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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件-CN200810174477.6无效
发明人：朴振镐 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-11-07 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了具有位线和反相位线的半导体器件的实施例。该位线和该反相位线设置为跨过衬底而交替延续。该半导体器件的距离最近的位线、反相位线、电源线和地线中的至少两个形成在不同的层上，以减少由于线之间的微粒而产生的缺陷并增加产出量。
半导体器件

[发明专利]减轻对长信号线的外部影响-CN201310690567.1无效
发明人：扬戈;林宏国;张曦;余佳妮;龚海燕 -专利权人：辉达公司
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，存储器阵列的列包括配置为上拉列的位线的第一和第二晶体管。列包括第三晶体管，其配置为响应于列的反相位线的电平而有选择地上拉列的位线，以及第四晶体管，其配置为响应于列的位线的电平有选择地上拉列的反相位线。列进一步包括第五和第六晶体管，其配置为响应于钳制信号而有选择地上拉位线和反相位线，以及第七晶体管，其配置为响应于钳制信号而有选择地耦连列的位线和列的反相位线。
减轻信号线外部影响

[发明专利]存储单元及存储器-CN202310128239.6在审
发明人：朱家国;周戬 -专利权人：苏州宽温电子科技有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：该存储单元包括：第一上拉晶体管连接存储节点和电源电压；第二上拉晶体管连接反相存储节点和电源电压；第一端口模块包括第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一字线、第一位线和第一反相位线，第一传输晶体管连接存储节点、第一位线和第一字线，第二传输晶体管连接反相存储节点、第一反相位线和第一字线；第二端口模块包括第三传输晶体管、第四传输晶体管、第二字线、第二位线和第二反相位线，第三传输晶体管连接存储节点、第二位线和第二字线，第四传输晶体管连接反相存储节点、第二反相位线和第二字线。
存储单元存储器

[发明专利]半导体存储器及检测其位线的方法-CN200510089338.X有效
发明人：李炫锡;崔钟贤;千基喆;李宗彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-02 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：半导体存储器及检测其位线的方法。该半导体存储器包括一第一存储单元，其连接在一通过一第一地址存取的第一字线与一反相位线之间；一第二存储单元，其连接在一通过一第二地址存取的第二字线与一位线之间；一第一型检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，如果在一第一启动信号上施加一第一电压，使一第一型第一MOS晶体管检测该反相位线及一第一型第二MOS晶体管检测该位线、一第二型第一检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第一MOS晶体管的检测能力比第二型第二MOS晶体管好；以及一第二型第二检测放大器，其串接在该位线与该反相位线之间，其中第二型第四MOS晶体管的检测能力比第二型第三MOS晶体管好。
半导体存储器检测方法

[发明专利]具反熔丝型差分记忆胞的随机码产生器及相关感测方法-CN201810360166.2有效
发明人：陈勇叡;黄志豪 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种随机码产生器，包括：一记忆胞阵列，包括多个反熔丝型差分记忆胞；一感测电路，具有一输入端与一反相输入端。当该记忆胞阵列中的一第一反熔丝型差分记忆胞被选择为一选定记忆胞时，该选定记忆胞的一位线连接至该感测电路的该输入端，且选定记忆胞的一反相位线连接至该感测电路的该反相输入端。于一读取动作时，该感测电路根据该位线的一第一充电电流以及该反相位线的一第二充电电流判断该选定记忆胞的一储存状态，并决定一随机码的一个位。
具反熔丝型差分记忆随机产生器相关方法

[发明专利]存储器装置-CN200710084685.2无效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-03-01 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种双端口静态随机存取存储单元包括至少一组交叉连接的反相器，连接于电源线与互补电源线之间，多个旁栅晶体管，连接上述交叉连接的反相器至位于存储器装置中的第一金属层内的第一位线、第一反相位线、第二位线以及第二反相位线
存储器装置

[发明专利]反相位耦合椭圆函数螺旋滤波器-CN200910090008.0有效
发明人：王小林;毛国振;倪大宁;邱润锁;吴须大 -专利权人：西安空间无线电技术研究所
申请日： 2009-07-23 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：反相位耦合椭圆函数螺旋滤波器，包括螺旋滤波器腔体、螺旋滤波器盖板、SMA接头、频率调试螺钉、耦合调试螺钉、堵板、n个谐振器和m个反相位耦合机构，n是≥3的整数，m是≥1的整数，谐振器包括聚四氟乙烯介质骨架和正相位螺旋线圈，正相位螺旋线圈绕在聚四氟乙烯介质骨架上，反相位耦合机构包括两个反相位螺旋线圈和一个反相位馈电电缆，反相位耦合线圈从正相位螺旋线圈的接地位置反向绕制在聚四氟乙烯介质骨架上，其绕制方向与正相位线圈方向相反，产生了反相电流，在不增加体积、重量和损耗的前提下，在滤波器的带外形成了一对或多个衰减极点，使得带外抑制大大提高。
相位耦合椭圆函数螺旋滤波器

[发明专利]一种支持列选结构的亚阈值10管存储单元-CN201910022574.1在审
发明人：温亮;吕建平;刘玉;孟春宁;张静;卢艳;漆世钱 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持列选结构的亚阈值10管存储单元，包括位线、反相位线、字线、PMOS上拉管对、第一反相器、第二反相器、读电路和写电路，PMOS上拉管对包括第一PMOS管和第二PMOS管，第一反相器包括第三PMOS管和第一NMOS管，第二反相器包括第四PMOS管和第二NMOS管，读电路包括第三NMOS管和第四NMOS管，写电路包括第五NMOS管和第六NMOS管；优点是在执行读操作时不会出现读破坏现象，不会破坏它之前存储的数据
反相器读电路管存储上拉管写电路反相位线读操作位线字线存储

[发明专利]抗辐射SRAM单元-CN201410168019.7有效
发明人：刘梦新;赵发展;刘鑫;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供了一种改进的抗辐射SRAM存储单元，该单元包括：反相器结构，包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构，其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管或PMOS管和另一个反相器结构的一个NMOS管或PMOS管的栅电压；传输结构，由第五NMOS管、第六NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点；稳定控制结构，用于对存储节点进行控制，由两个NMOS管构成。
辐射 sram 单元

[发明专利]采用P-P-N与P-N-N混合结构的10管存储单元-CN201910030247.0有效
发明人：温亮;卢艳;孟春宁;吕建平;路士兵;赵强;漆世钱 -专利权人：中国人民武装警察部队海警学院
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用P‑P‑N与P‑N‑N混合结构的10管存储单元，包括位线、反相位线、字线、写字线、P‑N‑N型反相器、P‑P‑N型反相器和读写选择电路，P‑N‑N型反相器包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管，第一MOS管为P型MOS管，P‑P‑N型反相器包括第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管，读写选择电路包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管；优点是具有较高的读写噪声容限
采用混合结构 10 存储单元

[发明专利]抗辐射SRAM单元-CN201410223064.8有效
发明人：刘鑫;刘梦新;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供了一种改进的抗辐射SRAM存储单元，该单元包括以下结构反相器结构，包括第一反相器结构、第二反相器结构、第三反相器结构、第四反相器结构，其中反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由两个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线j反相位线、字线和存储节点
辐射 sram 单元

[发明专利]一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元-CN201410208999.9有效
发明人：刘梦新;刘鑫;赵发展;韩郑生 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于DICE结构的改进SRAM存储单元，该单元包括以下结构：4个反相器结构，所述反相器结构由PMOS管和NMOS管串联形成，PMOS管漏极和NMOS管漏极之间作为存储节点，每个存储节点控制其它反相器结构的一个NMOS管和另一个反相器结构的一个PMOS管的栅电压；传输结构，由4个NMOS管构成，其源极、栅极和漏极分别接位线/反相位线、字线和存储节点。
一种基于 dice 结构改进 sram 存储单元

[发明专利]感测放大器和使用感测放大器的半导体集成电路-CN201010100865.7无效
发明人：文眞永 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种防止与反相器对中的偏移相关联的故障的感测放大器。该感测放大器包括反相器对和控制器。反相器对的任一个输入端电连接到位线，而另一个输入端电连接到/位线。控制器配置为响应于第一控制信号，将位线和/位线预充电到与反相器对的偏移相应的电平。控制器响应于第二控制信号，通过将反相器对的输出端连接到位线对，使用反相器对来感测位线和/位线的电压差。
放大器使用半导体集成电路

[发明专利]一种随机存储器及其位线处理电路-CN202111666020.9在审
发明人：王美锋;支凡 -专利权人：兆易创新科技集团股份有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本申请公开了一种随机存储器及其位线处理电路，该位线处理电路包括：初始化模块，在预充电阶段，初始化模块用于将目标位线和互补位线充电至初始化电位；灵敏放大模块，包括：第一反相单元，在存储单元开启时，目标位线电压从初始化电位发生偏移，第一反相单元基于偏移的目标位线电压翻转，将互补位线电压拉至第一逻辑的强电位；第二反相单元，在互补位线电压被拉至第一逻辑的强电位时，第二反相单元基于互补位线电压翻转，将目标位线电压拉至第二逻辑的强电位；其中，初始化电位为第一反相单元和第二反相单元的翻转临界点电位。
一种随机存储器及其处理电路

[实用新型]电子器件、SRAM单元和SRAM阵列-CN201721531527.2有效
发明人： H·拉瓦特;A·帕沙克 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G11C11/417 文献下载
摘要：该电子器件包括位线和互补位线、交叉耦合的第一反相器和第二反相器、耦合在互补位线与第一反相器之间的第一传输门、以及耦合在位线与第二反相器之间的第二传输门。电子器件还包括交叉耦合的第三反相器和第四反相器、耦合在互补位线与第三反相器之间的第三传输门、以及耦合在位线与第四反相器之间的第四传输门。第一、第二和第四反相器在电源节点与参考节点之间被供电，并且第三反相器在浮置节点与参考节点之间被供电。第一传输门和第三传输门并联耦合。
反相器传输门电子器件耦合互补位线参考节点交叉耦合在位线供电并联耦合电源节点浮置位线

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