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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法-CN201910473109.X在审
发明人：陈达明;陈奕峰;王尧;刘成法;何宇;邹杨;夏锐;林文杰;袁玲;龚剑 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，包括以下步骤：在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；采用激光辐照多晶硅薄膜。对于原位掺杂的多晶硅薄膜，采用激光辐照多晶硅薄膜，以激活掺杂原子。若对于需外部引入掺杂源的多晶硅薄膜，采用激光辐照，将掺杂剂推入多晶硅薄膜以实现掺杂。本发明可以实现多晶硅薄膜掺杂的低温化，本发明可以实现多晶硅薄膜的局域掺杂。
一种用于多晶薄膜激光掺杂方法

[发明专利]电池背部结构及其制备方法、电池-CN202111617968.5有效
发明人：朱家宽;戴虹;钟文兵;孙海晨;刘阳;桑雪岗;章晖 -专利权人：理想晶延半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种电池背部结构，包括基底、隧穿氧化层、掺杂多晶硅薄膜层、扩散多晶硅薄膜层、氮化硅层和电极；所述隧穿氧化层设置于所述基底的表面；所述掺杂多晶硅薄膜层设置于所述隧穿氧化层的表面；所述扩散多晶硅薄膜层设置于所述掺杂多晶硅薄膜层的表面，且所述扩散多晶硅薄膜层的方阻小于所述掺杂多晶硅薄膜层的方阻；所述氮化硅层设置于所述扩散多晶硅薄膜层的表面；所述电极贯穿所述氮化硅层和部分所述扩散多晶硅薄膜层，且所述电极与所述掺杂多晶硅薄膜层分隔设置。
电池背部结构及其制备方法

[发明专利]一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板-CN201910199665.2有效
发明人：赵永亮;许卓;崔星花 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种低温多晶硅基板及其制作方法、阵列基板，涉及显示技术领域，本发明通过在衬底上形成遮光层薄膜，在遮光层薄膜上形成多晶硅薄膜，通过一次构图工艺对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理，以得到遮光层和多晶硅层，多晶硅层在遮光层上的正投影位于遮光层所在的区域内。通过形成在衬底上的遮光层实现遮光效果的同时，代替现有低温多晶硅基板中的缓冲层，在对遮光层薄膜和多晶硅薄膜进行图案化处理时，只需采用一次构图工艺就可得到遮光层和多晶硅层，简化了整个低温多晶硅基板的制作工艺，同时也减小了低温多晶硅基板的厚度，从而可降低低温多晶硅基板的制作成本。
一种低温多晶硅基板及其制作方法阵列

[发明专利]多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法-CN202010717931.9在审
发明人：李泓博;高杏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜形成方法和半导体结构的形成方法，所述多晶硅薄膜形成方法应用于半导体领域。该方法包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上沉积第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层上形成掺碳的第二多晶硅层，所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层组成所需的多晶硅薄膜。由于在本发明实施例中，在保持半导体结构中多晶硅薄膜材质结构不变的基础上，将多晶硅薄膜从现有技术中的一层结构变为两层结构，且顶层为含有碳离子的掺杂多晶硅层。由于掺有碳离子的多晶硅层对多晶硅薄膜表面具有抑制和细化的作用，从而抑制了多晶硅薄膜发生表面形核异常，降低了其表面产生异常生长的大晶粒的概率。
多晶薄膜形成方法半导体结构

[发明专利]一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法-CN201010589424.8有效
发明人：肖志强;张继;吴建伟;徐政 -专利权人：无锡中微晶园电子有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多晶硅薄膜电阻稳定性的方法，其包括如下步骤：a、在多晶硅淀积舟的插槽内间隔安装假片，通过离子注入设备对假片进行至少两次多晶硅淀积；b、安装衬底，衬底上生长氧化层；c、离子注入设备对衬底进行多晶硅淀积；d、对多晶硅薄膜层进行离子注入；e、在多晶硅薄膜层涂布光刻胶；f、刻蚀多晶硅薄膜层；g、多晶硅薄膜层进行源漏注入；h、去除光刻胶；i、在上述多晶硅薄膜层上得到金属前介质薄膜；j、对衬底上的多晶硅薄膜层进行退火工艺；k、在金属前介质薄膜上得到接触孔；l、在所述接触孔内淀积金属材料，形成金属连线。本发明能改善多晶硅薄膜电阻工艺的工序能力，工艺操作简单，降低加工成本，安全可靠。
一种提高多晶薄膜电阻稳定性方法

[发明专利]多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法-CN201910753004.X在审
发明人：魏星;徐洪涛;陈猛;高楠;苏鑫 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜半导体衬底的制备方法，其包括如下步骤：提供一衬底；在第一温度下，在所述衬底上生长一第一多晶硅薄膜层；在第二温度下，在所述第一多晶硅薄膜层上生长一第二多晶硅薄膜层，所述第一温度与所述第二温度不同，以释放多晶硅薄膜的应力。本发明采用高低温交替生长多晶硅薄膜层的方法在衬底上生成多晶硅薄膜，其能够释放多晶硅薄膜自身及其与半导体衬底之间的应力，改善多晶硅薄膜半导体衬底的翘曲度及弯曲度。
多晶硅薄膜衬底多晶硅薄膜层半导体制备交替生长释放生长高低温翘曲度弯曲度

[发明专利]多晶硅薄膜成膜方法-CN202010423940.7在审
发明人：袁宿陵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜成膜方法，首先在要形成多晶硅薄膜的介质层上，先通过低工艺温度形成第一层多晶硅薄膜；然后在第一层多晶硅薄膜上，逐渐升温，提高到更高的工艺温度，在升温的过程中形成第二层多晶硅薄膜；本发明所述的多晶硅薄膜的工艺方法，主要是通过在多晶硅沉积过程中增加温度变化，首先形成半球形晶粒的多晶硅薄膜，然后再边升温边淀积剩余膜厚的多晶硅薄膜，减少炉管内的多晶硅晶格大小差异，得到一种均匀性更好的多晶硅膜层
多晶薄膜方法

[发明专利]多晶硅薄膜衬底的制备方法-CN202110389647.8在审
发明人：魏星;戴荣旺;薛忠营;刘赟;魏涛;栗展;李名浩;刘文凯 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种多晶硅薄膜衬底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；对所述氧化硅层的表面进行氮化处理，以得到氮氧硅层；在所述氮氧硅层上形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜进行退火处理。形成的氮氧硅层可以减少多晶硅薄膜内应力释放，改善晶粒质量，从而改善多晶硅薄膜对外的应力，也就是说可以改善多晶硅薄膜对衬底的应力，并且，退火工艺还可以继续减小多晶硅薄膜对衬底的应力。多晶硅薄膜对衬底的应力减小，就可以使得衬底的翘曲度降低。
多晶薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种晶化薄膜的晶体管器件-CN201010111999.9无效
发明人：黄宇华;黄飚;彭俊华 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种晶化薄膜的晶体管器件，包括：多晶硅薄膜、栅氧化层、绝缘层和金属互连层，其中，所述多晶硅薄膜包括玻璃衬底、阻挡层和具有连续晶畴的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的厚度为10-500纳米，所述多晶硅层中的晶粒均匀分布；其中，所述多晶硅层是通过在非晶硅薄膜上的覆盖层光刻诱导口、在所述诱导口使金属诱导薄膜和所述非晶硅薄膜接触并经过两次退火晶化形成的均匀多晶硅层。
一种薄膜晶体管器件

[发明专利]一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法-CN201310567148.9在审
发明人：任东 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法，一种平坦化多晶硅的制造方法，将非晶硅薄膜制备成多晶硅薄膜，包括以下步骤：采用准分子激光对所述非晶硅薄膜经行预结晶处理，形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜的表面进行处理，去除多晶硅薄膜表面的氧化层；再次采用准分子激光对去除表面氧化层的多晶硅薄膜表面进行再次结晶处理。本发明提供的平坦化多晶硅的制造方法，能够有效地降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，并且工艺简单方便。
一种平坦多晶薄膜制造方法

[发明专利]一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件-CN202111585905.6在审
发明人：李真宇;杨超;孔霞;刘亚明;韩智勇;陈明珠;郑珊珊;姜传晓 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
一种复合衬底制备方法以及电子元器件

[发明专利]一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜-CN201710239668.5在审
发明人：任庆荣;李良坚;刘政 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜，其中，该多晶硅薄膜制作方法包括沉积第一非晶硅层；对所述第一非晶硅层进行处理，形成晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层；沉积第二非晶硅层；对所述第二非晶硅层进行处理，形成多晶硅薄膜，本发明实施例通过在对第一非晶硅层进行处理得到晶粒大小和取向均匀的晶粒界面层，改善了多晶硅薄膜晶粒生长的初始状态，使得后续对第二非晶硅进行处理形成多晶硅薄膜的过程更加可控，保证了多晶硅薄膜晶粒的大小和取向，提高了多晶硅薄膜的质量和电学性能。
一种多晶薄膜制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管-CN201410524654.4有效
发明人：葛泳;刘玉成;朱涛;顾维杰 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括在基板的第一缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火，形成第一多晶硅膜层；在所述第一多晶硅膜层上沉积第二非晶硅层，并对所述第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成第二多晶硅膜层。上述低温多晶硅薄膜及其制备方法，能够使多晶硅表面凸起高度降低，多晶硅晶粒分布更均匀，且在整个制备过程中不引入其它物质。
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]多晶硅薄膜及其形成方法-CN202210947274.6有效
发明人：谢博文;施剑华 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜及其形成方法，所述形成方法包括：执行第一CVD工艺以在基底上形成多晶硅种晶层，第一CVD工艺的气体压力小于0.4torr；执行第二CVD工艺形成多晶硅主体层，第二CVD工艺的气体压力大于第一CVD工艺的气体压力，且其气体流量小于第一CVD工艺的气体流量；执行第三CVD工艺形成多晶硅盖帽层，第三CVD工艺的气体压力小于第二CVD工艺的气体压力，且其气体流量大于第二CVD工艺的气体流量，以多晶硅种晶层、多晶硅主体层及多晶硅盖帽层构成多晶硅薄膜。本发明中，通过多晶硅种晶层、多晶硅主体层及多晶硅盖帽层以构成多晶硅薄膜，以降低多晶硅薄膜的表面粗糙度。
多晶薄膜及其形成方法

[发明专利]一种基于金属诱导的多晶硅薄膜-CN201010111997.X无效
发明人：黄宇华;黄飚;彭俊华 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜，包括：玻璃衬底、阻挡层和具有连续晶畴的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的厚度为10-500纳米，所述多晶硅层中的晶粒均匀分布；其中，所述多晶硅层是通过在非晶硅薄膜上的覆盖层光刻诱导口、在所述诱导口使金属诱导薄膜和所述非晶硅薄膜接触并经过两次退火晶化形成的多晶硅层。
一种基于金属诱导多晶薄膜

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