制备方法-CN201310025135.9无效
发明人：陈希明;李福龙;薛玉明;朱宇清;张倩;阴聚乾;郭燕;孙连婕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种多层膜结构的声表面波器件，由CVD金刚石薄膜、a轴择优取向的氮化铝（a-AlN）薄膜、c轴择优取向的氮化硼（c-BN）薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加组成金刚石-复合膜结构，所述CVD金刚石薄膜的厚度为20-25um，a-AlN薄膜厚度为300-500nm，c-BN薄膜的厚度为300-500nm，IDT为厚度100nm的Al膜。本发明的优点是：该多层膜结构的声表面波器件同时具备以下优点，即金刚石的高硬度、高声速，a-AlN的高声速能有效缓解金刚石与c-BN因声速差距大带来的声速频散效应以及c-BN的高机电耦合系数，可用于制备高频、高声速、大功率、高机电耦合系数的SAW器件。
一种多层膜结构表面波器件及其制备方法

[发明专利]一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法-CN201310024925.5无效
发明人：陈希明;李福龙;薛玉明;朱宇清;张倩;阴聚乾;郭燕;孙连婕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2013-01-23 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种择优取向的AlN压电薄膜，由CVD金刚石衬底和a轴择优取向AlN薄膜叠加组成，CVD金刚石衬底厚度为20-25um、表面粗糙度低于5nm，a轴择优取向AlN薄膜厚度为60-80nm；其制备方法是：将清洗后的CVD金刚石衬底送入射频磁控溅射室中抽真空中进行N2处理，在衬底表面沉积a轴择优取向AlN薄膜，然后进行原位N2退火处理，重复交替进行沉积和退火处理直至a轴择优取向AlN薄膜厚度达到300-500nm为止。本发明的优点是：该择优取向的AlN压电薄膜用于制备高频、大功率、高机电耦合系数的SAW器件，产品可靠性强、成品率高且成本低；其制备方法工艺简单、易于实施，有利于大规模推广应用。
一种择优取向 aln 压电薄膜及其制备方法

[发明专利]一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法-CN201210062507.0无效
发明人：陈希明;张倩;阴聚乾;朱宇清;李福龙;郭燕;孙连婕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构，其制备方法是：将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中，以石墨、铝为靶材，沉积类金刚石/铝薄膜；然后以氧化锌为靶材，采用射频磁控溅射工艺，在Al膜表面沉积氧化锌薄膜。本发明的优点是：制备工艺简单易行，成本低廉；所制备的类金刚石薄膜表面光滑平整，可大大降低声波在传输过程中的损耗，沉积的Al薄膜大大提高了氧化锌薄膜的机电耦合系数，氧化锌薄膜结晶度高，c-轴取向高，该ZnO/Al/DLC复合薄膜结构可用于制作高性能，高频和大功率器件。
一种用于表面波器件氧化锌压电薄膜及其制备方法

[发明专利]基于AlN双晶向压电薄膜的声表面波器件及其制作方法-CN201210064272.9无效
发明人：陈希明;阴聚乾 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加构成，形成IDT/c-AlN/a-AlN/金刚石多层膜结构；其制备方法是：1）采用微波等离子体化学气相淀积（MPCVD）方法制备纳米金刚石衬底；2）采用射频溅射法制备AlN压电薄膜；3）采用电子束蒸发法制备叉指换能器IDT。本发明的优点是：该高频声表面波器件频率高、机电耦合系数高，能满足高频率和大功率移动通信的要求；该制备方法所用设备简单、工艺条件方便易行，有利于大规模的推广应用，具有重大的生产实践意义。
基于 aln 双晶压电薄膜表面波器件及其制作方法

[发明专利]一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜及制备方法-CN201210061500.7无效
发明人：陈希明;张倩;阴聚乾;朱宇清;李福龙;郭燕;孙连婕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种用于声表面波器件的六方氮化硼压电薄膜，为h-BN/Al/金刚石复合膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和纳米六方氮化硼h-BN膜依次叠加组成，其制备方法是采用MOCVD沉积系统制备，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体清洗，然后用直流磁控溅射法制备纳米Al膜，最后在纳米Al膜表面用射频磁控溅射法制备纳米六方氮化硼h-BN膜。本发明的优点是：该压电薄膜可制备高频、大功率、高机电耦合系数、低传播损耗且频率温度特性好的SAW器件，其频率大于4.8GHz、功率大于8w；该压电薄膜的制备工艺简单、通用性强、易于实施，有利于大规模推广应用，以满足高频率和/或大功率移动通信的需求。
一种用于表面波器件氮化压电薄膜制备方法

[发明专利]一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件及其制备方法-CN201110331789.5无效
发明人：陈希明;孙连婕;薛玉明;郭燕;阴聚乾;张倩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种立方氮化硼压电薄膜声表面波器件，为IDT/c-BN/Al/金刚石多层膜结构，由金刚石衬底、中间层纳米铝膜和在纳米铝膜表面形成的一层纳米立方氮化硼c-BN压电薄膜组成；其制备方法是：1）采用直流磁控溅射法在纳米CVD金刚石衬底表面沉积纳米Al膜；2）采用射频磁控溅射法在纳米Al膜表面沉积纳米立方氮化硼c-BN薄膜；3）在纳米立方氮化硼c-BN薄膜表面制备叉指换能器IDT。该声表面波器件可满足高频(4.8GHz以上)、高机电耦合系数、大功率(8w以上)、低传播损耗、低频率温度系数的声表面波(SAW)器件等领域的应用要求，且制备工艺简单、易于实施、利于推广。
一种立方氮化压电薄膜表面波器件及其制备方法

[发明专利]一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件及制备方法-CN201110331314.6无效
发明人：陈希明;郭燕;薛玉明;孙连婕;阴聚乾;张倩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件，以a-轴择优取向的AlN薄膜作为CVD金刚石衬底和c-轴择优取向ZnO薄膜之间的中间层，形成IDT/ZnO/a-轴择优取向AlN/金刚石多层膜结构并与叉指换能器IDT依次叠加构成高频声表面波器件；其制备方法是在纳米金刚石上制备以a-轴择优取向的AlN膜中间层，再在a-轴择优取向的AlN膜中间层上制备c-轴择优取向的ZnO膜。本发明的优点：通过引入a轴择优取向的AlN膜中间层，解决纳米金刚石与ZnO之间由于声速差距大而引起的声速频散，可满足高频（4.8GHz）以上声表面波的应用需求，且工艺简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种 aln 薄膜中间层高频表面波器件制备方法

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