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[发明专利]冗余金属的填充方法-CN201911368197.3在审
发明人：曹云;于明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供一种冗余图形的填充方法，包括：提供一版图，所述版图上设置有主图形区和冗余图形区；提供至少三组待填充的冗余图形；计算各组所述冗余图形在所述冗余图形区中的图形密度；按照所述图形密度从大到小的顺序将各组所述冗余图形依次填充在所述冗余图形区中本发明中，先填充图形密度大的所述冗余图形可以快速提升所述冗余图形区的有效图形密度；进一步的，按照所述图形密度从大到小的顺序填充所述冗余图形，可以有效减小冗余图形的图形密度差异，从而使得在整个晶片上(主图形区和冗余图形区)达到均匀的有效图形密度，从而改善微负荷效应。
冗余金属填充方法

[发明专利]辅助图形的形成方法和曝光目标图形的修正方法-CN201310745670.1有效
发明人：王铁柱;舒强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法，所述辅助图形的形成方法包括：将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形；将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。所述曝光目标图形的形成方法包括：将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形；建立光刻分辨率限制表；根据所述光刻分辨率限制表，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形可以提高掩膜版的透光率、提高对曝光目标图形进行修正的准确性。
辅助图形形成方法曝光目标修正

[发明专利]曝光目标图形的修正方法-CN201710073602.3有效
发明人：王铁柱;舒强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法，所述辅助图形的形成方法包括：将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形；将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。所述曝光目标图形的形成方法包括：将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形；建立光刻分辨率限制表；根据所述光刻分辨率限制表，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形可以提高掩膜版的透光率、提高对曝光目标图形进行修正的准确性。
曝光目标图形修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法-CN201810175402.3有效
发明人：倪昶 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及掩膜版的制作方法，光学邻近修正方法包括：提供初始光刻掩膜图形；获取初始光刻掩膜图形中的待补偿图形，所述待补偿图形包括交替排列的第一待补偿图形和第二图形，相邻第一待补偿图形和第二图形之间的距离小于第一阈值，第一待补偿图形的宽度和第二图形的宽度均小于第二阈值，第一待补偿图形和第二图形之外的初始光刻掩膜图形为本征图形；将第一待补偿图形修正为第一图形，第一图形包括第一待补偿区和补偿图形区，所述补偿图形区沿第一待补偿区的长度方向与第一待补偿区的端部邻接；对所述本征图形、第一图形和第二图形进行OPC修正，获得修正图形。所述光学邻近修正方法提高了修正图形的分辨率。
光学邻近修正方法掩膜版制作方法

[发明专利]图形化衬底GaN基LED外延片及其制备方法-CN202310573053.1有效
发明人：张彩霞;印从飞;刘春杨;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种图形化衬底GaN基LED外延片及其制备方法，包括图形化衬底及外延层，外延层包括沿外延方向依次生长于图形化衬底上的第一图形填平层、第二图形层、第二图形填平层、第三图形层及第三图形填平层；图形化衬底、第二图形层及第三图形层上分别设有周期性排列的图形结构，图形化衬底、第二图形层及第三图形层上所述图形结构的图形底宽和图形高度逐层递减，图形化衬底、第二图形层及第三图形层上图形结构的数量相同且一一对应设置，各对应的图形结构之间的中线重合。本发明的外延片能够在使用图形底宽大、高度高的衬底的同时，有效减少位错缺陷及内部全反射，光提取效率高，抗静电能力佳。
图形衬底 gan led 外延及其制备方法

[发明专利]建模用光刻图形及其量测方法-CN201410006853.6有效
发明人：钟政;金晓亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种建模用光刻图形及其量测方法，其中所述建模用光刻图形，包括：呈行列分布的若干基准图形，每个基准图形包括若干间隔分布的第一线状图形；位于相邻的基准图形之间的辅助图形，所述辅助图形包括位置图形和数据图形，所述位置图形用于定位相邻的基准图形的参考位置信息和数据图形的参考位置信息，所述数据图形用于在定位基准图形所在行或列的信息。
建模用光图形及其方法

[发明专利]石墨烯量子电容测试器件及其制备方法-CN201210331552.1有效
发明人：肖柯;吴华强;吕宏鸣;钱鹤;伍晓明 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。
石墨量子电容测试器件及其制备方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、移位寄存器和栅极驱动电路-CN202010589567.2在审
发明人：王庆贺;苏同上;汪军;黄勇潮;王海涛;刘宁;成军;胡迎宾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本公开提供了一种薄膜晶体管，包括：至少一个有源层图形，有源层图形包括：第一导体化图形、第二导体化图形以及位于第一导体化图形和第二导体化图形之间的半导体图形；栅极，位于有源层图形的一侧且与有源层图形之间绝缘；第一极和第二极，位于栅极背向有源层图形，分别与第一导体化图形和第二导体化图形电连接；至少一个有源层图形中的半导体图形配置有对应的导电屏蔽图形，导电屏蔽图形位于半导体图形背向栅极的一侧且与第一极电连接，导电屏蔽图形与半导体图形之间设置有缓冲层；导电屏蔽图形在其所对应的半导体图形所处平面上的正投影，至少部分覆盖其所对应的半导体图形。
薄膜晶体管及其制备方法移位寄存器栅极驱动电路

[发明专利]改变闸级截断设计的反相器版图-CN202210235441.4在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形
改变截断设计反相器版图

[发明专利]改变闸级截断设计的反相器版图-CN202210235439.7在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形
改变截断设计反相器版图

[发明专利]一种图形的修正方法、存储介质-CN202310332947.1在审
发明人：王茂林;解光霞 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种图形的修正方法、存储介质，图形的修正方法包括：获取初始图形，基于预设拆分方法将初始图形拆分为多组预设图形，基于每组预设图形，获取与预设图形对应的预设修正模型。基于预设修正模型对与预设修正模型对应的预设图形进行修正，获得与预设图形对应的目标修正图形，对多组目标修正图形进行合并，获得与初始图形对应的目标图形。本公开对初始图形中的多组预设图形分别采用一个对应的预设修正模型进行修正，得到相应的目标修正图形，以提高预设图形的修正准确度，再将多个目标修正图形进行合并，从而得到与初始图形对应的目标图形，目标图形的修正准确性较高，以使得采用目标图形所形成的半导体器件具有良好的电学性能。
一种图形修正方法存储介质

[发明专利]图形删除系统及方法-CN200710200354.0无效
发明人：常春明 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种图形删除系统及方法，该方法包括如下步骤：选择一个图形；判断所述选择的图形是否是封闭的；若所述选择的图形是封闭的，则进一步选择需要删除的图形，然后获取与所述封闭图形相交的所有图形及图形的属性，求出所述封闭图形与所相交的图形的相交点及其坐标；将所述相交图形拆分成基本图形，并将拆分后的基本图形按照原来图形分组保存到数据库中；将所述分组后的基本图形按照求出的相交点分段打断，保存各分组打断后的基本图形到数据库；获取需要删除的基本图形，将其删除；串接所述分组中各个组剩下的图形，将各个图形原先的属性复制到串接后的图形。利用本发明可以自动删除封闭图形里面或外面的图形。
图形删除系统方法

[发明专利]内容寻址存储器单元结构的版图-CN202210624910.1在审
发明人：吴栋诚;范茂成 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G11C15/04 文献下载
摘要：本发明提供一种内容寻址存储器单元结构的版图，包括传输管图形，传输管图形包括第一至第五传输管图形；下拉管图形，下拉管图形包括第一、二下拉管图形；上升管图形，上升管图形包括第一、二上升管图形；第一、四传输管图形和第一下拉管图形依次分布，且第一、四传输管图形、第一下拉管图形的有源区图形连在一起；第二下拉管图形、第五、三传输管图形依次分布，且第二下拉管图形、第五、二、三传输管图形的有源区图形连在一起；第一、二上升管图形分别设在第一下拉管图形、第一上升管图形的一侧，使得传输管图形、下拉管图形和上升管图形为非对称分布。
内容寻址存储器单元结构版图

[发明专利]OPC图形生成方法-CN202010159531.0有效
发明人：王聪玉;金晓亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种OPC图形生成方法，涉及半导体光刻技术领域。该方法包括生成基础图形生成库，基础图形生成库用于生成基础图形，基础图形的形状包括线型和孔型；调用基础图形生成库，根据预定设计图形生成基础图形，并组合基础图形生成初始OPC图形；利用加权函数和初始OPC图形中的线端位置确定待添加的头部图形的尺寸，加权函数用于计算线端的权重；根据待添加的头部图形的尺寸，对初始OPC图形中的线端添加对应的头部图形，得到目标OPC图形；解决了目前大量生成OPC图形效率低、容易出错的问题；达到了自动生成OPC图形，优化对OPC图形的仿真结果，提高OPC图形的生成速度和准确率的效果。
opc 图形生成方法

[发明专利]掩膜图形的形成方法-CN201310745658.0有效
发明人：王铁柱 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种掩膜图形的形成方法，所述掩膜图形的形成方法包括：提供待刻蚀图形；将所述待刻蚀图形拆分为第一掩膜图形和初始第二掩膜图形，所述第一掩膜图形内包括若干第一图形，所述初始第二掩膜图形内包括若干第二图形；在所述初始第二掩膜图形内加入第二可曝光散射图形，所述第二可曝光散射图形的位置与第一图形的位置分离。所述掩膜图形的形成方法可以提高工艺窗口，以及曝光图形的准确性。
图形形成方法