“J.刘”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果116个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]在平台区中具有加厚字线的三维存储器器件及其制造方法-CN201880063144.8有效
发明人： S.K.卡纳卡梅达拉;Y.菅野;R.S.马卡拉;张艳丽;J.刘;M.乔杜里;李耀升 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：本公开提供了一种三维存储器器件，三维存储器器件包括位于衬底上方的绝缘层和导电层的交替堆叠体。存储器堆叠结构位于存储器阵列区中，存储器堆叠结构中的每个存储器堆叠结构包括存储器膜和竖直半导体沟道。接触通孔结构位于平台区中并接触导电层中的相应一个导电层。导电层中的每个导电层具有贯穿存储器阵列区的相应第一厚度并包括在平台区内具有大于相应第一厚度的相应第二厚度的接触部分。该接触部分的较大厚度阻止在形成用于形成接触通孔结构的接触通孔腔期间的蚀刻穿过。
平台具有加厚三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]具有自对准漏极侧选择栅极电极的三维存储器器件及其制造方法-CN201780058150.X有效
发明人： J.凯;M.乔杜里;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10B43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括自对准漏极选择层级电极。存储器堆叠结构延伸穿过绝缘层和间隔物材料层的交替堆叠体。所述存储器堆叠结构中的每一个包括存储器膜和存储器层级沟道部分。漏极选择层级沟道部分形成在相对于下层存储器堆叠结构具有相应横向移位的所述存储器层级沟道部分上方。对于每行漏极选择层级沟道部分，横向移位的所述方向从行到行交替。漏极选择层级栅极电介质和漏极选择层级栅极电极形成在所述漏极选择层级沟道部分上。每个漏极选择层级栅极电极控制两行漏极选择层级沟道部分，并且与相邻漏极选择层级栅极电极横向间隔开。
具有对准漏极侧选择栅极电极三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]具有比字线更厚的选择栅极电极的三维存储器器件及其制造方法-CN201780061839.8有效
发明人： K.重村;有吉润一;M.堤;佐野道明;张艳丽;R.马卡拉;J.刘;M.乔杜里;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器器件，所述三维存储器器件包括位于衬底上的绝缘层和导电层的交替堆叠体，所述交替堆叠体具有存储器阵列区域和包含阶梯表面的接触区域，以及具有半导体沟道和延伸穿过所述交替堆叠体的所述存储器阵列区域的存储器膜的存储器堆叠结构。所述导电层包括漏极选择栅极电极和字线，其中所述漏极选择栅极电极比每个所述字线更厚。
具有字线更厚选择栅极电极三维存储器器件及其制造方法

[发明专利]用于改进的安全性的多传感器输入分析-CN201680035075.0有效
发明人： E.亚拉加达;P.沙马;T.内格雷;J.刘;P.奚;N.马格尔顿;S.帕蒂尔;A.托多罗维奇 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2016-04-14 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06Q10/0631 文献下载
摘要：一种限制对个体的噪声损害的方法包括：通过存储在非暂时性存储器中并在处理器上执行的耳毒性应用来接收到区域中的第一耳毒性条件的第一个体暴露水平，将该第一个体暴露水平关联到耳毒性影响，基于该关联确定噪声水平阈值，接收该区域中的噪声水平暴露，比较噪声水平阈值与噪声水平暴露，以及在噪声水平暴露超过噪声水平阈值时发送警报。该噪声水平阈值低于标准噪声水平阈值。
用于改进安全性传感器输入分析

[发明专利]具有含套环部分的接合电极的存储器器件及其制造方法-CN201680054810.2有效
发明人：张艳丽;R.S.马卡拉;J.刘;M.乔杜里;李耀升;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-08-17 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：包括多个堆叠结构的三维存储器器件可以形成有接合区域电极，该接合区域电极是形成在位于靠近上堆叠结构与下堆叠结构之间的接口的接合区域处的电极。通过多个堆叠结构形成存储器堆叠结构。接合区域电极横向地环绕与不同的堆叠结构之间邻近的接口的存储器堆叠结构的一部分。接合区域电极包括具有厚度的层部分、和横向地环绕存储器堆叠结构并且具有比层部分的厚度大的垂直长度的套环部分。套环部分相对于层部分的垂直长度的增加的垂直长度提供对在位于靠近不同的堆叠结构之间的接口的存储器堆叠结构中的半导体沟道的一部分的增强的控制。
具有含套环部分接合电极存储器器件及其制造方法

[发明专利]用于整合多个化学传感器数据以检测未测化合物的系统-CN202211516909.3在审
发明人： P.奚;J.刘;T.内格雷;P.沙马 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：用于确定环境中的未测化学物质的存在的方法可以包括从多个化学传感器接收多个传感器读数，其中所述多个化学传感器中的每个化学传感器被配置为检测不同的化学物质；确定所述多个传感器读数中的由于一种或多种未测化学物质的交叉敏感性模式；将所述交叉敏感性模式与一种或多种已知化学模式进行比较；确定所述交叉敏感性模式与对应于一种或多种化学物质的所述一种或多种已知化学模式中的至少一种相匹配；和基于确定所述交叉敏感性模式与所述一种或多种已知化学模式中的至少一种相匹配来标识一种或多种未测化学物质。
用于整合化学传感器据以检测化合物系统

[发明专利]形成于镍钛诺折叠片材中的线圈-CN201711101202.5有效
发明人： A.戈瓦尔;A.C.阿尔特曼恩;C.T.比克勒;J.T.科耶斯;K.J.赫雷拉;J.刘 -专利权人：韦伯斯特生物官能（以色列）有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本发明题为“形成于镍钛诺折叠片材中的线圈”。本发明提供了一种接触力传感器，该接触力传感器使用弹簧构造而成，其中弹性构件插置在两个接触元件之间。连接到该弹性构件的伸出部与元件接触。施加至元件中的至少一个元件的力引起弹簧的变形，该变形与元件相对于彼此的位移相关。
形成镍钛诺折叠中的线圈

[发明专利]多功能灵活计算存储设备-CN202210954403.4在审
发明人： R.P.卡查尔;禤庆钧;J.刘;H.R.巴特勒;姚学斌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F13/28 文献下载
摘要：公开了一种多功能设备。第一端口可以用于与主机处理器通信。第二端口可以用于与存储设备通信。第三端口可以用于与计算存储单元通信。电路可以用于将消息从主机处理器路由到存储设备或计算存储单元中的至少一个。
多功能灵活计算存储设备

[发明专利]用于控制特别是用于机动车辆的热调节回路的方法-CN202180038783.0在审
发明人： M.波托;R.博维斯;W.努艾尼亚;R.埃尔沙马斯;J.刘 -专利权人：法雷奥热系统公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： F25B49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制热调节回路(1)的方法，特别是用于机动车辆的热调节回路，所述回路包括第一环路(A)，所述第一环路用于制冷剂流体通过具有可调节开度的第一膨胀阀(7)的流通，所述方法包括第一步骤，即将所述第一膨胀阀(7)打开超过在回路的标称操作期间的开度范围，以便允许残余物通过所述第一膨胀阀(7)排出。
用于控制特别是机动车辆调节回路方法

[发明专利]控制尤其用于机动车辆的温度调节环路的方法-CN202180039115.X在审
发明人： R.博维斯;J.刘 -专利权人：法雷奥热系统公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B60H1/00 文献下载
摘要：一种用于控制制冷流体通过的温度调节环路的方法，所述环路包括至少第一和第二流体流通分支(2，4)，所述方法被配置成允许环路从流体仅在所述分支(2，4)中的一个中流通的第一状态转换到流体同时在所述分支(2，4)中流通的第二状态，反之亦然，该方法包括在以第一或第二状态的永久模式操作期间根据第一控制策略控制分支(2，4)中的一个和/或另一个中的流体流动的步骤，以及在从一个状态到另一个状态的转换期间根据第二控制策略修改流体流动以限制所述转换期间的温度偏差的步骤。
控制尤其用于机动车辆温度调节环路方法

[发明专利]使用多孔集电器的电极涂层-CN202210511277.5在审
发明人： S.徐;R.C.塞科尔;J.刘;E.D.休米勒;N.P.埃里什;D.布鲁德 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01M4/74 文献下载
摘要：本公开的各个方面包括具有空间变化的孔隙率的电极涂层以及通过使用多孔集电器形成该电极涂层的方法。一种示例性方法可以包括形成具有块体材料和多个空隙的多孔集电器。多孔集电器可以用具有活性电极材料的电极涂层涂覆、浸渍或浸透。多孔集电器和电极涂层可以在压延过程中被压缩以限定电极膜。多孔集电器中多个空隙的分布在压延过程中提供了不同压延压力的区域。不同压延压力的区域导致所得电极膜中具有较高和较低孔隙率的区域。换句话说，电极膜具有空间变化的孔隙率。
使用多孔电器电极涂层

[发明专利]用于设备控制应用的默认过滤器设置系统和方法-CN201980060667.1有效
发明人： R.克米西亚克;J.都;R.古普塔;J.刘 -专利权人：爱维士软件有限责任公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H04M3/42 文献下载
摘要：一种内容过滤器设置方法，包括使用户能够在用户设备的用户界面中为特定应用选择过滤器的设置。经由用户界面从用户接收过滤器的设置，并且基于过滤器的设置和用户的识别信息来应用模型，以确定特定应用的多个过滤器的多个默认设置。在用户界面中显示所述多个默认设置，并且经由用户界面接收默认设置的修改后的设置。
用于设备控制应用默认过滤器设置系统方法

[发明专利]用于机动车辆的热调节系统-CN202180033840.6在审
发明人： R.博维斯;R.埃尔查马斯;J.刘;M.波尔图;M.雅希亚 -专利权人：法雷奥热系统公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： F25B5/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于机动车辆的热调节系统(100)，包括：‑冷却剂回路(1)，包括：‑主环路(A)，包括：压缩装置(2)、双流体热交换器(3)、第一膨胀装置(4)、与车辆的乘客车厢内的内部空气流(Fi)进行热交换的第一热交换器(5)、第二膨胀装置(6)、与乘客车厢外的外部空气流(Fe)进行热交换的第二热交换器(7)；‑第一旁路分支(B)，将位于第二热交换器(7)上游的连接点连接到位于第二热交换器(7)下游的连接点；‑第二旁路分支(C)，将主环路(A)连接到第一旁路分支(B)；‑传热流体回路(20)，双流体热交换器(3)被设置以允许在冷却剂和传热流体之间的热交换，冷却剂回路(1)具有第一内部热交换器(21)，其特征在于，冷却剂回路(1)还包括第三旁路分支(D‑1，D‑2，D‑3)，其允许在第一热交换器(5)上游的主环路(A)中流动的冷却剂流到第二热交换器(7)而不穿过第一热交换器(5)。
用于机动车辆调节系统

[发明专利]半导体结构和三维NAND存储器器件-CN202210904177.9在审
发明人： F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包含至少一个交替堆叠体和存储器堆叠体结构；多个横向伸长的接触通孔结构，垂直延伸穿过所述存储器层级组件，沿着第一水平方向横向延伸，并且将所述至少一个交替堆叠体横向分为横向间隔开的多个块，包括一组三个相邻块，依次包含沿着垂直于所述第一水平方向的第二水平方向布置的第一块、第二块和第三块；贯穿存储器层级通孔区域，位于相邻于所述第二块的纵向端部且在所述第一块的阶梯区域与所述第三块的阶梯区域之间，其中所述贯穿存储器层级通孔区域包括嵌入在电介质填充材料部分中的垂直延伸的贯穿存储器层级通孔结构；以及字线开关器件。还公开了一种三维NAND存储器器件。
半导体结构三维 nand 存储器器件

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210904597.7在审
发明人： F.富山;Y.水谷;小川裕之;Y.降幡;J.于;J.卡伊;J.刘;J.阿尔斯梅尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：公开了一种半导体结构，包括：存储器层级组件，位于半导体衬底之上且包括导电层和绝缘层的第一部分的至少一个第一交替堆叠体，并且还包括垂直延伸穿过至少一个第一交替堆叠体的存储器堆叠体结构，其中存储器堆叠体结构中的每一个包括存储器膜和垂直半导体沟道，其中导电层包括用于存储器堆叠体结构的字线；绝缘深沟沟槽结构，垂直延伸穿过存储器层级组件并限定贯穿存储器层级通孔区域的与至少一个第一交替堆叠体横向间隔的区域；至少一个第二交替堆叠体，位于贯穿存储器层级通孔区域；以及贯穿存储器层级通孔结构。还公开了形成半导体结构的方法。
半导体结构及其形成方法

1
2
3
4
5
6
7
8
下一页»
尾页
共 116 条