“区超深”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果925969个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件及其加工工艺-CN201811012310.X在审
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本发明所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。
超结MOSFET 沟槽栅结构深槽深槽结构沟槽栅外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件器件横向源极金属介质层衬底电阻耐压屏蔽保留

[实用新型]一种平面栅超结MOSFET器件-CN201720314553.3有效
发明人：白玉明;章秀芝;张海涛 -专利权人：无锡同方微电子有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种平面栅超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、N+型源区、栅氧化层、多晶硅栅极和源极金属。本实用新型的平面栅超结MOSFET器件采用P型体区与P型柱深槽结构分离的结构，P型柱深槽结构浮空，P型体区注入在深槽Trench结构中间，该结构保留了超结MOSFET器件横向扩散高耐压的特点，又因为P型体区与P型柱深槽结构分离，减小了低电压下的Coss，让电容曲线变得平缓，改善开关特性。
一种平面栅超结 mosfet 器件

[实用新型]带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件-CN201821424487.6有效
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及功率器件技术领域，尤其涉及一种带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件，其结构包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层、源极金属；本实用新型所述的带沟槽栅结构的深槽超结MOSFET器件采用沟槽栅结构，且沟槽栅位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快，耐压高的特点，同时又具有沟槽栅屏蔽JFET电阻的特点，从而提高了超结MOSFET器件的功率密度。
超结MOSFET 沟槽栅结构深槽深槽结构本实用新型沟槽栅外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件器件横向源极金属介质层衬底电阻耐压屏蔽保留

[发明专利]一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件-CN201210187444.1无效
发明人：任敏;赵起越;邓光敏;李巍;张蒙;张灵霞;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种动态电荷平衡的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS器件超结结构的外延区（3）中掺入深能级杂质（对N沟道器件而言，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件而言，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对超结中柱区（4）掺杂浓度的贡献，因此不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于提高了外延区（3）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降，提高了器件可工作的电流范围，扩大了器件的正向安全工作区。
一种动态电荷平衡 vdmos 器件

[发明专利]一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件-CN201210187423.X无效
发明人：任敏;赵起越;邓光敏;李巍;张蒙;张灵霞;李泽宏;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，掺入受主杂质In、Ti或Zn）。这些深能级施主杂质在常温下电离率比较低，可以忽略其对柱区（4）掺杂浓度的贡献，不影响器件的静态电荷平衡。当器件正向导通并工作在大电流下时，随着器件温度升高，上述深能级杂质的电离率将得到大幅提高，相当于降低了柱区（4）的掺杂水平，有效缓解了由于载流子流过外延区（3）所造成的超结结构电荷失衡导致的器件雪崩击穿电压下降，提高了器件可工作的电流范围，扩大了器件的正向安全工作区。
一种能够有效防止电荷失衡 vdmos 器件

[实用新型]一种超宽温区冰箱-CN202221151477.6有效
发明人：陈开松;魏邦福 -专利权人：长虹美菱股份有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超宽温区冰箱，涉及家用电器技术领域。包括箱体和箱门，箱体内部自上而下依次设有冷藏室、变温室、冷冻区、半导体制冷模块和制冷系统，冷冻区包括位于其一侧的冷冻室，以及位于其另一侧的深冷室和超深冷室；箱体内部还设有用于其制冷的制冷系统，以及与制冷系统耦合作用并进一步为深冷室与超深冷室提供制冷的半导体制冷模块，半导体制冷模块包括两组，其中一组设置在冷冻室与深冷室之间，另一组设置在深冷室与超深冷室之间。本实用新型通过制冷系统和半导体制冷模块耦合设计，并通过半导体模块的冷、热端的全风冷强制循环控制，使得冰箱的温控范围达到10～‑60℃，冰箱性能可靠，温区范围非常宽，更好地满足了用户的使用需求。
一种超宽温区冰箱

[发明专利]地热区深层和非地热区超深层地热能源的开采利用方法-CN99104276.X无效
发明人：李凤仪 -专利权人：李凤仪;姜延福;李健;李伟
申请日： 1999-05-05 - 公布日： 2000-11-15 - 主分类号： F24J3/08 文献下载
摘要：地热区深层和非地热区超深层地热能源的开采利用方法属于地热能开采利用技术领域,为了能够开采和利用地热区深层和非地热区超深层地热能源,首先钻一口深地热井或超深地热水平井,并在地面设有一套发电系统及供热采暖系统本发明主要是利用地热区深层和非地热区超深层地热能源发电、换热产生纯净生活热水及供热采暖等,可实现全密闭循环无污染、无腐蚀的绿色能源开采,具有地热能源温度高,采热效率高及发电功率大等优点。
地热深层能源开采利用方法

[发明专利]带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件及其加工工艺-CN201811012432.9在审
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层的侧立面上，沟槽氧化层位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快、耐压高的特点，又具有侧墙栅屏蔽JFET电阻的特点，进而提高了超结MOSFET器件的功率密度，并且同时减小了多晶硅与栅氧化层的接触面积，减小Qg栅电荷，进而减小了开关损耗，提高了开关频率。
侧墙超结MOSFET 深槽结构栅结构减小深槽沟槽氧化层外延层源区多晶硅栅极栅极氧化层功率器件开关频率开关损耗器件横向源极金属栅氧化层多晶硅介质层栅电荷屏蔽侧立衬底电阻耐压保留

[实用新型]带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件-CN201821424488.0有效
发明人：许剑;刘桂芝;夏虎 -专利权人：无锡麟力科技有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层的侧立面上，沟槽氧化层位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快、耐压高的特点，又具有侧墙栅屏蔽JFET电阻的特点，进而提高了超结MOSFET器件的功率密度，并且同时减小了多晶硅与栅极氧化层的接触面积，减小Qg栅电荷，进而减小了开关损耗，提高了开关频率。
侧墙超结MOSFET 深槽结构栅结构减小深槽沟槽氧化层栅极氧化层外延层源区本实用新型多晶硅栅极功率器件开关频率开关损耗器件横向源极金属多晶硅介质层栅电荷屏蔽侧立衬底电阻耐压保留

[发明专利]具有高深宽比体内超结的横向高压器件及其制造方法-CN202010887963.3在审
发明人：章文通;祖健;朱旭晗;何乃龙;乔明;李肇基;张波 -专利权人：电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高深宽比体内超结的横向高压器件及其制造方法，包括：第一导电类型漂移区、深槽区域，通过深槽槽底注入形成与第二导电类型衬底相连的第二导电类型区，位于漂移区两侧的第一和第二导电类型阱区和重掺杂区所述深槽通过硬掩模层Hard Mask保护刻蚀得到，然后槽底注入得到第二导电类型区与槽底两侧的漂移区一起形成体内超结，并维持电荷平衡，优化了器件体内场，并提供体内低阻通路；超结条宽和深度由深槽刻蚀宽度和深度决定，可以得到高深宽比的体内超结结构。
具有高深体内横向高压器件及其制造方法

[发明专利]一种深槽半超结结构功率器件及制造方法-CN201810831275.8有效
发明人：沈克强;张乐;景润东 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种深槽半超结结构功率器件及制造方法，基于半超结改进结构的深槽半超结结构，与传统半超结结构相比，没有底部的电压支持层，而是在超结结构与源区之间通过体电压支持层产生半超结效应，同时沟槽栅较深，且贯穿整个体电压支持层，能够在半超结结构基础上，进一步降低导通电阻。
一种深槽半超结结构功率器件制造方法

[发明专利]一种积累型的深槽超结DMOS器件-CN201710585192.0在审
发明人：李泽宏;罗蕾;杨梦琦;谢驰;李佳驹;任敏;高巍;张金平;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于半导体功率器件技术领域，涉及一种积累型的深槽超结DMOS器件。本发明的一种积累型的深槽超结DMOS器件，其特征在于通过在超结DMOS器件中引入深槽结构，并在深槽结构中引入正电荷柱区，正向导通时在N柱中形成积累层，为超结DMOS器件中多子电流的流动提供了一条低阻通路
一种积累深槽超结 dmos 器件

[发明专利]超厚芯板冲孔系统及超厚芯板冲孔方法-CN201911290684.2有效
发明人：许龙龙;何建;陈黎阳 -专利权人：广州兴森快捷电路科技有限公司;深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B26F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种超厚芯板冲孔系统及超厚芯板冲孔方法，超厚芯板冲孔系统包括：第一冲孔件、第二冲孔件与铣刀件，所述第一冲孔件用于对芯板进行定位冲孔，所述铣刀件对所述芯板进行控深铣，所述芯板通过所述铣刀件在所述芯板上开设多个控深区，所述第二冲孔件在所述控深区中进行冲孔。例如：当芯板的厚度大于1mm时，首先通过铣刀件进行铣料操作，即在芯板上开设控深区，然后再通过第二冲孔件插入控深区进一步冲孔。
超厚芯板冲孔系统方法

[发明专利]一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法-CN201810989310.9有效
发明人：张金平;王康;罗君轶;赵阳;刘竞秀;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种介质超结MOS型器件及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在传统横向MOS型器件的漂移区中引入深介质沟槽、多晶硅槽和缓冲层。深介质沟槽的引入使得器件形成U型导电通道，在同样器件长度下情况下有效增加了漂移区的长度；多晶硅槽沿深介质沟槽延伸方向与漂移区交替相接形成三维介质超结结构，在器件阻断时通过多维耗尽作用来提高漂移区的掺杂浓度，并使深沟槽两侧的漂移区宽度不受掺杂剂量的限制，改善了漂移区的电场分布，提高器件击穿电压的同时也降低了器件的比导通电阻/导通压降。缓冲层的引入能够提高三维介质超结结构的电荷平衡特性，从而进一步提高器件的性能和可靠性。
一种介质 mos 功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]超结MOSFET器件的制造方法及器件-CN201510350469.2在审
发明人：赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种超结MOSFET器件的制造方法及器件，包括：在衬底的表面上形成外延层，在所述外延层的表面内形成超结结构；形成围绕超结结构外围的深槽；在深槽的内壁上形成氧化层，并填充多晶硅，形成多晶硅立柱；去除预设区域内的所述氧化层，以暴露所述深槽的部分侧壁和所述多晶硅立柱的部分侧壁；在深槽和多晶硅立柱暴露出的侧壁上形成栅氧化层，形成填充在所述栅氧化层之间的多晶硅；形成体区和源区。此外，通过对氧化层的厚度进行调整，能够减少超结结构中陷阱电荷的影响，更好地优化器件的性能。
mosfet 器件制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条