“尹喆镇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]制造DMOS器件的方法-CN200710302134.9无效
发明人： 尹喆镇 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法，具体是制造DMOS器件的方法。所述半导体器件可以为漏极扩展的金属－氧化物－半导体(DMOS)器件。所述方法包括：在具有有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极；通过使用栅极作为掩模注入低浓度杂质离子在半导体衬底上形成低浓度源极区和低浓度漏极区；在栅极的侧面上形成隔离物；在半导体衬底上形成覆盖栅极和低浓度漏极区的一部分的硅化物区域阻挡(SAB)图案；和通过使用SAB图案作为掩模注入高浓度杂质离子在半导体衬底上形成高浓度源极区和高浓度漏极区。
制造 dmos 器件方法

1
共 1 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top