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[发明专利]一种改善复合电解质中超离子导体与聚合物界面的方法-CN202110609150.2有效
发明人：李建玲;刘慧蓉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：一种改善复合电解质中超离子导体与聚合物界面的方法，属于锂电池固态电解质领域。制备步骤如下：首先将含锡化合物和锂超离子导体酒精溶液混合搅拌和干燥，将干燥好的混合物与锂盐1一起研磨后置于坩埚中煅烧得到改性后的超离子导体。其次将聚合物、改性后的超离子导体和锂盐2置于容器中，以N‑甲基吡咯烷酮作为溶剂搅拌均匀，将混合均匀的浆料滴涂到模具中并进行干燥制得复合电解质膜。最后组装成固态扣式电池，改性后的复合电解质膜为隔膜。该方法在超离子导体表面原位合成陶瓷包覆层，有效改善复合电解质中超离子导体与聚合物之间的界面，增加了锂离子浓度，提高了复合电解质和固态电池的电化学性能，为复合固态电解质的研究提供了一种新的思路。
一种改善复合电解质离子导体聚合物界面方法

[发明专利]用于寄生电容提取的随机行走方法、装置和电子装置-CN202210574732.6有效
发明人：何裕;焦吾振;胡超;曾宪强;贺青 -专利权人：杭州行芯科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于寄生电容提取的随机行走方法、装置和电子装置，该方法包括：将与集成电路版图的每个边界面距离最近的导体作为边界导体；根据边界导体所对应的高斯面，确定第一区域和第二区域，第一区域包含集成电路版图内的所有导体，第二区域为第一区域与边界面之间的区域，第二区域不包含任何导体；在第一跳转点处于第二区域时，以第一跳转点为中心构造不与任一边界面发生相交的第一最大转移立方体，在第一最大转移立方体上随机选取第二跳转点；在第二跳转点处于任一导体的表面或者任一边界面时
用于寄生电容提取随机行走方法装置电子

[发明专利]多电极提高带正电的218-CN201811359464.6有效
发明人：袁红志;谭延亮 -专利权人：衡阳师范学院
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：多电极提高带正电的218Po收集效率的测量腔及方法，测量腔内壁为导电层，其壁板上设有出气管及进气管，半导体探测器安装在绝缘端盖上的中心部位，复数个电极围绕半导体探测器呈环形安装绝缘端盖上测量方法如下：腔体上进气管与氡室连接，半导体探测器、导电层及串联后的电极分别通过导线与高压模块连接，采样泵与出气管连接，开启采样泵，引入氡室空气，使得腔体内氡浓度与氡室内相同。高压模块分别调节导电层和半导体探测器及电极表面之间电压，利用二次仪表得到半导体探测器测量到的218Po衰变计数率，再利用二次仪表对半导体探测器测量得到的
电极提高正电 base sup 218

[发明专利]多电极提高氡析出率测量仪对218-CN201811533105.8有效
发明人：袁红志;谭延亮 -专利权人：衡阳师范学院
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G01T1/167 文献下载
摘要：多电极提高氡析出率测量仪对218Po收集效率的测量腔及方法，测量腔内壁为导电层，底部为金属滤网，半导体探测器安装在绝缘端盖上的中心部位，复数个电极围绕半导体探测器呈环形安装绝缘端盖上半导体探测器、导电层及串联后的电极分别与高压模块连接，再将半导体探测器与二次仪表连接，将测量腔放入氡室，氡室内的含氡空气进入腔体，使得腔体内的氡浓度与氡室内相同，高压模块分别调节导电层和半导体探测器及电极表面之间电压，二次仪表得到半导体探测器测量到的218Po衰变计数率，测量腔调整好，将测量腔直接紧扣在待测介质表面上，再通过二次仪表测量测量腔内的氡浓度变化规律，然后通过数据拟合计算出氡析出率
电极提高析出测量仪 base sup 218

[发明专利]定子组件和电机-CN202010579620.0有效
发明人：张斌;王阳阳;靳浩宁 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H02K3/12 文献下载
摘要：定子绕组包括第一U形导体段和第二U形导体段，每个定子槽的最内槽层、最外槽层、径向向外的第M/2个槽层和径向向外的第M/2+1个槽层均设有一个第一U形导体段，第一U形导体段的节距为A，每个定子槽的除去最内槽层、最外槽层、径向向外的第M/2个槽层和径向向外的第M/2+1个槽层的其他槽层均设有一个第二U形导体段，第二U形导体段的节距为B，A≠B。
定子组件电机

[发明专利]一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置-CN201811326365.8有效
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成沿第一方向延伸的鳍片墙；切断所述鳍片以形成至少两个彼此隔离的鳍片结构；形成围绕所述鳍片结构的隔离结构根据本发明的半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，形成的源/漏极外延层部分与鳍片结构部分接触，源漏极下方位于隔离结构中构成的源漏极漏电流的通道的鳍片结构面积减小，大大降低了鳍片结构场效应晶体管的断态漏电漏
一种半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]半导体晶片的清洗工装与清洗方法-CN202210285422.2有效
发明人：郭春霞;李智;魏金鑫;兰宇;张健;王纪东;王颖;何远 -专利权人：北京晨晶电子有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B08B11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶片的清洗工装与清洗方法，半导体晶片的清洗工装包括第一夹板与第二夹板；第一夹板设有多个第一通孔，每个第一通孔的一侧设有沉槽；沉槽设于第一夹板的第一表面，沉槽的开口端设于第一通孔的孔壁本发明便于对半导体晶片进行分离存放，防止半导体晶片在清洗中出现叠片，可实现对半导体晶片的充分清洗，防止半导体晶片在清洗中出现崩飞、破损或叠片，从而达到较好的清洗效果。
半导体晶片清洗工装方法

[发明专利]一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用-CN202111112404.6有效
发明人：冯毅龙;卢振亚;吕明;曾石稳 -专利权人：广州天极电子科技股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01G4/10 文献下载
摘要：本发明提供了的SrTiO3单晶基晶界层电容器材料，包括第一半导体化SrTiO3单晶片，第二半导体化SrTiO3单晶片，设置于所述第一半导体化SrTiO3单晶片和第二半导体化SrTiO3单晶片之间的金属氧化物绝缘层，所述第一半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第一掺杂扩散层，所述第二半导体化SrTiO3单晶片和所述金属氧化物绝缘层接触的表面形成第二掺杂扩散层
一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法应用

[发明专利]半导体器件的形成方法及半导体器件-CN202210463001.4有效
发明人：孙明珠 -专利权人：长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种半导体器件的形成方法及半导体器件，其中，方法包括：在半导体基底上形成沿第一方向间隔排布的多个位线结构；在相邻的位线结构之间，形成覆盖每一位线结构侧壁的第一隔离层；形成覆盖第一隔离层表面、且在第二方向上堆叠的第一牺牲层和第二牺牲层，第二牺牲层的离子掺杂浓度大于第一牺牲层的离子掺杂浓度；其中，第一方向垂直于第二方向，且第二方向垂直于半导体基底的表面；形成覆盖第一牺牲层和第二牺牲层侧壁的第二隔离层；在相邻第二隔离层之间，沿第二方向在半导体基底上依次形成接触层和金属层；去除第二牺牲层，形成位于第一隔离层和第二隔离层之间的空气间隙。本申请可以提高半导体器件的性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]一种可移动空调、空调集群及智能家居系统-CN201811244286.2有效
发明人：于洋;吴丽琴 -专利权人：重庆海尔空调器有限公司;青岛海尔空调器有限总公司;海尔智家股份有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： F24F1/02 文献下载
摘要：该空调包括：半导体温度调节器，半导体温度调节器的第一端用于与环境介质交换热量，其中，第一端为半导体温度调节器的冷端和热端中的任意一端；和，热量存储装置，与半导体温度调节器的第二端接触，用于与半导体温度调节器的冷端和热端中的第二端交换热量，其中，第二端为与第一端相对应的半导体温度调节器的冷端和热端中的另一端；和，移动底座，设置在空调的壳体的下部，移动底座底部设置清洁装置。
一种移动空调集群智能家居系统

[发明专利]机器中建造气缸的提升设备、带该设备的生产三维部件的机器和控制该设备的方法-CN201880067786.5有效
发明人： M·皮格;T·盖斯勒 -专利权人：通快激光与系统工程有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： B29C64/307 文献下载
摘要：所述设备包括：第一托架(41)，其可更换地接收建造气缸(24)；第一引导体(34)，其可移动地控制托架(41)，并将建造气缸(24)移动到处理室(22)中的工作表面(21)的工作平面(20)中；主驱动器至少一个另外的引导体(36)与第一引导体(34)相关联，两种引导体都能够在至少一个引导件(38)上移动，所述至少一个另外的引导体(36)具有在其上设有主驱动器(44)的托架(42)，且第一和至少一个另外的引导体
机器建造气缸提升设备生产三维部件控制方法

[发明专利]一种S参数可调射频连接器-CN202011026268.4有效
发明人：陈汝承;贾飞飞;王强;宋欢林;张鑫桢;杨长城 -专利权人：京信通信技术（广州）有限公司;京信射频技术（广州）有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01R9/05 文献下载
摘要：本发明提供一种S参数可调射频连接器，包括外导体，其中轴设有腔体，且其外壁上设有开放窗口，开放窗口由所述外导体切除部分外壁后露出所述外导体的腔体而形成；内导体，插接于所述外导体的腔体内，且在所述开放窗口处与所述同轴线缆进行对接，并采用一定量的焊料焊接所述同轴线缆和所述内导体，以调节所述射频连接器的S参数。
一种参数可调射频连接器

[发明专利]一种PCB叠构稳定性改善方法及系统-CN202011256783.1有效
发明人：金光伟 -专利权人：浪潮电子信息产业股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H05K3/22 文献下载
摘要：本发明公开一种PCB叠构稳定性改善方法，包括：将PCB表面划分为若干个调整区域；获取每个调整区域对应的各层PCB叠层表面的导体材料层的质量；以各调整区域中最小质量的导体材料层为基准，对当前调整区域中的其余各层PCB叠层表面的导体材料层进行削料工艺，至各调整区域对应的各层PCB叠层表面的导体材料层的质量与各调整区域对应的基准质量之差处于许用区间内。如此，通过对各个调整区域内的各层导体材料层进行削料工艺调整，可使各层导体材料层的质量都趋于相等，进而使产热、散热效率趋于均衡，因此能够防止PCB在SMT工艺中因温度变化而产生局部较大形变，提高PCB的层叠结构稳定性
一种 pcb 稳定性改善方法系统

[发明专利]半导体显微检测的筒镜镜组及半导体显微检测系统-CN202211058132.0有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州高视半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本披露公开了一种半导体显微检测的筒镜镜组及半导体显微检测系统。该筒镜镜组包括：第一透镜，为双凸透镜；第一透镜的第一面面向待测半导体；第二透镜，为弯月形负透镜；第二透镜的第一面与第一透镜的第二面胶合形成胶合双透镜；第三透镜，为弯月形正透镜；第三透镜的第一面面向第二透镜的第二面本披露公开的技术方案能够提高单次检测所覆盖的晶圆范围，从而缩减了半导体检测所需时长，并且本方案的筒镜镜组配置能够保证各个半导体检测场景下的成像像质，构成多中半导体显微检测系统的标准化模块。
半导体显微检测筒镜镜组系统

[发明专利]一种基于集成换流的全控型半导体器件封装结构-CN202010684007.5有效
发明人：吴益飞;吴翊;荣命哲;杨飞;易强;庄伟斌 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H03K17/292 文献下载
摘要：本公开揭示了一种基于集成换流的全控型半导体器件封装结构，包括：全控型半导体器件和用于封装所述全控型半导体器件的管壳；其中，所述全控型半导体器件包括第一芯片组件、第二芯片组件、第三芯片组件、第一过渡层、第二过渡层、第三过渡层和第四过渡层；所述第一芯片组件的阴极端子通过所述第一过渡层连接至所述全控型半导体器件的阳极；所述第一芯片组件的阳极端子通过所述第二过渡层连接至所述第二芯片组件的阴极端子；所述第二芯片组件的阳极端子通过所述第三过渡层连接至所述第三芯片组件的阳极端子；所述第三芯片组件的阴极端子通过所述第四过渡层连接至所述全控型半导体器件的阴极；所述第一过渡层与所述第三过渡层通过导电板连接。
一种基于集成换流全控型半导体器件封装结构