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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种甘薯果葡糖浆制备方法-CN201910009833.7在审
发明人：徐慧诠;张文森;林舒婷;陈真真;邓加聪;包小妹;李世民 -专利权人：福建师范大学福清分校
申请日： 2019-01-05 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C12P19/02 文献下载
摘要：本发明提供一种甘薯果葡糖浆制备方法，属于果葡糖浆制备技术领域。本方法包括复合酶法甘薯葡萄糖浆制备工艺、葡萄糖异构化酶异构为果糖工艺、糖浆脱色工艺、糖浆洗脱浓缩等工艺。本工艺合理可行、投资省、工艺操作简单、实用性强、生产效率高，能生产出益于消费者身体健康、风味口感俱佳、可低温贮存的高品质甘薯果葡糖浆，以此延伸甘薯产业链，开发我省以甘薯生产果葡糖浆的生产技术。
果葡糖浆甘薯制备葡萄糖异构化酶制备技术领域消费者身体糖浆低温贮存风味口感复合酶法甘薯生产工艺操作葡萄糖浆生产技术生产效率糖浆脱色制备工艺高品质异构为果糖洗脱浓缩延伸健康开发投资生产

[发明专利]一种低聚糖系列对照品的制备方法-CN202310641114.3在审
发明人：梁鑫淼;王超然;王委;郭秀洁;吕海波;董海临;金郁 -专利权人：泰州医药城国科化物生物医药科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G01N30/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低聚糖系列对照品的制备方法，本发明的方法包括以下步骤：低聚糖富集工艺，低聚糖分段工艺，低聚糖对照品制备工艺。本发明工艺环保，溶剂消耗少，且不使用正相溶剂，制备流程简便，切段及制备过程中的溶剂可回收再利用；工艺流程简易，样品无需衍生化，保留了低聚糖单体的原始结构；重复性好，中使用的色谱柱固定相具有很好的稳定性，易于放大制备；效率高，采用低聚糖富集‑低聚糖分段‑低聚糖单体制备工艺流程，可实现克级不同聚合度的低聚糖对照品的快速制备，可一次性获得7个以上不同聚合度的低聚糖对照品，适用于快速制备克级低聚糖系列对照品。
一种聚糖系列对照制备方法

[发明专利]药用辅料羧甲基淀粉钠的制备方法-CN201210247679.5无效
发明人：郑桂富 -专利权人：郑桂富
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C08B31/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种药用辅料羧甲基淀粉钠的制备方法，包括以下工艺步骤：将淀粉加入氢氧化钠醇溶液中进行碱化反应，然后经醚化、脱盐、分离、干燥、粉碎后得到药用辅料羧甲基淀粉钠，所述醚化剂采用氯乙酸钠。由于本发明中所述的工艺步骤中没有副产物乙醇酸钠的生成，因此，也就不需要将氢氧化钠分两次添加，简化了制备工艺步骤，使得本制备方法工艺简单、步骤合理；另外，由于采用无毒的氯乙酸钠为醚化剂，整个制备过程中不会对操作人员造成伤害，操作人员的劳动环境较传统制备工艺的劳动环境好。本制备方法中的淀粉可采用甘薯淀粉，使得本制备方法既可在一定程度上满足国内对具有药用辅料羧甲基淀粉钠的需求，也为甘薯的深加工找到了一条新出路。
药用辅料羧甲基淀粉制备方法

[发明专利]一种柔性太阳能电池的快速制备方法-CN201710675041.4在审
发明人：李胜夏;王家林;蓝河 -专利权人：上海幂方电子科技有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明申请涉及一种有机太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括柔性基底/透明电极层、介质层、活性层和金属电极，其特征在于通过刮涂工艺制备所述介质层和所述活性层，并通过点胶的方式制备顶电极。与旋涂、喷涂法制备缓冲层的工艺相比，本发明所述方法涉及的设备与工艺简单、环境友好且利于大面积工业化制备。而通过点胶工艺制备顶电极，避免了真空蒸镀对材料和设备的高要求，同时也不存在喷墨打印顶电极过程中电极材料组分单一、制备的电极功函数不可调、等问题，实现了工艺简单化，并且可快速、大面积制备太阳能电池的技术效果
一种柔性太阳能电池快速制备方法

[发明专利]一种环保、无杂质炭气凝胶隔热复合材料的制备方法-CN202310611242.3在审
发明人：冯坚;门静;冯军宗;姜勇刚;李良军;胡艺洁;王鲁凯 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-05-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C04B35/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种环保、无杂质炭气凝胶隔热复合材料的制备方法，目的是解决目前制备无杂质炭气凝胶隔热材料的方法会造成环境污染、炭气凝胶质脆易碎的问题。技术方案是先采用酚有机单体、醛有机单体、壳聚糖、醋酸和水制备有机溶胶；然后采用真空浸渍工艺制备有机溶胶纤维预制件复合体；接着采用水热工艺制备纤维增强有机凝胶复合体；采用常压干燥工艺制备纤维增强有机气凝胶复合体；最后采用炭化裂解工艺制备纤维增强炭气凝胶复合材料。本发明绿色无污染，工艺简单，周期较短，成本低廉；采用本发明制备的纤维增强炭气凝胶复合材料无杂质，压缩强度较高，隔热性能好。
一种环保杂质凝胶隔热复合材料制备方法

[发明专利]结晶ITO薄膜的制备方法、On‑cell型触控面板的制备方法-CN201710842690.9在审
发明人：吕绍卿 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： G02F1/1343 文献下载
摘要：本发明公开了一种结晶ITO薄膜的制备方法，用于在液晶面板上制备形成结晶ITO薄膜，所述制备方法包括应用沉积工艺，在彩膜基板的背离液晶层的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺本发明还公开了一种On‑cell型触控面板的制备方法，包括制备形成触控感应电极层的步骤，具体包括应用沉积工艺，在彩膜基板的背离液晶层的表面上制备形成非结晶ITO薄膜；应用光刻工艺，将所述非结晶ITO薄膜刻蚀形成图案化的触控感应电极；在预设温度下，应用准分子激光退火工艺，使图案化的触控感应电极对应的非结晶ITO薄膜晶化形成结晶ITO薄膜。
结晶 ito 薄膜制备方法 on cell 型触控面板

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管阵列基板的制备方法-CN201710587277.2在审
发明人：董磊磊 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，其包括应用半导体沉积工艺制备形成第一非晶硅薄膜；应用准分子激光退火工艺使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；应用半导体沉积工艺在所述多晶硅薄膜的第一表面上制备形成第二非晶硅薄膜；应用干法刻蚀工艺，从所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蚀直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。本发明还公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法，其包括制备有源层的步骤根据前述的多晶硅薄膜的制备方法制备形成一层多晶硅薄膜；应用光刻工艺将所述多晶硅薄膜刻蚀形成图案化的有源层。
多晶薄膜制备方法薄膜晶体管阵列

[发明专利]一种脊状LED及其制备方法-CN201710346428.5有效
发明人：张亮 -专利权人：深圳市长方集团股份有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种脊状LED及其制备方法。其中，所述制备方法包括：选取SOI衬底；利用CVD工艺在SOI衬底表面生长Ge外延层；利用CVD工艺在Ge外延层表面生长氧化层；利用LRC工艺晶化Ge外延层形成改性Ge外延层；利用干法刻蚀工艺刻蚀氧化层；在改性Ge外延层表面生长本征Ge层；选择性刻蚀本征Ge层形成脊型结构；在脊型结构的两侧分别注入P离子和B离子形成N型Ge区域和P型Ge区域；制备金属接触电极以完成脊状LED的制备；本发明利用激光再晶化工艺，在SOI衬底上制备位错密度低Ge外延层，并制备高质量直接带隙Ge外延层，然后实现一种脊状LED及其制备方法。
一种 led 及其制备方法

[发明专利]一种豆制饮品制备工艺-CN201010103112.1有效
发明人：王旭宁;魏云杰;詹永权 -专利权人：九阳股份有限公司
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： A23C11/10 文献下载
摘要：本发明涉及饮料的制备方法，具体地说是一种豆制饮品制备工艺。该豆制饮品制备工艺，其特征在于至少包括以下阶段：预处理阶段，即将大豆进行烘焙；粉碎阶段，即将大豆进行粉碎，制成豆粉；制浆阶段：即将制得的豆粉冲泡成豆浆。本发明提供一种口感好、安全的豆制饮品的制备工艺，该工艺简单易操作、制备周期短。
一种饮品制备工艺

[发明专利]一种硫辛酸工艺杂质的制备方法-CN201811524524.5在审
发明人：袁跃华;陆惠刚;龚利锋 -专利权人：江苏同禾药业有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C07D341/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫辛酸工艺杂质1，2，3‑三硫环己烷‑4‑戊酸的制备方法，属于硫辛酸杂质的制备技术领域。本发明所述的硫辛酸工艺杂质1，2，3‑三硫环己烷‑4‑戊酸的制备方法是将硫辛酸中间体6，8‑二氯辛酸乙酯经皂化、硫化环合、酸化、精制等一系列反应处理，最后制备得到。本发明所述的硫辛酸工艺杂质的制备方法，工艺简单，易于纯化，可操作性强。
一种辛酸工艺杂质制备方法

[发明专利]一种SiC气凝胶高温隔热材料及其制备方法-CN202211198954.9在审
发明人：杨自春;赵爽;张震;陈国兵;李昆锋;费志方;陈俊;李肖华;甘智聪;张鹏 -专利权人：中国人民解放军海军工程大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B38/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC气凝胶高温隔热材料及其制备方法，涉及隔热材料技术领域，所述SiC气凝胶高温隔热材料的制备方法，包括以下步骤：(1)配制氧化石墨烯溶胶；(2)采用溶剂热工艺制备还原氧化石墨烯凝胶；(3)采用冷冻干燥工艺制备石墨烯气凝胶；(4)采用碳热还原工艺制备SiC气凝胶。本发明方法生产工艺简单，生产周期短，绿色环保，获得的SiC气凝胶高温隔热材料不仅具有密度低，杂物质少的优点，且具有良好的力学性能和优异的高温隔热性能，在高温隔热领域具有广阔的应用前景。
一种 sic 凝胶高温隔热材料及其制备方法

[发明专利]一种钌薄膜的制备方法-CN201310405900.X无效
发明人：张春敏;王鹏飞;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明属于集成电路铜互连工艺技术领域，具体涉及一种钌薄膜的制备方法。本发明方法包括利用等离子体增强原子层淀积工艺制备钌薄膜，再对所制得的钌薄膜进行高温退火处理。等离子体增强原子层淀积工艺可以在纳米级精确地控制钌薄膜的生长厚度，并且所制备的钌薄膜在大面积范围内具有好的均匀性，而高温退火工艺可以实现氧化钌向钌的转变，增加钌薄膜的纯度。本发明的钌薄膜的制备方法还可以减少钌薄膜的制备时间，降低时间成本。
一种薄膜制备方法

[发明专利]一种填充型高聚物导电多孔复合材料的制备方法-CN200710049917.0无效
发明人：陈军;王少辉 -专利权人：四川大学;成都健坤聚合物有限公司;石家庄铁道学院
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C08L69/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种填充型高聚物导电多孔复合材料的制备方法，本发明的目的在于提供一种工艺简单可靠、产品质量稳定、生产成本低的填充型高聚物导电多孔复合材料的制备方法，该制备方法包括以下步骤：a.高聚物有机溶剂溶液的配制通过使用本发明提供的制备方法，可以克服目前生产工艺成本高，工艺复杂的缺点。
一种填充型高聚物导电多孔复合材料制备方法

[发明专利]高硅氧玻璃耐火制品的制备工艺-CN00111493.X无效
发明人：胡一宸;蔡美蝶;颜维生;王中俭;陆剑英;丰美珍;王淙 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2000-01-25 - 公布日： 2003-01-08 - 主分类号： C03B19/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种高硅氧玻璃耐火制品的制备工艺，该工艺采用特殊的陶瓷注浆成型加工工艺，可以用于制备以高硅氧多孔玻璃为材料的大型、异形、高精耐火制品，尤其是高硅氧玻璃料碗的制备。所说的方法所制备的制品性能优异，完全能满足工艺的需要。
高硅氧玻璃耐火制品制备工艺

[发明专利]凹凸转移印花的印花化纤织物及其制备工艺装备和制备方法-CN201410478993.3有效
发明人：陈立秋 -专利权人：陈立秋;陆志云;湖州诚鑫纺织印染有限公司
申请日： 2014-09-19 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B41F16/02 文献下载
摘要：本发明所公开的是一种凹凸转移印花的印花化纤织物及其制备工艺装备和制备方法，它是将机械拷、轧花工艺和气相转移印花工艺组合在一起的凹凸转移印花工艺，并提出了结构合理的工艺装备，和简单易控，制备优良品质凹凸印花化纤织物的具体方法
凹凸转移印花化纤织物及其制备工艺装备方法

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