[发明专利]一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法在审

申请号：	201310567148.9	申请日：	2013-11-14
公开（公告）号：	CN103745925A	公开（公告）日：	2014-04-23
发明（设计）人：	任东	申请（专利权）人：	上海和辉光电有限公司
主分类号：	H01L21/321	分类号：	H01L21/321
代理公司：	隆天国际知识产权代理有限公司 72003	代理人：	张艳杰;张浴月
地址：	201500 上海市金山区***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法，一种平坦化多晶硅的制造方法，将非晶硅薄膜制备成多晶硅薄膜，包括以下步骤：采用准分子激光对所述非晶硅薄膜经行预结晶处理，形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜的表面进行处理，去除多晶硅薄膜表面的氧化层；再次采用准分子激光对去除表面氧化层的多晶硅薄膜表面进行再次结晶处理。本发明提供的平坦化多晶硅的制造方法，能够有效地降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，并且工艺简单方便。
搜索关键词：	一种平坦多晶薄膜制造方法
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【主权项】：

一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法，将非晶硅薄膜制备成多晶硅薄膜，其特征在于，包括以下步骤：采用准分子激光对所述非晶硅薄膜进行预结晶处理，形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜的表面进行处理，去除多晶硅薄膜表面的氧化层；再次采用准分子激光对去除表面氧化层的多晶硅薄膜表面进行再次结晶处理。

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摘要：本申请公开了一种用于金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法，具体涉及用于抛光金属线的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法。该CMP浆料组合物包含抛光颗粒、氧化剂、络合剂、腐蚀抑制剂和去离子水，其中，腐蚀抑制剂包含选自由亚硝酸盐和硝酸铵组成的组中的至少一种无机腐蚀抑制剂。

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摘要：本发明提供一种制作导电线路的方法。所述方法包括以下步骤：提供一基板；形成一金属膜层于所述基板上；对所述金属膜层的一部分进行蚀刻，以将所述金属膜层予以图案化；及在一腔室中，利用将C_xH_yF_Z和水蒸气注入至所述腔室，以对所述被图案化的金属膜层进行一后处理步骤，所述后处理步骤避免所述被图案化的金属膜层受到腐蚀。

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摘要：本发明公开了一种化学机械研磨的方法，包括步骤（a）提供晶圆；步骤（b）在所述晶圆的表面上提供研磨液，并先后执行高下压力研磨步骤和第一低下压力研磨步骤；步骤（c）执行主清洗步骤，以去除部分所述研磨液和残留物，并使剩余的研磨液分布均匀；步骤（d）执行第二低下压力研磨步骤，在该步骤中不再涂覆研磨液，通过研磨去除所述晶圆上的缺陷同时去除剩余的所述研磨液。在本发明中通过添加主清洗步骤，以使在高下压力研磨、低下压力研磨之后所述晶圆具有较为平整的表面，最后执行的低下压力研磨步骤不仅可以去除晶圆上残留的研磨液，还可解决研磨液残留的问题，彻底的清洗晶圆，以进一步提高晶圆的良率。

CMP研磨液及其应用、研磨方法-201510505083.4
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摘要：本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。

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摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆减薄方法，包括步骤S1，提供一衬底，衬底包括相互隔离的边缘区和存储区，在存储区内衬底的上表面制备有通过间隔的第一隔离结构形成的凹槽；步骤S2，沉积一多晶硅层填充凹槽并覆盖第一隔离结构，以及覆盖边缘区内的衬底的上表面；步骤S3，对多晶硅层进行注入并退火；步骤S4，采用刻蚀工艺对存储区内的多晶硅层进行一次减薄；步骤S5，采用化学机械研磨工艺对存储区和边缘区内的多晶硅层进行二次减薄，直至将第一隔离结构的上表面暴露，能够应对采用化学机械研磨效果在晶圆的存储区和边缘区的产生较大差异的情况，晶圆表面平整度高，可靠性高。

一种化学机械抛光液及抛光方法-201210567952.2
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申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种用于硅通孔的化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、络合剂、腐蚀抑制剂和氧化剂。本发明的化学机械抛光液在研磨颗粒含量较低时仍具有较高的二氧化硅、钽、氮化硅的去除速率，铜的去除速率可调。成本较低，可以适用于不同的应用。

一种自限制精确刻蚀硅的方法-201710546763.X
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申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开一种自限制精确刻蚀硅的方法，包括以下步骤Si表面自限制氧化层形成步骤，向真空反应腔内通入氧气，对形成在半导体衬底上的待刻蚀Si层表面进行氧化处理，形成自限制SiO2层，然后将真空反应腔内的残余氧气抽出；选择性化学刻蚀自限制氧化层步骤，通入HF气体，对自限制SiO2层进行选择性刻蚀，然后将真空反应腔内的残余HF及生成气体抽出；重复上述各步骤，直至达到预定Si刻蚀量。本发明具有原子层级的自我限制能力，对设备本身控制能力要求不需要像现有技术方案那么高，有利于降低生产成本以及技术的推广。此外，本发明的自限制精确刻蚀硅的方法不涉及离子定向刻蚀过程，具有明显的各向同性的特点，可以实现三维加工。

用于去除钴的研磨组合物-201480011129.0
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申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供一种钴的机械化学研磨组合物，其例如具有钴的低静态蚀刻、并且提供高的研磨速度以及对于铜的高选择性。一种研磨组合物，其特征在于，其为包含磨粒及一种以上的Co络合剂的研磨组合物，前述研磨组合物具有9以上的pH，前述Co络合剂具有选自膦酸(‑P(＝O)(OH)2)基或羧(‑C(＝O)OH)基中的一种以上的官能团。

一种半导体器件的制造方法-201310057964.5
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摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括步骤S101提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104在所述多晶硅层的内部形成停止层；步骤S105对所述多晶硅层进行CMP，去除所述多晶硅层位于所述停止层上方的部分；步骤S106对所述停止层进行CMP，去除所述停止层。该方法通过在多晶硅层内部形成停止层，使得可以利用光学端点控制的方法对多晶硅层进行CMP，因而可以很好地控制经过CMP处理后保留的多晶硅层的厚度和均一性。

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发明人：黄书豪;曾鸿辉;杨棋铭;黄正吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
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摘要：本揭露是关于一种执行化学机械研磨制程的方法。于部分实施例中，此方法形成具有第一酸碱值的化学机械研磨液。确定化学机械研磨液的目标酸碱值。提供螯合剂至化学机械研磨液，以用于键结金属性离子。螯合剂配置于将化学机械研磨液的酸碱值自第一酸碱值调整至目标酸碱值。通过螯合剂将化学机械研磨液的酸碱调整至目标酸碱值，此方法可达到形成不具有酸碱调节剂的化学机械研磨液，借此降低成本以及化学机械研磨液的复杂性。

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申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/321
摘要：揭示了一种用于脉冲电化学抛光晶圆的方法及装置。该方法包括下述步骤建立占空比表，占空比表揭示了晶圆上所有点、与各点相对应的金属层去除厚度值及与金属层去除厚度值相对应的占空比；驱动夹持并定位晶圆(8)的晶圆夹盘(5)以预设的速度移动，以使得晶圆上一特定点位于向晶圆(8)喷射带电荷的电解液(7)的喷嘴(6)的正上方；查占空比表，获得与该特定点相对应的金属层去除厚度值及占空比；及提供预设的脉冲电源至晶圆(8)及喷嘴(6)，抛光该特定点的实际抛光电源等于与该特定点相对应的占空比乘以预设的脉冲电源。

形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置-201610631559.3
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申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明提供了形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置，形成插塞的方法包括：在衬底上的绝缘夹层图案中形成开口；形成金属层以填充开口；在将衬底按压至第一抛光垫上的同时，在第一时间段内执行第一CMP工艺直至暴露出绝缘夹层图案的顶表面，来抛光金属层；在将衬底按压至第二抛光垫上的同时，在第二时间段内执行第二CMP工艺，以抛光金属层和绝缘夹层图案，从而在绝缘夹层图案中形成金属插塞；以及在保持衬底与第二台板上的第二抛光垫间隔开的同时，对第二抛光垫执行第一清洁处理。

在半导体存储装置中形成金属盖帽的方法-201580026214.9
发明人： M·巴拉基山;边在龙;G·达马拉;李红旗;吕瑾;S·拉马利加姆;朱小云 -专利权人：索尼公司
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摘要：本发明的示例性实施例涉及用于制造半导体存储装置的方法，所述方法包括选择性地淀积材料以在凹陷的单元结构之上形成盖帽，从而防止在氧化的或腐蚀的环境中单元结构内的部件的劣化。

一种阵列基板及其制备方法、显示面板-201610391258.8
发明人：丁向前;白金超;王静 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可以防止阵列基板上的金属线异常放电。该阵列基板包括金属线，所述金属线包括金属层及形成在所述金属层表面绝缘的金属氧化层；其中，所述金属氧化层是通过将所述金属层经过氧化处理得到的。用于防止金属线异常放电。

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摘要：本发明提供了一种能够提高抛光均匀性的晶圆抛光方法。该方法包括如下步骤：对晶圆上的每个点设置一个预设X轴水平移动速度；对晶圆上的每个点设置一个预设旋转速度；获得晶圆上的每个点的实际旋转速度并生成一个旋转速度表；将晶圆上的每个点的实际旋转速度与该点的预设旋转速度作比较得到该点的转速系数；根据晶圆上的每个点的预设X轴水平移动速度及晶圆上的每个点的转速系数计算晶圆上的每个点的实际X轴水平移动速度；当晶圆上的一个特定点位于向晶圆喷射带电的电解液的喷头的正上方时，对晶圆和喷头施加一个预设电源并驱动晶圆以该点的实际旋转速度和实际X轴水平移动速度进行运动。

铝残留的去除方法-201410015037.1
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申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明揭示了一种铝残留的去除方法，包括提供前端结构，所述前端结构至少包括金属铝层；在所述金属铝层中形成多个沟槽，所述沟槽中具有铝残留；涂敷光阻，所述光阻覆盖所述前端结构并填充于所述沟槽中；在对应所述沟槽的光阻处进行曝光，并进行显影，所述显影时间长于设定的标准显影时间。从而将沟槽中的铝残余去除掉，提高了产品质量。

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一种化学机械抛光方法-201210584555.6
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申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法，一种平坦化多晶硅的制造方法，将非晶硅薄膜制备成多晶硅薄膜，包括以下步骤：采用准分子激光对所述非晶硅薄膜经行预结晶处理，形成多晶硅薄膜；对所述多晶硅薄膜的表面进行处理，去除多晶硅薄膜表面的氧化层；再次采用准分子激光对去除表面氧化层的多晶硅薄膜表面进行再次结晶处理。本发明提供的平坦化多晶硅的制造方法，能够有效地降低多晶硅薄膜表面的粗糙度，并且工艺简单方便。

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发明人：李志国 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本申请公开了一种超厚金属层制作方法，该方法应用于射频器件结构中作为的天线的超厚金属层的制作，提供具有顶层金属层的半导体基体，顶层金属层上方沉积介质层并在介质层中形成沟槽，在填充和覆盖沟槽和介质层的金属层之后，在平坦化金属层的过程中，将第一化学机械研磨分为多个阶段，并在每一阶段的分步化学机械研磨之后，进行化学机械研磨后处理，清除分布化学机械研磨过程中附着或者嵌入到金属层表面的研磨颗粒，从而减少超厚金属层的微型伤痕缺陷。

一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺-201310573377.1
发明人：黎威志;王洪;卢斐;徐洁 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种用于非制冷红外焦平面探测器电极图形化的剥离工艺，首先形成第一层牺牲层，然后沉积并刻蚀形成第二层牺牲层，其图形与所需电极引线互补；然后去除第一层牺牲层，之后溅射金属层。最后去除第二层牺牲层，得到所需金属电极引线图形。本发明的方法不受光刻胶限制，可获得大规模非制冷红外探测器所需的极细电极引线图形。同时，该方法不存在湿法刻蚀工艺中对图形的过刻，从而可以保证图形边缘的整齐。此外，该方法避免了使用昂贵的CMP工艺。

一种去除硅纳米晶的方法-201210029850.5
发明人：刘明;王永;王琴;谢常青;霍宗亮;张满红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L21/321
摘要：本发明公开了一种去除硅纳米晶的方法，该方法是采用化学机械研磨的方法实现的，该化学机械研磨是以氮化硅作为研磨的终止层，并且该化学机械研磨是在二氧化硅/氮化硅/硅纳米晶/HTO四层结构生成之后进行的。本发明提供的去除硅纳米晶的方法，用于清除存储器件以外区域的硅纳米晶，具有工艺窗口大，方法简单，可靠性高，与传统CMOS工艺兼容性好，易于批量生产。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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[发明专利]一种平坦化多晶硅薄膜的制造方法在审

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