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[发明专利]一种用宽禁带半导体改善氮化镓N面欧姆接触的方法-CN202210943620.3在审
发明人：刘新科;马正蓊;王灏帆;李博;黎晓华;黄双武;朱德亮 -专利权人：深圳大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，提供了一种用宽禁带半导体改善氮化镓N面欧姆接触的方法，通过取GaN的单晶外延片，对单晶外延片进行清洁，通过在GaN单晶衬底上设置宽禁带半导体薄膜，以在GaN单晶衬底上形成宽禁带半导体层，再通过在宽禁带半导体层上设置金属膜，以在宽禁带半导体层上形成金属层，对已经形成有宽禁带半导体层和金属层的GaN单晶衬底进行退火处理，以获得改善后的欧姆接触，所以克服了现有金半接触技术不能满足GaN基器件的稳定性和可靠性需求的技术问题，进而达到了在宽禁带半导体薄膜掺入金属电极和氮化镓N面之间改善欧姆接触，实现接触界面的缺陷降低和热稳定性提高的技术效果。
一种用宽禁带半导体改善氮化欧姆接触方法

[发明专利]利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法-CN201210100958.9有效
发明人：李忠辉;彭大青;李亮;董逊;倪金玉;张东国 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是利用多缓冲层制备宽禁带单晶薄膜及方法，单晶硅衬底上是高V/III比氮化铝缓冲层；高V/III比氮化铝缓冲层上是低V/III比氮化铝缓冲层；低V/III比氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：单晶硅衬底上制备高V/III比氮化铝缓冲层；在高V/III比氮化铝缓冲层上制备低V/III比氮化铝缓冲层；降至室温取出；在低V/III比氮化铝缓冲层上制备SiC单晶薄膜；在SiC单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜优点：高、低V/III比AlN缓冲层结合有助于缓冲应力；通过AlN缓冲层易制宽禁带单晶薄膜；掺杂形成n或p型SiC单晶薄膜；大尺寸低成本。
利用缓冲制备宽禁带单晶薄膜方法

[发明专利]制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构和方法-CN201210100943.2有效
发明人：李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明是制备大尺寸宽禁带单晶薄膜的结构及方法，其结构是单晶硅衬底上是低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上是高温氮化铝缓冲层；在高温氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备低温氮化铝缓冲层；在低温氮化铝缓冲层上制备高温氮化铝缓冲层；降至室温取出；在高温氮化铝缓冲层上制备碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶薄膜上制备宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。优点：通过AlN缓冲层容易制备高质量六方相碳化硅单晶薄膜；低、高温AlN多缓冲层结合使用有助于降低宽禁带单晶薄膜的应力；碳化硅单晶薄膜可通过掺杂形成n或p型；结构简单、工艺可控；表面形貌好；大尺寸低成本
制备尺寸宽禁带单晶薄膜结构方法

[发明专利]低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法-CN201210100957.4有效
发明人：李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是低成本宽禁带单晶薄膜的结构及制备方法，其结构是单晶硅衬底上是氮化铝缓冲层；在氮化铝缓冲层上是碳化硅单晶缓冲层；在碳化硅缓冲层上是宽禁带单晶薄膜；其制备工艺：在单晶硅衬底上制备氮化铝缓冲层；降至室温取出；在氮化铝缓冲层上制备碳化硅缓冲层；降至室温取出；在碳化硅缓冲层上制备等宽禁带单晶薄膜；降至室温取出。借助单晶Si衬底实现尺寸放大、成本降低等新特点，为低成本宽禁带薄膜的研制开辟了有意义的途径。
低成本宽禁带单晶薄膜结构制备方法

[发明专利]一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法-CN202010136825.1在审
发明人：孙文红;王玉坤;李磊 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池、光电探测器以及宽禁带半导体光电材料与器件技术领域，公开了一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，在超声清洗机中用异丙醇、乙醇和去离子水各清洗30分钟，利用紫外臭氧处理衬底15分钟，对宽禁带半导体衬底进行彻底清洗；在经过彻底清洗的宽禁带半导体衬底上采用旋涂仪旋涂碘化铅或无机钙钛矿前体溶液；经过退火处理后，即可得到高质量的碘化铅和钙钛矿单晶薄膜。本发明采用旋涂工艺生长高质量碘化铅和钙钛矿单晶薄膜的技术，通过优化前体溶液的配比以及薄膜生长温度，使用旋涂工艺在宽禁带半导体衬底上生长碘化铅或钙钛矿材料，获得了高质量的外延单晶薄膜，应用于制造高效光电探测器或太阳能电池
一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶生长方法

[发明专利]一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法-CN201210447350.3有效
发明人：陈峰武;魏唯;韩云鑫;巩小亮 -专利权人：湖南红太阳光电科技有限公司
申请日： 2012-11-09 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽禁带半导体柔性衬底的制备方法，特别是GaN、AlN、SiC单晶柔性衬底的制备方法，属于微电子技术领域。本发明将柔性衬底的理论引入宽禁带半导体同质外延衬底的制备工艺中，柔性衬底由宽禁带半导体柔性功能层和支撑衬底构成，柔性功能层的厚度为20~50nm。本发明的柔性衬底降低了外延材料的缺陷密度和应力水平，大幅度提高了外延材料的晶体质量，该方法制备的宽禁带半导体柔性衬底具有衬底尺寸大，易于产业化的优点。
一种宽禁带半导体柔性衬底制备方法

[发明专利]一种新型的异质结太阳能电池-CN201310310101.4有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

[实用新型]一种新型的异质结太阳能电池-CN201320438944.8有效
发明人：崔艳峰;袁声召 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-07-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最下层P+复合层的P+窄禁带层沉积在P型单晶硅衬底的正面上；浅掺杂P型层沉积在最上层P+复合层的P+宽禁带层的上表面上；超晶格结构N型层包括至少两层沉积在一起的N型复合层，该N型复合层由下至上依次包括N型宽禁带层和N型窄禁带层，每层N型复合层中的N型窄禁带层沉积在N型宽禁带层的上表面上，最下层N型复合层的N型宽禁带层沉积在钝化层的上表面上。
一种新型异质结太阳能电池

[发明专利]一种低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法-CN202010985789.6有效
发明人：袁冶;王新强;康俊杰;刘放;梁智文;罗巍;王维昀 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，用于在不增加位错密度情况下对禁带宽度大于2.3eV的半导体单晶外延薄膜进行处理以降低其点缺陷密度，制备方法包括：提供洁净的半导体单晶外延薄膜；将半导体单晶外延薄膜在惰性气氛下预热至第一给定温度
一种低点缺陷密度宽禁带半导体外延薄膜制备方法

[发明专利]减少半导体器件中衬底电流的方法-CN200710094377.8无效
发明人：钱文生;吕赵鸿 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少半导体器件中衬底电流的方法，通过在硅衬底上生长两层外延层，其中第一外延层选用宽禁带半导体材料，第二外延层选用单晶硅，并且所选的宽禁带半导体材料与硅的晶格间具有较好的匹配性，然后通过将器件的
减少半导体器件衬底电流方法

[发明专利]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202011448904.2在审
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创新能源汽车智慧能源装备创新中心（江苏）有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本发明针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本发明既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[实用新型]一种高频宽禁带半导体驱动电路-CN202022962171.6有效
发明人：段建华;杨志 -专利权人：国创移动能源创新中心（江苏）有限公司;万帮数字能源股份有限公司;万帮星星充电科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频宽禁带半导体驱动电路，属于半导体开关技术领域，包括驱动电路和宽禁带半导体S2，驱动电路用于驱动宽禁带半导体S2；驱动电路包括开通驱动电阻单元、下拉电阻单元、关断回路单元、高频低阻抗回路单元和限制负压单元；宽禁带半导体S2的KS极连接地线，解决了新兴的宽禁带半导体开关器件驱动电路容易受到干扰，引起开关误动作的技术问题，本实用新型针对宽禁带半导体开关器件开关速度极快，驱动电路容易受到干扰，提出了一种驱动电路来降低干扰，提高宽禁带半导体开关器的可靠性，本实用新型既限制了宽禁带半导体开关器的Drain极与Source极间动作造成的正尖，防止了宽禁带半导体误动作，又限制了动作造成的负尖，防止了宽禁带半导体损坏。
一种频宽半导体驱动电路

[发明专利]宽禁带半导体器件及其制备方法-CN201410379970.7有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽禁带半导体器件及其制作方法，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本发明还提供了一种制作本宽禁带半导体器件的方法。本发明的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构
宽禁带半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器-CN202011553364.4在审
发明人：项晓东;顾川川;张鹏 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法、探测器和调制器，宽禁带半导体器件包括：泵浦光源和宽禁带半导体结构；泵浦光源用于出射泵浦光束；宽禁带半导体结构位于泵浦光束的传播路径上，用于接收泵浦光束并基于泵浦光束产生光生载流子；其中，泵浦光束的光子能量大于或者等于宽禁带半导体结构的能隙。本发明解决了现有技术中采用掺杂方式无法制备某些类型的宽禁带半导体以及由于掺杂导致宽禁带半导体材料缺陷降低应用性能的技术问题。
一种宽禁带半导体器件及其制备方法探测器调制器

[实用新型]宽禁带半导体器件-CN201420436988.1有效
发明人：星野政宏;张乐年 -专利权人：台州市一能科技有限公司;星野政宏
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种宽禁带半导体器件，属于半导体制备技术领域。它解决了现有宽禁带半导体器件中易受热膨胀影响的问题。本宽禁带半导体器件包括使用宽禁带半导体材料为衬底的芯片和使用宽禁带半导体材料制成的底座，并在所述的底座上设有放置芯片的凹槽结构。本实用新型的宽禁带半导体器件的芯片衬底和底座均采用宽禁带半导体材料制成，能够达到快速散热的目的；同时由于热膨胀系数和散热系数基本相同，因此不需要在底部或者附属配件上增加调整热膨胀系数的各种材料，极大的简化了宽禁带半导体器件结构
宽禁带半导体器件

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