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[发明专利]掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法-CN201110391678.3有效
发明人： 凯文皮尔斯 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种掩膜层的刻蚀方法，该掩膜层至少包括中间掩膜层与有机物掩膜层；该掩膜层采用等离子体干法刻蚀，刻蚀过程中施加等离子射频激励电压以产生等离子体；所述掩膜层的刻蚀包括步骤：首先以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀下方的中间掩膜层，形成图形化的中间掩膜层；接着施加脉冲式偏置射频电压并以图形化的中间掩膜层为掩膜刻蚀下方的有机物掩膜层，形成图形化的有机物掩膜层；其中等离子射频激励电压的频率高于所述脉冲式偏置射频电压的频率。本发明还提供了掩膜层的刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案，实现条件简单且成本低。
掩膜层刻蚀方法装置介质

[发明专利]快速控制静电吸盘温度的装置及方法-CN201110369759.3有效
发明人： 凯文皮尔斯 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-11-18 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种控制静电吸盘温度的装置，包括：中心区域与边缘区域各设置有热交换通道的静电吸盘；用于向中心区域的热交换通道供应冷却液的中心区域冷却液供应管道；用于向边缘区域的热交换通道供应冷却液的边缘区域冷却液供应管道；多个冷却装置；将上述多个冷却装置连接到中心区域和边缘区域的冷却液供应管道的切换装置或按比例切换装置，对应地，以选择性地将冷却装置中流过的冷却液全部供给中心区域的热交换通道或边缘区域的热交换通道，或按比例将冷却装置中流过的冷却液供给中心区域的热交换通道与边缘区域的热交换通道。本发明还提供一种控制静电吸盘温度的方法。采用本发明的技术方案，可以快度控制静电吸盘的温度。
快速控制静电吸盘温度装置方法