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[发明专利]气体阻隔性膜、使用它的气体阻隔性膜材和使用它们的电子设备、以及气体阻隔性膜的制造方法-CN201780046487.9在审
发明人：森孝博 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2017-07-11 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体阻隔性膜，在厚度方向进行XPS组成分析时得到的原子组成分布曲线中，由M1M2_xN_y表示组成时，具有满足下述式(1)和下述式(2)的区域(a)M1M2_xN_y，0.2≤x≤3.0(1)，0.6≤y≤1.4(2)，x：过渡金属M2与非过渡金属M1原子的存在原子比，y：氮原子与非过渡金属M1原子的存在原子比
气体阻隔性膜过渡金属式( 1 )式( 2 )原子比与非高温高湿环境水蒸气阻隔性电子设备分布曲线原子组成氮原子弯曲性制造分析

[发明专利]有机硅材料、可固化有机硅组合物和光学器件-CN201610177449.4有效
发明人：吉田真宗;饭村智浩 -专利权人：道康宁东丽株式会社
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机硅材料，根据X射线光电子光谱学(ESCA)，以所述有机硅材料表面的元素组成百分比计，所述有机硅材料满足以下条件中的任一项：(i)碳原子的所述元素组成百分比为50.0到70.0原子％；(ii)碳原子的所述元素组成百分比与硅原子的所述元素组成百分比的比率(C/Si)为2.0到5.0；或(iii)上述条件(i)和(ii)同时满足。
有机硅材料固化组合光学器件

[发明专利]制备含有抗菌金属的抗菌材料的方法-CN93107703.6无效
发明人：Ｒ·Ｅ·伯勒尔;Ｌ·Ｒ·莫里斯 -专利权人：韦斯泰姆生物医药公司
申请日： 1993-05-18 - 公布日： 2001-06-06 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成含有一种或多种抗菌金属的抗菌材料的方法，该方法的特征在于在含有一种或多种从Ag、Au、Pt、Pd、Ir、Sn、Cu、Zn和它们的合金以及它们的化合物中选出的抗菌金属结晶材料中，在限制用以保护其中原子无序的扩散的条件下造成原子无序产生原子无序的优选条件包括比正常低的底基温度、比正常高的工作气压、镀料流比正常小的入射角。应用此抗菌材料在医疗器械表面形成镀膜，在此镀膜中所产生的原子无序，使其能持续地释放足以产生抗菌作用的金属离子。
制备含有抗菌金属抗菌材料方法

[发明专利]软磁材料，粉末磁芯和制备软磁材料的方法-CN200580018347.8有效
发明人：前田彻;五十岚直人;丰田晴久;久贝裕一;林一之;森井弘子;石谷诚治 -专利权人：住友电气工业株式会社;户田工业株式会社
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01F1/24 文献下载
摘要：在与金属磁性颗粒(10)接触的绝缘包覆层(20)的接触表面中包含的Fe的原子比大于在绝缘包覆层(20)的表面中包含的Fe的原子比。在与金属磁性颗粒(10)接触的绝缘包覆层(20)的表面中包含的Al的原子比小于在绝缘包覆层(20)的表面中包含的Al的原子比。由此结构，可以减少铁损。
材料粉末制备方法

[发明专利]锡合金镀液-CN201980037541.2有效
发明人：巽康司 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C25D3/60 文献下载
摘要：一种锡合金镀液，其含有可溶性锡盐、比锡难氧化的金属的可溶性盐及由下述通式(1)表示的硫化合物。式(1)中，(A)是不含有氧原子且碳原子数为1～2的烃基，或(A)是氧原子数为1以上且碳原子数为2～6的烃基。比锡难氧化的金属优选为银、铜、金或铋。
合金

[发明专利]紫外线发光二极管用多量子阱及其制造方法-CN201280035692.2在审
发明人：赵炳求;闵在植;权世薰 -专利权人：芯片科技有限公司
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外线发光二极管用多量子阱，包括：Alx1Ga1-x1N势垒部，其交替配置有AlN势垒原子层与所述AlN势垒原子层上的GaN势垒原子层；以及Alx2Ga1-x2N量子阱部，其在所述Alx1Ga1-x1N势垒部上形成并交替配置有AlN阱原子层与在所述AlN阱原子层上形成的GaN阱原子层，其中，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）为0至0.7，所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2）为0至0.7，所述Alx1Ga1-x1N势垒部的Al组成比（x1）大于所述Alx2Ga1-x2N量子阱部的Al组成比（x2），所述Alx1Ga1-x1N势垒部与所述Alx2Ga1-x2N量子阱部交替层叠
紫外线发光二极管用多量及其制造方法

[发明专利]感光性树脂组合物、遮光膜及显示装置-CN202111106583.2在审
发明人：尾畑恵美;小野悠树 -专利权人：日铁化学材料株式会社
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：在将由特定平均膜厚的前述感光性树脂组合物的硬化物所构成的膜成膜于玻璃基板上，并以对该膜进行元素分析而求取特定的原子比(X)、(Y)及(Z)时，原子比(Y)的值为原子比(X)的值的1.1至10倍，原子比(Z)的值为原子比(X)的值的0.5至2.8倍。
感光性树脂组合遮光显示装置

[发明专利]氧化物半导体膜、薄膜晶体管、氧化物烧结体以及溅射靶-CN201880012548.4有效
发明人：井上一吉;柴田雅敏 -专利权人：出光兴产株式会社
申请日： 2018-02-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/363 文献下载
摘要：一种氧化物半导体膜，其特征在于，以下述原子比含有In、Ga以及Sn，0.01≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.30…(1)0.01≦Sn/(In+Ga+Sn)≦0.40…(2)0.55≦In/(In+Ga+Sn)≦0.98…(3)，且以下述原子比含有稀土元素X，0.03≦X/(In+Ga+Sn+X)≦0.25…(4)。
氧化物半导体薄膜晶体管烧结以及溅射

[发明专利]氧化还原液流电池电极用碳催化剂-CN201780011412.7在审
发明人：岸本武亮;水尻真由美 -专利权人：日清纺控股株式会社
申请日： 2017-02-03 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01M8/18 文献下载
摘要：使用通过X射线光电子能谱法表面分析测定的氧原子数相对于碳原子数的比(O/C比)为0.05‑0.20的氧化还原液流电池电极用碳催化剂，制作氧化还原液流电池用电极。
氧化还原液流电池碳催化剂电极表面分析碳原子数氧原子数制作

[发明专利]液体排出头-CN201380025307.0有效
发明人：竹内创太;小室博和;初井琢也;樱井诚;安田建;永持创一朗;宇山刚矢;南圣子;樋口广志 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：液体排出头具有基板、产生用于排出液体的能量的能量产生元件和其中形成排出液体的排出口的孔板，其中孔板含有硅和碳并且当硅的含量比定义为X(原子％)和碳的含量比定位为Y(原子％)时，Y/X为0.001以上。
液体出头

[发明专利]切削工具-CN202080088681.5在审
发明人：安德烈亚斯·布卢姆克维斯特;乔斯·路易斯·加西亚;埃里克·霍尔姆斯特伦 -专利权人：山特维克科洛曼特公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B22F3/24 文献下载
摘要：所述硬质合金具有3重量％～13重量％的Fe+Ni+Co+Cr含量以及0.05Fe/(Fe+Ni+Co+Cr)0.35的原子比以及0.05Ni/(Fe+Ni+Co+Cr)0.35的原子比以及0.05Co/(Fe+Ni+Co+Cr)0.35的原子比以及0.05Cr/(Fe+Ni+Co+Cr)0.35的原子比。在所述切削工具的前刀面上所测量的W比在所述切削工具的本体区域的横截面上所测量的W高至少25％。
切削工具

[发明专利]显影辊、电子照相处理盒和电子照相图像形成设备-CN200910172157.1有效
发明人：阿多洋辅;阿南严也 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2009-09-10 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： G03G15/08 文献下载
摘要：所述覆盖层包括含化学键合至硅原子的碳原子的氧化硅膜。在所述氧化硅膜中，通过使用高频辉光放电光发射表面分析方法检测，硅、氧、碳和氢的元素总数相对于全部检测元素数的比例为90％以上。所述氧化硅膜具有化学键合至硅原子的氧原子与硅原子的丰度比(O/Si)为0.65以上至1.95以下，和化学键合至硅原子的碳原子与硅原子的丰度比(C/Si)为0.05以上至1.65以下，以及具有沿覆盖层厚度方向的
显影电子照相处理图像形成设备

[发明专利]钻孔用盖板和使用其的钻孔加工方法-CN201680017029.8有效
发明人：龟井孝幸;松山洋介;小柏尊明 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： B26F1/16 文献下载
摘要：一种钻孔用盖板，其具备：金属箔；和，不夹设粘接层而形成于该金属箔上的树脂组合物的层，前述树脂组合物的层在红外线光谱分析中具有1700～1750cm^‑1处出现的碳原子‑氧原子双键的峰、和1080～1300cm^‑1处出现的碳原子‑氧原子单键的峰，且将前述1700～1750cm^‑1处出现的碳原子‑氧原子双键的峰的吸光度设为Abs(C＝O)L、前述1080～1300cm^‑1处出现的碳原子‑氧原子单键的峰的吸光度设为Abs(C‑O)L时，下述式(1)所示的前述树脂组合物的层的吸光度比(C)为0.12～1.80。吸光度比(C)＝Abs(C＝O)L/Abs(C‑O)L式(1)。
钻孔盖板使用加工方法

[发明专利]利用还原矿粉生产锰铁原子比可控的MnSO4-CN202310395218.0在审
发明人：肖宏;潘俊源;梁余威;赵思思;黄乃俊;罗扬 -专利权人：广西埃索凯新材料科技有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C22B47/00 文献下载
摘要：本发明公开了利用还原矿粉生产锰铁原子比可控的MnSO4‑FeSO4混合晶体的方法，利用还原矿粉生产锰铁原子比可控的MnSO4‑FeSO4混合晶体有利于新能源材料企业从原材料方面把控，保证产品质量的稳定性，生产锰铁原子比可控的MnSO
利用原矿生产锰铁原子可控 mnso base sub

[发明专利]一种评价干酪根类型的方法-CN201410019121.0无效
发明人：林腊梅;刘苏 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2014-01-16 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种评价干酪根类型的方法，通过恢复干酪根原始H/C原子比，以干酪根原始H/C原子比这个参数来数值化、定量、连续表征干酪根生烃潜力，进而评价干酪根的类型。本发明通过干酪根原始H/C原子比这个参数对干酪根类型进行连续数值化评价，可避免人为因素及干酪根热演化程度的影响，评价结果准确，且更切合有机质向油气转化的本质，对生产实际的指导性强。
一种评价干酪类型方法