专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]导体装置及其制造方法-CN201610694439.8有效
  • 前田竹识;福田昌利;松岛良二;青木秀夫 - 东芝存储器株式会社
  • 2016-08-19 - 2019-11-05 - H01L23/488
  • 提供能够容易地获得稳定的连接的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括:布线基板、第1半导体元件、第2半导体元件、凸块、粘接和树脂。第2半导体元件设置在布线基板与第1半导体元件之间。凸块设置在第1、第2半导体元件之间,将第1、第2半导体元件电连接。粘接具有第1弹性模量,设置在第1、第2半导体元件之间而将第1、第2半导体元件粘接。树脂具有比第1弹性模量高的第2弹性模量。树脂的第1分设置在第1、第2半导体元件之间。在树脂的第2分与布线基板之间,配置第1、第2半导体元件。树脂的第3分在与从布线基板朝向第1半导体元件的第1方向交叉的第2方向上与第1、第2半导体元件重叠。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]导体模组-CN201980096307.7有效
  • 田中淳二 - 株式会社电装
  • 2019-11-11 - 2023-08-15 - H01L23/29
  • 导体模组具备半导体元件和将半导体元件封固的封固体。半导体元件具备:半导体衬底;保护膜,设在半导体衬底的表面上并且沿着半导体衬底的外周缘以框状延伸;金属膜,设在半导体衬底的表面上并且至少一分位于半导体衬底与保护膜之间;以及伪金属膜,设在半导体衬底的表面上并且位于金属膜与保护膜的外周缘之间在半导体衬底的表面设有容纳伪金属膜的一分的凹。保护膜设有与半导体衬底的凹对置并且容纳伪金属膜的一分的凹或孔。即,伪金属膜设于半导体衬底的凹和保护膜的凹或孔。
  • 半导体模组
  • [发明专利]导体装置-CN201910022277.7有效
  • 加藤浩朗 - 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
  • 2019-01-10 - 2023-09-19 - H01L29/78
  • 一实施方式的半导体装置具备第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、栅电极、及第2电极。第1半导体区域设置于第1电极上。上述第2半导体区域设置于第1半导体区域上。第3半导体区域设置于第2半导体区域的一分上。栅电极具有第1分及第2分。第1分在与从第1电极朝向第1半导体区域的第1方向垂直的第2方向上,隔着栅绝缘而与第1半导体区域的一分、第2半导体区域、及第3半导体区域相对。第2分在与第1方向及第2方向垂直的第3方向上,与第1分并列。第2分在第2方向上隔着栅绝缘而与第2半导体区域相对。第2分的下端处于比第1半导体区域和第2半导体区域的交界面更上方的位置。
  • 半导体装置
  • [发明专利]一体式高压控制器件-CN202310011246.8在审
  • 张燕;沈忠辉 - 上海鑫悉科技有限公司
  • 2023-01-05 - 2023-03-14 - B60L3/00
  • 本发明涉及电池控制技术领域,公开了一体式高压控制器件,包括两个相对间隔布置的负极静导体、两个相对间隔布置的正极静导体、两个相对间隔布置的预充静导体、绝缘动导柱、套设在绝缘动导柱上的负极动导体、套设在绝缘动导柱上的正极动导体以及套设在绝缘动导柱上的预充动导体;两个负极静导体的一个用于连接电源的负极,另一个负极静导体用于连接用电器件;两个正极静导体的其中一个用于连接电源的正极,另一个正极静导体用于连接用电器件;两个预充静导体的其中一个用于连接电源的正极,另一个预充静导体用于连接与用电器件进行连接的正极静导体;通过纯机械的方式进行上下电,避免触电粘接风险导致高压安全失效。
  • 体式高压控制器件
  • [发明专利]显示面板-CN202210781369.5在审
  • 罗传宝;周楷 - TCL华星光电技术有限公司
  • 2022-07-04 - 2022-09-30 - H01L27/12
  • 本申请公开了一种显示面板,显示面板包括基板、氧化物有源、栅极绝缘、栅极、导电保护、钝化和源漏极。氧化物有源设置于基板上,氧化物有源包括半导体和设置于半导体两侧的导体;栅极绝缘设置于氧化物有源上,且与半导体对应设置;栅极设置于栅极绝缘上;导电保护设置于导体上,并与导体接触,导电保护与栅极间隔设置,导电保护的材料包括金属氧化物导电材料和金属材料中的至少一种;钝化设置于栅极和导电保护上;源漏极设置于导电保护以及氧化物有源的一侧,且与导体连接。使得钝化导体之间的不容易发生反应,从而保证显示面板的性能。
  • 显示面板
  • [发明专利]一种轨道灯具及工作方法-CN202310776987.5有效
  • 张云 - 南昌英诺泰克科技有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-08 - F21V23/00
  • 本发明提供一种轨道灯具及工作方法,轨道灯具包括电源适配器、控制器、灯具轨道及若干发光,电源适配器与控制器电连接,控制器与灯具轨道电连接,若干发光设于灯具轨道上,并与灯具轨道电连接;导体导体包括等距排列在灯具轨道上的第一导体、第二导体及第三导体;若干导电安装,阵列设于导体上,导电安装均包括四个导电触点及开关,开关设于第二导体上,其二导电触点设于第二导体上,并位于开关的两侧,另二导电触点分别设于第一导体、第三导体上;发光内设有用于吸附开关的永磁铁,发光的底部设有与导电触点对应的导电。本发明可以单独控制灯具轨道上的发光,并且可以自由添加或去除灯具轨道上的发光
  • 一种轨道灯具工作方法
  • [发明专利]布线基板以及使用了该布线基板的电子装置-CN201710530264.1有效
  • 服部诚司 - 京瓷株式会社
  • 2017-06-30 - 2020-05-01 - H05K1/02
  • 本公开的布线基板包括:绝缘基板,其包括半导体元件搭载、恒定电压调节器搭载以及外部连接面;和布线导体,其包括半导体元件连接焊盘、恒定电压调节器连接焊盘、外部连接焊盘以及信号用的布线导体,信号用的布线导体在半导体元件搭载的下方与信号用的半导体元件连接焊盘连接,在绝缘基板的外周与信号用的外部连接焊盘连接,并在绝缘基板的内部从半导体元件搭载的下方延伸至所述绝缘基板的外周,信号用的布线导体在接地用或电源用的整面状导体延伸的绝缘基板的增层绝缘层的表面,不通过半导体元件搭载与恒定电压调节器搭载的中间的下方而延伸到绝缘基板的外周
  • 布线以及使用电子装置
  • [发明专利]线束-CN201880024074.5有效
  • 中井洋和 - 住友电装株式会社
  • 2018-03-22 - 2021-05-28 - H02G3/04
  • 提供一种线束,能够保护形状保持导体和柔软导体的连接。具有:柔软地折弯的柔软导体(10);保持形状的形状保持导体(20);以及保护构件(30),其将柔软导体(10)形状保持导体(20)的连接(40)包围并将连接(40)保持为直线状,保护构件(30)的一端固装于形状保持导体(20)的端
  • 线束
  • [发明专利]感光电路、感光电路制备方法及显示装置-CN201780093255.9有效
  • 陈小明;赵云飞;李明亮;刘佳豪 - 深圳市柔宇科技有限公司
  • 2017-10-26 - 2022-03-29 - G02F1/1368
  • 及第二薄膜晶体管(Tp),第二薄膜晶体管的漏极(100)电连接第一薄膜晶体管的源极(110,191),第一薄膜晶体管包括第一有源层(120),第二薄膜晶体管包括第二有源层(130),第一有源层(120)包括第一半导体(121),第二有源层(130)包括第二半导体(131),第一及第二半导体(131)同层且间隔设置,第一有源层(120)包括第三半导体(122),第三半导体(122)设置在第一半导体(121)上,第二有源层(130)包括第四半导体(132),第四半导体(132)设置在第二半导体(131)上,第三及第四半导体(132)同层且间隔设置,第一半导体(121)邻近第一薄膜晶体管的栅极(140),第四半导体(132)邻近第二薄膜晶体管的栅极(150),第三半导体(122)的缺陷态的密度高于第一半导体(121)的缺陷态的密度,第四半导体(132)的缺陷态的密度高于第二半导体(131)
  • 感光电路制备方法显示装置
  • [发明专利]车辆的发电装置-CN201710013975.1在审
  • 杉本和大 - 丰田自动车株式会社
  • 2017-01-10 - 2017-08-01 - H01L35/32
  • 本发明涉及车辆的发电装置,具备构成为位于n型半导体与p型半导体之间的本征半导体的带隙能量比n型半导体以及p型半导体的带隙能量低的热电变换元件,能够以高效地发电的方式将热电变换元件搭载于车辆。发电装置(10)具备构成为位于n型半导体(12a)与p型半导体(12b)之间的本征半导体(12c)的带隙能量低于n型半导体(12a)以及p型半导体(12b)的带隙能量的热电变换元件(12)。热电变换元件被设置成本征半导体的表面的一分与绝缘部件的表面(热供给面)接触。
  • 车辆发电装置

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