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[发明专利]采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法-CN201410012303.5有效
发明人：张振中;申德振;武晓杰;王双鹏;姜明明;李炳辉 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法，属于磁控溅射法制备薄膜技术领域。解决了现有技术中采用金属靶制备金属氧化物薄膜的制备成本高、溅射不均匀，采用氧化物陶瓷靶制备氧化物薄膜时，沉积速率低的技术问题。本发明采用射频磁控溅射设备溅射难溅射的氧化物陶瓷靶，采用以氩气为主要溅射气体，以氢气或者氢气和氧气一起作为辅助溅射气体，通过选择合适的气体比例、溅射功率、磁控溅射室压力等参数，通过氢气的还原作用对氧化物陶瓷靶表面还原，提高溅射效率，结合后期退火处理，沉积高质量氧化物薄膜。
采用氧化物陶瓷磁控溅射制备薄膜方法

[发明专利]双靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法-CN201010616147.5无效
发明人：卢靖;黄剑锋;曹丽云;吴建鹏;赵东辉 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：双靶磁控溅射法制备钛酸钴薄膜的方法，分别将TiO2和Co2O3造粒、预烧制备TiO2靶材和Co2O3靶材，再将其分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中；将基片放入丙酮、乙醇混合溶液中再超声清洗备用；将处理后的基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，对镀膜室和样品室内抽真空，设置基片加热温度为100℃-600℃，镀膜室通入Ar气对基片表面进行反溅清洗；反溅清洗完毕后，施加射频溅射功率启辉开始向基片镀膜；镀膜完成后，待镀膜室内温度降至室温时，关闭真空系统和总电源本发明分别采用钛和钴的氧化物制作两个靶材，在基片加热条件下射频磁控溅射一步合成出CoTiO3薄膜。这种方法原料易得，反应效率高，且薄膜的附着力强，耐久性和稳定性高。
磁控溅射法制备钛酸钴薄膜方法

[发明专利]一种Cu4-CN202310516927.X在审
发明人：沈永龙;楚旭柯;张辰晗;李珍珍;邵国胜 -专利权人：郑州大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明的制备方法，包括以下步骤：以铜靶作为金属靶材，以O2作为反应气体进行射频反应磁控溅射在基底上沉积铜氧化物薄膜；射频反应磁控溅射过程中，控制靶材工作面对应的射频功率为本发明的制备方法，采用射频反应磁控溅射法通过对氧气流量以及射频功率的优选在较窄的氧气流量和射频功率窗口内制得了光电性能优异的窄带隙吸光材料‑Cu4O
一种 cu base sub

[发明专利]一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法-CN201811535506.7在审
发明人：尹荔松;向成承;周克省;蓝键;马思琪;涂驰周 -专利权人：五邑大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法，该直流磁控溅射法制备光电催化氧化钛电极的方法采用直流磁控溅射方法制备了氧化钛薄膜电极，把磁控原理与溅射相结合，既保持了溅射的优点，又克服了溅射的缺点，具有其独特的优越性；还可以大大降低基片温度，提高了沉积率，溅射速率高，也解决了薄膜被污染的问题。
光电催化氧化直流磁控溅射钛电极溅射氧化钛薄膜电极采用直流磁控溅射磁控原理沉积率制备薄膜污染

[发明专利]一种降低生物医用镁合金表面涂层残余应力的方法-CN201410431851.1有效
发明人：谈淑咏;章晓波;王章忠;巴志新;毛向阳 -专利权人：南京工程学院
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低生物医用镁合金表面涂层残余应力的方法，即以生物医用镁合金为基底，以高纯钛为靶材，首先通过射频磁控溅射技术在生物医用镁合金表面沉积Ti层作为过渡层，再采用直流磁控溅射方法在Ti过渡层表面沉积本发明在新型生物医用镁合金表面成功制备TiN涂层，在所述工艺条件下，通过射频‑直流交替磁控溅射法降低TiN涂层残余应力，使得涂层与基底结合较好，涂层表面完整、连续、光滑，涂层厚度可通过沉积时间和氮流量比进行协调控制
一种降低生物医用镁合金表面涂层残余应力方法

[发明专利]一种运用一步溅射法制备铜铟镓硒太阳电池的方法-CN201810190172.8在审
发明人：李海敏;王秦涛;庄稼;马柱;淮明哲;张骞 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种运用一步磁控溅射法制备铜铟镓硒太阳电池的方法。以钠钙玻璃为基片，依次采用Mo/CIGS/CdS/i‑ZnO:Al/Ni:Al靶材，通过使用直流溅射和射频溅射(Mo靶采用直流溅射；CIGS/CdS/i‑ZnO/ZnO:Al依次采用射频溅射；Ni:Al采用直流溅射)制备出薄膜厚度在1～2um左右的CIGS太阳电池。通过调节溅射过程中的各项参数来实现各元素的含量控制，可得到转换效率最高达5.77％的CIGS太阳电池。此发明提供的一步磁控溅射法不同于传统的四元共蒸和溅射+后硒化法，因此不需要使用有毒的硒化氢气体运用后硒化法制备CIGS吸收层，而是直接采用富硒的CIGS靶材制备吸收层，大大降低了制备成本，使得生产过程更加操作简单
溅射制备铜铟镓硒太阳电池采用直流射频溅射吸收层硒化磁控溅射法商业化生产商业化应用硒化氢气体磁控溅射含量控制绿色环保钠钙玻璃生产过程生产效率直流溅射转换效率传统的靶材富硒薄膜

[发明专利]一种BaCeO₃体系高温质子导体薄膜的制备方法-CN200810207365.6无效
发明人：何亮 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2008-12-19 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：一种射频溅射法制备BaCeO₃体系高温质子导体薄膜的方法，属于薄膜制备及应用技术领域。本发明采用磁控溅射法制备BaCe_1-XY_XO_3-α高温质子导体薄膜。将制备粉体烧结制得符合溅射仪要求的陶瓷靶材。采用射频溅射法，用多孔材料为基体，溅射制备得到BaCe_1-XY_XO_3-α高温质子导体薄膜。本发明的创新点在于采用射频溅射法制备BaCe_1-XY_XO_3-α高温质子导体薄膜，该方法能直接溅射制备得到BaCe_1-X
一种 baceo sub 体系高温质子导体薄膜制备方法

[发明专利]射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法-CN200510043960.7无效
发明人：韩圣浩;吕茂水;叶丽娜;庞智勇;修显武 -专利权人：山东大学
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种射频磁控溅射法制备ZnO∶Zr透明导电薄膜的方法，属于电子材料技术领域。首先将纯度均为99.99WT％的ZnO和ZrO₂粉末按重量比99∶1－90∶10充分混合，压制成型后，在空气中1250℃－1350℃下烧制成ZnO∶Zr靶材；然后将靶材和清洗过的基片送入射频磁控溅射仪，溅射制备ZnO∶Zr透明导电薄膜，溅射仪基础真空为5.0×10^－4Pa，溅射气体为氩气。
射频磁控溅射法制 zno zr 透明导电薄膜方法

[发明专利]一种光电性能优异的多元非晶金属氧化物半导体薄膜的制备方法-CN201811248168.9在审
发明人：冯先进;徐伟东 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电性能优异的多元非晶金属氧化物半导体薄膜的制备方法，包括：(1)清洗衬底；(2)使用射频磁控溅射法在衬底上生长非晶IAZO薄膜，即得。本发明使用射频磁控溅射法在室温下生长IAZO薄膜，通过探索和优化制备及热退火工艺参数，制备出了表面平整、光电性能优异的高质量非晶IAZO薄膜。本发明制备方法工艺先进，数据翔实，重复性和可操作性强。
制备薄膜光电性能氧化物半导体薄膜射频磁控溅射法非晶金属衬底非晶载流子制备方法工艺霍尔迁移率表面平整电学性质高可见光生长粗糙度电阻率宽带隙热退火透过率清洗平整应用优化探索

[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法-CN201210464942.6在审
发明人：李微 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法，其特点是：包括以下制备步骤：⑴采用CuIn1-XGaXSe2化合物靶材，通过射频磁控溅射法，在衬底的底电极上制备CuIn1-XGaXSe2层；⑵对⑴中制有本发明由于采用了射频磁控溅射法和热处理过程在衬底的底电极上制备吸收层，即提高了吸收层的结晶度，晶粒达到微米级，提高了吸收层的性能，从而能够有效提高薄膜太阳电池的性能，并且大大简化了工艺过程，工艺重复性好
铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收制备方法

[发明专利]一种氧化锌—一氧化铅复合抗菌薄膜制备方法-CN202210512460.7在审
发明人：王志博;苏晓欣;宋忠孝;骆瑜;张冉 -专利权人：王志博
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：制备方法包括以下步骤：1)通过射频反应磁控溅射法在经过抛光处理的Si基片上沉积PdO膜层；2)通过射频反应磁控溅射法在沉积有PdO膜层的Si基片上沉积ZnO籽晶层；3)通过低温水浴法在ZnO籽晶层上按照电子发射方向生长
一种氧化锌一氧化铅复合抗菌薄膜制备方法

[发明专利]一种ZnO/PdO复合表面传导电子发射膜及其制备方法-CN201810069692.3有效
发明人：李雁淮;高磊雯;李晓华 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：制备方法包括以下步骤：1)通过射频反应磁控溅射法在经过抛光处理的Si基片上沉积PdO膜层；2)通过射频反应磁控溅射法在沉积有PdO膜层的Si基片上沉积ZnO籽晶层；3)通过低温水浴法在ZnO籽晶层上按照电子发射方向生长
一种 zno pdo 复合表面传导电子发射及其制备方法

[发明专利]一种负热膨胀材料Sc2W3O12薄膜的制备方法-CN201510632802.9有效
发明人：张志萍;刘红飞;杨露;潘坤旻;曾祥华;陈小兵 -专利权人：扬州大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：属于无机功能薄膜材料制备技术领域，其特征在于采用固相法制备了Sc2W3O12陶瓷靶材，利用制备的Sc2W3O12陶瓷靶材以射频磁控溅射法沉积制备薄膜，在900‑1100℃温度下热处理后制备负热膨胀Sc2W3O12本发明的优点在于利用射频磁控溅射法制备Sc2W3O12薄膜的负热膨胀响应温度范围宽，负热膨胀性能稳定，薄膜质量好，且制备温度低、无需淬火、热处理工艺简单，制备过程具有良好的可重复性，易于实现工业化。
一种热膨胀材料 sc sub 12 薄膜制备方法

[发明专利]一种NiZn铁氧体薄膜的制备方法-CN201910202780.0有效
发明人：孙科;闫妍;郭荣迪;余忠;蒋晓娜;兰中文;邬传健 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：该方法首先采用旋转喷涂法在玻璃基片上制备NiZn铁氧体种子层，然后再采用射频磁控溅射法在种子层上沉积NiZn铁氧体薄膜。本发明方法制备的NiZn铁氧体薄膜无需经过后续高温退火处理，解决了铁氧体薄膜在后续器件应用中与半导体工艺不兼容的问题；同时，旋转喷涂法制得的NiZn种子层的引入，在低温条件下使射频磁控溅射法制备的NiZn
一种 nizn 铁氧体薄膜制备方法

[发明专利]阻隔层及其磁控溅射制备方法、固体氧化物燃料电池-CN202210860769.5在审
发明人：周莉骅;王贺武;欧阳明高 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M8/0202 文献下载
摘要：本发明涉及一种阻隔层及其磁控溅射制备方法、燃料电池。所述阻隔层的磁控溅射制备方法，包括如下步骤：采用磁控溅射法在预制件的表面溅射形成阻隔层；所述磁控溅射法的条件包括：溅射功率为50W～100W，溅射时间为60min～180min。上述阻隔层的磁控溅射制备方法，利用磁控溅射的方法进行燃料电池中阻隔层的制备，配合合适的溅射功率，能够制备得到致密的阻隔层，防护效果好，可有效阻挡电子通过、阻挡燃料电池中有害元素在电极和电解质层之间的迁移和扩散
阻隔及其磁控溅射制备方法固体氧化物燃料电池