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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种复杂形状粉末高速钢微型零件的制备方法-CN202110907515.X有效
发明人：秦明礼;马志俊;贾宝瑞;陈刚;王帅帅;吴昊天 -专利权人：天工爱和特钢有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B22F1/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种复杂形状粉末高速钢零件的制备方法，属于粉末冶金材料领域。制备方法为首先制备出高速钢粉体，将高速钢粉末与粘结剂混合制备喂料，采用注射成形工艺将喂料制备出一定形状的生坯，再经脱脂工艺和烧结工艺后制得一种复杂形状新型粉末高速钢微型零件。该方法使用注射成形工艺制备新型复杂形状高速钢微型零件，操作简便、成本低廉，不仅有效解决了传统铸造工艺的偏析问题，还省去了高速钢制品的后续在加工步骤，为制备复杂形状切削工具或零件用高速钢提供一种新的制备思路
一种复杂形状粉末高速钢微型零件制备方法

[发明专利]一种发射箱箱体及其制备方法、发射箱及其制备方法-CN201711136564.8在审
发明人：徐飞强;宋方 -专利权人：西安方元明科技股份有限公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： B29C70/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种发射箱箱体及其制备方法、发射箱及其制备方法，涉及发射装置技术领域，该发射箱箱体制备方法能够降低工艺难度和生产成本。一种发射箱箱体的制备方法，所述方法包括采用拉拔工艺将金属合金坯料拉拔形成金属合金内胆；在所述金属合金内胆的外侧形成隔热层；采用缠绕工艺在所述隔热层的外侧形成纤维层；对所述纤维层进行后处理，以形成发射箱箱体本发明适用于发射箱箱体、发射箱的制备。
一种发射箱体及其制备方法

[发明专利]聚合物在气相或淤浆相中的单反应器制备-CN201680032408.4在审
发明人：罗鲁斌;J·M·狄奥普;J·杨;S·达塔;P·布兰特 -专利权人：埃克森美孚化学专利公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C08F210/06 文献下载
摘要：公开了以单反应器气相或淤浆相聚合工艺制备聚合物，包括无规共聚物(RCP)的方法，和由该方法制备的聚合物组合物。该方法使具有低熔融温度的聚合物能够以气相和淤浆相聚合工艺制备，其中它们传统上由于反应器中的粘着和结垢问题而不能以这些工艺制备。
聚合物相中反应器制备

[发明专利]一种磷酸铁锂正极浆料制备工艺的改进方法及制备工艺-CN202010239136.3有效
发明人：刘瑞龙;吴晨琰;王涌;刘亚东;杨光 -专利权人：万向一二三股份公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了一种磷酸铁锂正极浆料制备工艺的改进方法及制备工艺。该改进方法包括以下步骤：通过多组实验将正极浆料是否正常与其流动曲线、触变曲线和振荡曲线对应起来，确定三种曲线允许的波动范围；然后在某种工艺条件下制备正极浆料，测量其三种曲线，判断是否在允许的波动范围内，从而判断该浆料制备工艺是否需要调整。本发明的改进方法能有效完善工艺条件，不仅能避免正极浆料出现常见问题，还能适应不同性能要求的电芯；经本发明的改进方法改进后的制备工艺能有效防止正极活性物质磷酸铁锂团聚，使其分散更加均匀，并能缩短搅拌时间，
一种磷酸正极浆料制备工艺改进方法

[发明专利]干细胞制备工艺参数的动态调整方法、装置、系统及介质-CN202110402260.1在审
发明人：徐文平;刘沐芸;杜祥熙 -专利权人：深圳赛动生物自动化有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了干细胞制备工艺参数的动态调整方法、装置、系统及介质，方法包括：获取当前干细胞制备的工艺参数；接收参数调整指令并根据当前正在进行的制备操作判断所述参数调整指令是否满足预设修改条件；若满足则根据所述参数调整指令更新相应的工艺参数本发明实施例通过在干细胞制备过程中动态接收参数调整指令并判断其是否满足预设修改条件，在确保当前制备操作正常进行的同时也实现了对干细胞制备工艺参数的灵活修改，使得可根据实际制备进程动态优化制备系统的工艺参数，有效提高干细胞制备质量。
干细胞制备工艺参数动态调整方法装置系统介质

[发明专利]GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件-CN201610561741.6有效
发明人：刘新宇;康玄武;王鑫华;黄森;魏珂 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN增强型器件制备方法及形成的GaN增强型器件，GaN增强型器件制备方法采用在含有P型GaN的外延片上采用与CMOS工艺相兼容的工艺形成栅极、源极及漏极。该GaN增强型器件制备工艺与CMOS工艺相兼容，从而可以实现大批量，低成本的增强型电力电子开关器件生产与制备。
gan 增强器件制备方法形成

[发明专利]一种防霉变再生果实工艺品及其制备方法-CN202110955263.8在审
发明人：邹青青;杜明亮 -专利权人：浙江迈利达集团有限公司;江南大学
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C08L99/00 文献下载
摘要：本发明属于工艺品技术领域，具体涉及一种防霉变再生果实工艺品及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：将硬质果实粉碎，得到再生果实粉；对所述再生果实粉进行环氧化表面改性；加入环氧树脂及其固化体系，混合均匀后进行模压成型，得到所述防霉变再生果实工艺品。本发明提供了一种硬质果实回收利用的方法，可以将稀有珍贵的废弃象牙果进行再生利用；提供了一种再生果实工艺品的制备方法，所得到的再生果实工艺品具有更高的硬度、强度和光泽度；制备的再生果实工艺品不吸湿、不变质
一种霉变再生果实工艺品及其制备方法

[发明专利]一种碲化铋基织构化块体热电材料的制备方法-CN201910194959.6在审
发明人：蒋俊;王鸿翔;罗国强;胡皓阳 -专利权人：浙江赛美克电子科技有限公司
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化铋基块体热电材料的制备方法，该方法将磁场辅助区熔工艺、逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺、冷等静压工艺、真空烧结工艺以及热等静压工艺相结合，以高纯碲、铋、锑、硒等为原料，首先采用区熔法制备碲化铋晶锭，然后将晶锭粉碎、研磨、过筛，再利用逐层覆盖加压且振动辅助取向工艺将过筛粉料压制成块体材料，最后采用冷等静压工艺、真空烧结工艺和热等静压工艺相结合，制备具有良好取向性且接近完全致密的织构化块体热电材料；本发明可显著提高碲化铋晶粒取向性，获得的碲化铋基块体材料兼具良好的热电性能和机械加工性能，是一种材料利用率高、简单易行、制备效率高，具有良好应用前景的制备方法。
一种碲化铋基织构化块体热电材料制备方法

[发明专利]一种制备具有超厚埋层氧化层SOI硅片的方法-CN201610036630.3有效
发明人：范美华;石文;毛俭 -专利权人：沈阳硅基科技有限公司
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备具有超厚埋层氧化层SOI硅片的方法，属于半导体材料制备技术领域。该方法通过对单晶硅片依次进行埋层氧化层的制备、氢离子注入、键合和裂片工艺制备获得具有超厚埋层氧化层SOI硅片，其中：所述埋层氧化层的厚度为2‑5μm，该埋层氧化层的制备过程为热氧化工艺、CVD工艺和热氧化工艺本发明方法不仅能够制备超厚埋层氧化层(2μm‑5μm)，还可以获得具有较好的表面致密性和界面状态的SOI硅片键合界面。
一种制备具有超厚埋层氧化 soi 硅片方法

[发明专利]黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法-CN201710871041.1有效
发明人：毛海央;杨宇东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种黑硅制备工艺，包括：在一衬底上形成聚合物层；去除聚合物层，并利用去除聚合物层过程中的产物在聚合物层的初始位置上形成纳米森林结构；以及在纳米森林结构上沉积硅薄膜材料层，完成黑硅制备。本公开还提供了一种采用上述黑硅制备工艺制备的黑硅及上述基于黑硅的MEMS器件制备方法。本公开黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法，通过采用工艺成本低、普及度和适应度广泛的黑硅制备工艺制备出光吸收能力更高的黑硅，且采用上述基于黑硅的MEMS器件制备方法避免了黑硅在MEMS器件的释放过程中受到腐蚀破坏
制备工艺基于 mems 器件方法

[发明专利]一种硅橡胶瓷化剂的简易制备方法-CN201410692015.9在审
发明人：徐明星;胡鹏华 -专利权人：宁波卡利特新材料有限公司
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅橡胶瓷化剂的简易制备方法，包括配方和工艺方法。本发明采用钾长石、锂辉石、铅锌石的矿石粉体进行配方，采用混合、熔炼、粉碎的工艺方法制备硅橡胶瓷化剂的技术方案，克服了现有技术存在工艺复杂、成本高的问题与不足，使硅橡胶瓷化剂的制备达到了简化工艺、降低成本目的
一种硅橡胶瓷化剂简易制备方法

[发明专利]一种高强高弹镍基高温合金带材及其制备方法-CN201810797690.6有效
发明人：石照夏;颜晓峰;段春华;赵明汉;陈霞 -专利权人：钢铁研究总院;北京钢研高纳科技股份有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： B22D23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强高弹镍基高温合金带材及其制备方法，属于镍基高温合金的制备技术领域，解决了现有的高强高弹镍基高温合金带材的工艺流程长、投资大以及环境污染严重的问题。上述制备方法工艺流程包括：真空感应熔炼铸锭、电渣重熔连续定向凝固板坯、均匀化处理、初次机械磨抛、包套、热轧、初次退火处理、处理工艺和精整，上述处理工艺的次数为多次，处理工艺包括冷轧、退火处理和机械磨抛。上述制备方法可用于高强高弹镍基高温合金带材的制备。
镍基高温合金制备高强高弹带材处理工艺退火处理工艺流程机械磨真空感应熔炼制备技术领域均匀化处理电渣重熔定向凝固板坯包套精整可用冷轧铸锭热轧投资

[发明专利]一种碳化硅N沟道双极型功率器件的制备方法-CN202110473075.1在审
发明人：杨晓磊;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅N沟道双极型功率器件的制备方法，属于半导体器件领域。该方法首先通过在N型碳化硅衬底上依次生长P+外延层、N+缓冲层以及N‑漂移层，其次在该外延片上通过引入载流子寿命提升工艺，器件正面MOS制备工艺，器件背面衬底减薄工艺以及激光退火工艺，最终实现了碳化硅N沟道双极型功率器件的制备。该方法通过引入载流子寿命提升工艺，增强了该双极型功率器件的电导调制效应，有效降低了该器件的比导通电阻和导通损耗。同时该方法不仅避免了采用高阻P型碳化硅衬底材料，而且器件的正面制备工艺与MOSFET器件制备工艺相兼容，在节约成本的同时，风险更小，也更易于在工业上制备。
一种碳化硅沟道双极型功率器件制备方法

[发明专利]台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法-CN202210793011.4在审
发明人：孔果果;庄梦琦;童宇诚;周运帆 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法。在台阶结构的制备方法中，通过修整工艺逐次扩大第一开口的开口尺寸，并在每一次扩大第一开口后执行刻蚀工艺，以逐级界定出台阶结构的各级台阶，从而在N‑1次修整工艺和刻蚀工艺后，即可在第一开口内同时形成两组台阶结构，简化了台阶结构的制备工艺。并且，对第一开口的每次扩展均是从相对两侧进行双向扩展，使得每一次开口的扩展量双倍增大，有利于增大后续所执行的刻蚀工艺的工艺窗口，降低刻蚀难度。
台阶结构制备方法 nand 存储器

[发明专利]一种板材的制备方法-CN201710592012.1在审
发明人：杜乐乐 -专利权人：合肥通升捷电子有限公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种板材的制备方法，包括以下步骤一、冲压工序；二、清洗工序；三、包装工序。所述冲压工序包括下料；冲孔；卡扣；压毛边；成型；冲视窗孔；压毛边整形。所述清洗工序包括(1)一次超声波热脱脂工艺；(2)二次超声波热脱脂工艺；(3)热脱脂处理；(4)一次水洗工艺；(5)表面调整工艺；(6)皮膜处理；(7)二次水洗工艺；(8)三次水洗工艺；(9)一次纯水洗工艺；(10)二次纯水洗工艺；(11)热纯水洗工艺。该板材的制备方法简单，产品制备效率高，生产成本较低；采用该方法制备的TFT‑LCD背板、铁框、焊接片等产品外观较佳，提高了工厂的市场竞争力。
一种板材制备方法

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