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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202211194996.5在审
发明人：金注男;朴世准;李载德;金嘉银 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件，可以包括：多个栅电极，在衬底上在竖直方向上彼此间隔开；多个沟道结构，贯穿多个栅电极并在竖直方向上延伸；以及多条位线，布置在多个沟道结构上并连接到多个沟道结构。多条位线可以包括在彼此不同的竖直高度处以构成至少两个层的多条下位线和多条上位线。多条上位线可以在第一水平方向上彼此间隔开，并在与第一水平方向垂直的第二水平方向上彼此平行地延伸。可以在多条下位线中的彼此相邻的两条下位线之间限定下扩展空间。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]半导体存储设备和包括半导体存储设备的储存系统-CN202210790675.5在审
发明人：李惠志;姜振圭;李来泳;朴世准;李载悳;韩龟渊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：一种半导体存储设备，包括源极层、沟道结构、在源极层上且在沟道结构的侧壁上间隔开的栅电极，以及公共源极线。栅电极包括第一字线组和第二字线组，第一字线组包括第一栅电极和第二栅电极，第二字线组包括第三栅电极和第四栅电极。响应于公共源极线的电压达到目标电压，半导体存储设备使得在第一擦除操作间隔中将抑制电压施加到第二字线组并将擦除电压施加到第一字线组，并且在第二擦除操作间隔中将抑制电压施加到第一字线组并将擦除电压施加到第二字线组。
半导体存储设备包括储存系统

[发明专利]半导体器件和包括半导体器件的电子系统-CN202210859705.3在审
发明人：李载德;金注男;朴世准;李来泳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：外围电路结构；存储单元块，布置在外围电路结构上并包括串，该串中的每一个包括串联连接并且在竖直方向上堆叠的下选择晶体管、存储单元晶体管和上选择晶体管；以及位线，在存储单元块上。位线可以包括与串中的第一串至第三串电连接的第一位线。第一串至第三串的下选择晶体管分别包括第一下选择栅电极至第三下选择栅电极。第二下选择栅电极可以布置在与第一下选择栅电极不同的竖直层级处，而第三下选择栅电极可以布置在与第一下选择栅电极相同的竖直层级处。
半导体器件包括电子系统

[发明专利]非易失性存储器件-CN202110957396.9在审
发明人：韩龟渊;姜振圭;李来泳;朴世准;李载德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括与多条字线、多条位线和公共源极线连接的非易失性存储块；公共源极线驱动器，被配置为向所述公共源极线提供公共源极线电压；页缓冲器单元，被配置为向多条位线中的至少一条提供位线电压；控制逻辑电路，被配置为调整公共源极线电压和位线电压；以及通道初始化电路，其中所述通道初始化电路针对初始化脉冲来设置公共源极线电压和位线电压，并且所述通道初始化电路在多个读区段之间施加初始化脉冲，其中，在多个读区段中，向多条字线中的至少两条施加读电压。
非易失性存储器

[发明专利]半导体装置-CN202110703157.0在审
发明人：金佑疆;朴世准;方孝济;李载德;李正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：堆叠结构，其包括在竖直方向上间隔开的栅极层和层间绝缘层；沟道孔，其在竖直方向上穿透堆叠结构；核心区，其在沟道孔内延伸；沟道层，其设置在核心区的侧表面上；第一介电层、数据存储层和第二介电层，其设置在沟道层和栅极层之间；以及焊盘图案，其设置在核心区上、在沟道孔中、并且与沟道层接触。最上栅极层的第一部分的侧表面与沟道层的外侧表面之间的第一水平距离大于最上栅极层的第二部分的侧表面与焊盘图案的外侧表面之间的第二水平距离。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201610809546.0有效
发明人： 朴世准;尹壮根;黄盛珉;文安植;夏志良 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：交替并重复地堆叠在衬底上的多个绝缘图案和多个栅极；在基本垂直于衬底上表面的第一方向上延伸穿过栅极的沟道图案；在沟道图案和衬底之间的半导体图案；以及在沟道图案和半导体图案之间的导电图案。导电图案将沟道图案电连接到半导体图案。导电图案接触沟道图案的底部边缘和半导体图案的上表面。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010272722.8在审
发明人：姜振圭;张佑在;李昌燮;朴世准;李载德;李正勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：一种三维半导体存储器件包括：包括交替堆叠的栅结构和第一电介质图案的堆叠结构；穿透堆叠结构的垂直沟道；以及从垂直沟道和第一栅结构之间延伸到垂直沟道和第一电介质图案之间的电荷存储层。栅结构包括具有彼此面对且具有不同宽度的顶表面和底表面的第一栅结构。电荷存储层包括在垂直沟道与第一栅结构之间的第一段以及在垂直沟道与第一电介质图案之间的第二段。第一段的厚度大于第二段的厚度。每个第一栅结构的顶表面的宽度和每个第一栅结构的底表面的宽度中的一个与在该第一栅结构上的第一电介质图案的宽度相同。
三维半导体存储器件

[发明专利]三维半导体存储器件-CN202010169393.4在审
发明人： 朴世准;李载德;张在薰;姜振圭;洪昇完;洪玉千 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/11563 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括：堆叠结构，包括交替地堆叠在基板上的电极和绝缘层；以及垂直沟道结构，穿透该堆叠结构。垂直沟道结构包括半导体图案和在半导体图案与电极之间的垂直绝缘层。垂直绝缘层包括电荷存储层、填充绝缘层和隧道绝缘层。垂直绝缘层具有在半导体图案和每个电极之间的单元区域以及在半导体图案和每个绝缘层之间的单元分隔区域。单元区域的电荷存储层的一部分与隧道绝缘层物理接触。填充绝缘层在半导体图案和单元区域的电荷存储层的其余部分之间。
三维半导体存储器件

[发明专利]非易失性存储器装置-CN201911005796.9在审
发明人： 朴世准;刘民胎;李载德 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：提供了一种可靠性得到改善的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：模制结构，其包括顺序地堆叠在衬底上的第一绝缘图案、第一栅电极和第二绝缘图案；半导体图案，其穿透模制结构，连接到衬底，并在第一方向上延伸；第一电荷存储膜，其在第一方向上延伸，并位于第一绝缘图案与第二绝缘图案之间以及第一栅电极与半导体图案之间；以及阻挡绝缘膜，其位于第一栅电极和第一电荷存储膜之间，其中，第一电荷存储膜在第一方向上延伸的第一长度比阻挡绝缘膜在第一方向上延伸的第二长度长。
非易失性存储器装置

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