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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相移空白掩膜和光掩膜-CN201810513173.1有效
发明人：南基守;申澈;金东建;李钟华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
相移空白光掩膜

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN201811558340.0有效
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。
空白光掩模

[发明专利]用于加氢反应的催化剂及其制备方法-CN202280005731.8在审
发明人：黄善焕;高东铉;车京龙;朴荣焕;崔珉箕 -专利权人：株式会社LG化学;韩国科学技术院
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B01J23/44 文献下载
摘要：根据本申请的一个示例性实施方案的用于加氢反应的催化剂包含：多孔载体；负载在所述多孔载体上的催化剂组分；和在所述多孔载体和所述催化剂组分的表面的至少一部分上设置的聚合物，该聚合物包含由化学式1表示的重复单元。
用于加氢反应催化剂及其制备方法

[发明专利]用于氢化反应的催化剂及其制造方法-CN202080019353.X在审
发明人：徐明志;高东铉;崔珉箕;玄京林 -专利权人：株式会社LG化学;韩国科学技术院
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J23/44 文献下载
摘要：根据本申请的一个示例性实施方案的用于氢化反应的催化剂包括：聚合物载体；和负载在所述聚合物载体上的催化组分，其中，所述聚合物载体包含由下面式1或式2表示的重复单元。
用于氢化反应催化剂及其制造方法

[发明专利]用于氢化反应的催化剂及其制造方法-CN202080014794.0在审
发明人：徐明志;高东铉;崔珉箕;李松炫 -专利权人：株式会社LG化学;韩国科学技术院
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： B01J31/28 文献下载
摘要：根据本申请的一个示例性实施方式的用于氢化反应的催化剂包含：聚合物载体；和负载在所述聚合物载体上的催化组分，其中，所述聚合物载体包含由下面式1表示的重复单元。
用于氢化反应催化剂及其制造方法

[发明专利]用于氢化反应的催化剂及其制造方法-CN202080014919.X在审
发明人：徐明志;高东铉;崔珉箕;崔然宇 -专利权人：株式会社LG化学;韩国科学技术院
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B01J23/44 文献下载
摘要：根据本申请的一个示例性实施方案的用于氢化反应的催化剂包括：聚合物载体；和负载在所述聚合物载体上的催化组分，其中，所述聚合物载体包含由下面式1表示的重复单元。
用于氢化反应催化剂及其制造方法

[发明专利]空白罩幕以及光罩-CN201980085968.X在审
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协;公拮寓 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。
空白以及

[发明专利]空白掩模及利用其制备的光掩模-CN201510640051.5有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;全永眺 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G03F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种空白掩模和光掩模，控制光屏蔽膜的金属及轻元素成分，以便光屏蔽膜可保证光屏蔽效率，增加刻蚀速度，变得更薄，并具有最小的表面电阻。为此，根据本发明的空白掩模包括至少一个位于透明基板上的光屏蔽膜，所述光屏蔽膜包括毗邻所述基板的第一光屏蔽层和形成于所述第一光屏蔽层上面的第二光屏蔽层，所述第一和第二光屏蔽层包含铬(Cr)和钼(Mo)。
空白利用制备光掩模

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN202010401171.0在审
发明人：申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。
空白光掩模

[发明专利]相移空白掩模及光掩模-CN201510848681.1有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造光掩模的空白掩模，其可实现32nm级以下，优选地，14nm级以下，更优选地，10nm级以下的微细图案。为此，在透明基板上提供相移膜、光屏蔽膜、刻蚀阻止膜和硬膜，所述光屏蔽膜具有成分不同的两层或多层的多层结构，其中一种必须包含氧(O)，必须包含氧(O)的光屏蔽层占光屏蔽膜总厚度的50％‑100％，所述相移膜具有10％‑50％的透射率。
相移空白光掩模

[发明专利]相位反转空白掩模及光掩模-CN201510421048.4有效
发明人：南基守;申澈;梁澈圭;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模，相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层，每单位厚度的曝光波长的光密度更高，第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70％～90％。这种空白掩模可确保遮光性，改善刻蚀速度，且可薄膜化抗蚀膜的厚度，从而可实现微细图案。
相位反转空白光掩模

[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模-CN201510126156.9有效
发明人：南基守;梁澈圭;姜亘远;申澈;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社S&;S技术
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模。所述空白掩模可以适用于在所述光掩模的制造之后通过在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失，以使得在光掩模的制造方法中在洗涤工艺和硬膜图案的去除工艺期间，当执行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除工艺时，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失，由此确保厚度均匀性。
空白使用光掩模

[发明专利]负载金属的阴离子交换树脂及使用它补救有毒阴离子的方法-CN201510125040.3有效
发明人： 崔珉箕;金柔奈 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： B01J41/12 文献下载
摘要：本发明提供一种利用负载金属阴离子交换树脂去除废水中有毒阴离子(ClO4‑)和(NO3‑)的方法，更具体地说，负载氢活化金属或者同时负载氢活化金属和再生金属的阴离子交换树脂，以及利用它去除有毒阴离子的方法。根据本发明，有毒阴离子可使用负载还原催化剂的阴离子交换树脂有效地离子交换和去除，阴离子交换树脂可容易再生，并且能源和还原剂的消耗可减少，从而可以用于从实际的水净化系统中去除有毒阴离子。
负载金属阴离子交换树脂使用补救有毒方法

[发明专利]在结构塌陷的沸石中含有金属簇的催化剂及其用途-CN201480022989.4有效
发明人： 崔珉箕;任柱焕;金度完;金度京;金泰禛;吴承勋;石泰洪 -专利权人： SK新技术株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B01J29/06 文献下载
摘要：本发明涉及基于氢溢流的催化剂及其用途，其中氢活化金属簇以被包封在结晶性或无定形的铝硅酸盐基体中的形式而分散，所述铝硅酸盐基体为在结构上部分或全部塌陷的沸石，从而表现出高的加氢处理或脱氢活性和受抑制的C‑C氢解活性。
结构塌陷沸石中含有金属催化剂及其用途

[发明专利]相移空白掩模及其制造方法-CN201310163203.8有效
发明人：南基守;姜亘远;金东建;张种沅;崔珉箕 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2013-04-25 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种相移空白掩模，其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此，包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供，所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外，可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级，这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此，可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。
相移空白及其制造方法

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