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- [发明专利]编程电压产生电路-CN202310943219.4在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-31
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2023-10-20
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G11C16/34
- 本发明公开了一种编程电压产生电路，包括：第一电压产生单元，第一输入端连接参考电压，第二输入端连接反馈电压，输出端输出编程电压；第一反馈电路的输入端连接编程电压，输出端输出反馈电压。检测电路，用于检测编程电压和存储单元的字线栅的第一阈值电压的第一差值并输出一个检测信号。第一反馈电路的控制端连接检查信号并根据检查信号调节反馈电压的大小并从而调节编程电压的大小并使第一差值的大小得到保持，使编程电压随第一阈值电压的漂移同步变化。本发明能在存储器中的各存储单元的字线栅的第一阈值电压发生较大的漂移时，也能保证编程电压比漂移后的第一阈值电压大，从而能极大的提高编程窗口。
- 编程电压产生电路
- [发明专利]读控制电路-CN202310695146.1在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-06-13
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2023-10-13
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G11C16/26
- 本发明公开了一种读控制电路包括：灵敏放大器，多个锁存器，数据判断器。灵敏放大器的输出端同时连接到各锁存器的输入端。各锁存器的控制端分别连接一个全局时钟信号。各锁存器的输出端分别连接到数据判断器的一个输入端。在读取阶段中：灵敏放大器的输出端输出读取放大电压。各锁存器在所连接的全局时钟信号有效时进入取样输出阶段且在取样输出阶段形成一位由读取放大电压确定的第一读取数字信号。各锁存器的取样输出阶段依次错开。数据判断器对各第一读取数字信号进行逻辑运算得到第二读取数字信号，逻辑运算实现第二读取数字信号取各第一读取数字信号中出现次数多的值。本发明是能防止出现读错误，提高读数据的稳定性。
- 控制电路
- [发明专利]读定时电路-CN202310696819.5在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-06-13
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2023-10-13
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G11C16/26
- 本发明公开了一种读定时电路包括：反相延时单元和反相器。反相延时单元的输入端连接输入信号，输出端为中间节点并输出中间信号。反相器的输入端连接中间节点，输出端输出第一输出信号。反相延时单元包括第一上拉路径、第一下拉路径和第一电容。第一电容连接在中间节点和地之间。第一下拉路径中设置有第一下拉电阻。中间节点通过第一下拉电阻和第一电容形成的第一RC电路放电。反相器电源端连接电源电压。在电源电压和中间节点之间连接有第二电容；在电源电压具有噪声波动时，第二电容保持电源电压和中间信号之间的电压差不变，以消除第一输出信号中的毛刺。本发明是能在翻转点附近消除由电源噪声而产生的输出信号毛刺，提高电路的稳定性。
- 定时电路
- [发明专利]闪存的电荷泵补偿电路-CN202310949005.8在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-31
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2023-10-13
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G11C16/12
- 本发明公开了一种闪存的电荷泵补偿电路，包括：第一电荷泵，输出端输出源编程电压输出到闪存的阵列结构中的选定位线。第二电荷泵，输出端通过第一开关连接到第一电荷泵的输出端。第一开关的控制端连接第一使能信号，第一使能信号为有效电平的时间可控。源编程电压会对选定位线的寄生电容进行充电使选定位线的电位达到源编程电压；第一使能信号的有效电平时段位于初始阶段中，使得第二电荷泵的第二输出电压在初始阶段也对选定位线的寄生电容进行补偿充电，以提高初始阶段中选定位线的电压，改善编程深度。本发明能对寄生电容使选定位线的初始电压偏低进行电荷补偿并最后能改善编程深度，还能减少不同地址的存储位的编程深度的差异。
- 闪存电荷补偿电路
- [发明专利]闪存测试的筛选方法-CN202310952329.7在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-07-31
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2023-10-13
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G11C16/08
- 本发明公开了一种闪存测试的筛选方法，包括：步骤一、按第一数据图形进行写入，包括：在各存储片中，同一行各存储位的数据都相同，相邻两行的数据相反。同一行中，相邻两列存储片的存储的数据相反。步骤二、进行短路缺陷测试，包括：步骤21、选定需要进行测试的两根位线以及存储片。步骤22、在第一选定存储片中选择存储数据为0的行作为选定行。步骤23、在第一选定存储片中选定用于读取的选定存储位，选定存储位为靠近第二位线一侧。步骤24、对选定存储位进行读取，将读取放大时间设置为有短路缺陷时较大的上拉时间和无短路缺陷是较小的上拉时间之间，以实现对短路缺陷的筛选。本发明能实现对位于场氧两侧的两根相邻的位线的短路缺陷的筛选。
- 闪存测试筛选方法
- [实用新型]料塞螺旋减速机专用拆卸工具-CN202320305186.6有效
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杨光军
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山鹰国际控股股份公司
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2023-02-21
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2023-10-03
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B25B27/14
- 本实用新型公开了料塞螺旋减速机专用拆卸工具，涉及减速机拆卸工具技术领域，包括固定环和两个驱动轴，所述固定环上设置有紧固件；所述固定环的外圆周上固定设置有两个安装块，并且两个安装块相对设置，两个安装块上均开设有螺纹孔，两个所述驱动轴均具有螺纹段，两个螺纹段分别与两个螺纹孔一一对应设置，并且两个螺纹段分别螺纹安装在对应的螺纹孔上。本实用新型通过拆卸工具的设置，在需要将减速机从设备上拆卸下来进行维修、保养时，先解除减速机与安装座支架的连接关系，然后将拆卸工具与减速机固定连接，利用拆卸工具将减速机的输出端与转轴进行分离，从而达到拆卸的目的，拆卸方便。
- 螺旋减速专用拆卸工具
- [发明专利]参考电路及其参考电流的产生方法-CN202310786963.8在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-06-29
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2023-09-22
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G11C16/10
- 本发明公开了一种参考电路，包括多个参考列。存储器的存储阵列分成多个存储子阵列，各存储子阵列都设置有一个所述参考列。在对选定存储单元进行读取时，采用选定存储单元所在的存储子阵列对应的参考列中同一行的参考单元作为选定参考单元。在存储子阵列每进行一次擦除时，所对应的参考列都进行一次编程，使选定存储单元和选定参考单元的擦除时间相同，选定参考单元的参考电流随擦除时间变化会跟随选定存储单元的单元电流随擦除时间的变化，从而提高选定存储单元的编程窗口。本发明还公开了一种参考电路的参考电流的产生方法。本发明能实现参考电流跟随单元电流随擦除时间的变化进行变化，从而能增加存储单元的编程窗口。
- 参考电路及其电流产生方法
- [发明专利]编程电压产生电路和方法-CN202310411541.2在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-04-18
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2023-09-05
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G11C16/34
- 本发明公开了一种编程电压产生电路，编程电压用于在编程时提供给存储器的存储单元的字线栅，包括：和存储单元的结构相同的第一存储单元，第一存储单元的源极接地，第一存储单元的存储栅连接第一电压使存储栅所控制的沟道段完全导通。第一电流源连接在电源电压和第一存储单元的漏极之间并提供大小固定的第一源漏电流。第一存储单元的字线栅和漏极连接并形成第二电压。由第二电压得到所述编程电压。本发明还提供一种编程电压产生方法。本发明能使编程电压随温度的变化而变化且使编程电压能跟踪存储单元的字线栅的阈值电压的变化，从而提高编程窗口以及扰动窗口。
- 编程电压产生电路方法
- [发明专利]电荷泵电路-CN202310568280.5在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-05-19
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2023-09-05
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H02M3/07
- 本发明公开了一种电荷泵电路，包括：电荷泵主体电路，反馈电路，第一控制电路，时钟输入信号。电荷泵主体电路的输出端输出第一输出电压。电荷泵主体电路由多个电荷泵单元电路串联而成。当第一输出电压低于预设值时，第一控制电路在反馈信号的控制下使时钟输入信号输入到电荷泵主体电路的输入端，各电荷泵单元电路的电源端在反馈信号的控制下连接到对应的电源电压，各电荷泵单元电路工作并使第一输出电压升高。当第一输出电压上升到大于等于预设值时，第一控制电路在反馈信号的控制下断开时钟输入信号和电荷泵主体电路的输入端的连接，各电荷泵单元电路的电源端在反馈信号的控制下断开和对应的电源电压的连接。本发明能减少输出电压的波纹。
- 电荷电路
- [发明专利]闪存的读电路的控制装置和方法-CN202310572543.X在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-05-19
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2023-08-29
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G11C16/26
- 本发明公开了一种闪存的读电路的控制装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件，包括：第一源和第二源漏区，多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，第一栅极结构间的第二栅极结构。各第一栅极结构的控制栅连接到控制栅线。第二栅极结构连接到对应的字线。控制装置用于实现对未选定存储位的控制栅电压和字线电压进行控制，包括：设置第一时间段，将控制栅电压和字线电压设置为高压以实现读取；在第一时间段后设置第二时间段，在第二时间段内，将控制栅电压和字线电压设置为一个以上依次降低的中压，以防止在第二时间段内产生读取干扰。本发明还提供一种闪存的读电路的控制方法。本发明提高读取窗口，同时还能防止较高读取电压所带来的读干扰。
- 闪存电路控制装置方法
- [发明专利]电荷泵滤波电路-CN202310698872.9在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-06-13
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2023-08-22
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H02M3/07
- 本发明公开了一种电荷泵滤波电路，包括：第一PMOS管和第一电容。第一PMOS管的源极连接电荷泵的输出端。第一PMOS管的漏极连接第一电容的第一端且作为输出电压的输出端。第一电容的第二端接地。第一PMOS管的栅极连接第一节点，第一节点的电压为第一电压，第一PMOS管具有第一导通电阻。电荷泵的电源端连接电源电压。第一电压和电源电压成比例，使第一导通电阻受所述电源电压大小调节。当电源电压增加时，第一节点的电压增加，第一导通电阻增加，滤波效果增加。当电源电压降低时，第一节点的电压降低，第一导通电阻降低，驱动能力增加。本发明能保证低压下的驱动能力，同时又能降低高压下的波纹缺陷。
- 电荷滤波电路
- [发明专利]提高闪存耐擦写能力的装置和方法-CN202310637317.5在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-05-31
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2023-08-15
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G11C16/14
- 本发明公开了一种提高闪存耐擦写能力的装置，存储单元都采用分离栅浮栅器件，由字线栅介质层和字线栅叠加而成的第二栅极结构位于具有浮栅的第一栅极结构之间，第二栅极结构由字线栅介质层和字线栅叠加而成。提高闪存耐擦写能力的装置包括：字线编程电压产生电路，存储区域，修整信号产生电路和控制装置。控制装置，用于实现：编程时，读取循环次数；修整信号产生电路根据循环次数形成修整信号；字线编程电压产生电路根据修整信号输出字线编程电压，采用字线编程电压进行编程，循环次数越多，字线编程电压也越大。本发明还公开了一种提高闪存耐擦写能力的方法。本发明能补偿擦写次数对编程深度的影响，能提高耐擦写能力。
- 提高闪存擦写能力装置方法
- [发明专利]闪存及其编程电压控制方法-CN202310637353.1在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-05-31
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2023-08-15
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G11C16/10
- 本发明公开了一种闪存，同一列的各存储单元并联在两根相邻位线之间。对选定存储位进行编程操作时设置有如下三个阶段：第一编程阶段，用于实现第一次编程，靠近选定存储位的第一位线的位线编程电压设置为第一正电压。第二验证阶段，用于进行验证。第三编程阶段，用于实现第二次编程，位线编程电压设置为第二正电压。第三编程阶段在验证结果不正常时进行，第一正电压小于第二正电压；第一正电压满足对阵列结构中第一部分的存储单元的编程需要，第二正电压满足对剩余的第二部分的存储单元的编程需要。第二部分的数量小于第一部分的数量。本发明还公开了一种闪存的编程电压控制方法。本发明能在保持编程效率的条件下降低或消除编程干扰。
- 闪存及其编程电压控制方法
- [发明专利]闪存的操作方法-CN202310478451.5在审
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杨光军
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-04-28
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2023-08-08
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G11C16/12
- 本发明公开了一种闪存的操作方法中，闪存的存储单元都采用分离栅浮栅器件，包括：对称设置的第一和第二源漏区，位于第一和第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构，位于第一栅极结构之间的第二栅极结构；编程时第二栅极结构连接到字线编程电压，通过如下步骤设置字线编程电压：步骤一、设定测试字线编程电压的初始值。步骤二、根据设定的测试字线编程电压进行快编程测试。步骤三、判断良率是否达标，如果良率达标则进行步骤四；如果良率不达标，则将测试字线编程电压增加，之后返回到步骤二。步骤四、将测试字线编程电压加上误差电压作为所测试的各存储单元的字线编程电压。本发明能提高编程效率。
- 闪存操作方法
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