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[发明专利]光器件、光调制器及光通信设备-CN202310165739.7在审
发明人：杉山昌树 -专利权人：富士通光器件株式会社
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种光器件包括槽波导和含有平行于槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极。此外，光器件包括各自以分离状态插入到槽波导中所提供的槽中的多个电光聚合物、以及设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中并且电连接接地电极与另一接地电极的桥接件。
器件调制器光通信设备

[发明专利]一种微机械超声换能器及成像设备-CN202111051912.8在审
发明人：桑迪普·阿卡拉杰;海星·权;布莱恩·毕考肖 -专利权人：艾科索成像公司
申请日： 2019-03-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： A61B8/00 文献下载
摘要：MUT包括：基板；耦合至基板的第一电极；以及和耦合到基板并且与第一电极不共面的第二电极。第一电极关于第一轴线对称且关于垂直于第一轴线的第二轴线不对称，第一轴线沿第一电极具有最长尺寸的方向延伸，第二轴线穿过第一电极在第一轴线上的两端之间的中点。第一电极和第二电极在垂直方向上彼此分开。第一电极包括顶部电极，并且第二电极包括底部电极。
一种微机超声换能器成像设备

[发明专利]高灵敏度MEMS微波功率传感器-CN202210969644.6在审
发明人：王德波;马骄;李超 -专利权人：张家港芯微感半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G01R21/01 文献下载
摘要：该传感器由衬底、共面波导传输线、悬臂梁和测试电极组成。衬底的材质为砷化镓，两种悬臂梁和共面波导传输线均设置在衬底上。其中一个悬臂梁的测试电极被安置于锚区与信号线之间，另一个悬臂梁的测试电极被安置于另一侧地线和信号线之间，互连的两个测试电极与输出端相连用来检测电容。
灵敏度 mems 微波功率传感器

[实用新型]一种大功率可控硅封装结构-CN201620192032.0有效
发明人：吴家健;王成森;尹佳军 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：陶瓷覆铜板底面为大面积的覆铜层，陶瓷覆铜板顶面为被分割成阳极焊接区、阴极焊接区、门极焊接区的覆铜层，陶瓷覆铜板顶面覆铜层的上端从下至上依次焊接有可控硅芯片和阳极过桥片，陶瓷覆铜板四周还设有塑料套壳，可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装分别焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割开的阴极焊接区和门极焊接区上采用可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割的覆铜层上的方法，极大的提高了散热效果；同时，省去了控制极过桥装配焊接的过程，使大批量、高效率生产能更好的实现。
一种大功率可控硅封装结构

[发明专利]一种单片集成平衡探测器及其制备方法-CN201611241397.9有效
发明人：张莉萌;陆丹;赵玲娟;王圩 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：该单片集成平衡探测器包括：衬底，其左、中、右三区域分别作为MMI区域、PD区域和共面电极CPW区域；MMI输出波导，呈条状，位于衬底上的所述MMI区域；波导型探测器，呈条状，形成于衬底上PD区域的MMI与PD公用下波导芯层的上方；MMI与PD公用下波导芯层同时作为PD的下接触层，其上用于制作探测器的N电极；PD接触层上用于制作探测器的P电极；金属共面电极，其由两部分组成：接触电极部分，与波导型探测器的
一种单片集成平衡探测器及其制备方法

[实用新型]一种用于共面互联的太阳电池片及太阳能电池串-CN202120700828.3有效
发明人：丁晓春;郭晓珍 -专利权人：江苏赛拉弗光伏系统有限公司
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于共面互联的太阳电池片及太阳能电池串，其中太阳电池片包括晶体硅片；晶体硅片的正面印刷有正面电极，晶体硅片的背面印刷有背面电极；所述晶体硅片的正面制备PN结；晶体硅片上至少设有一个从正面延伸至背面的贯孔；晶体硅片的正面围绕贯孔设有用于断开PN结的电绝缘区；贯孔内填设有固化的导电浆料；固化的导电浆料位于晶体硅片的正面的一端与正面电极通过电绝缘区形成电绝缘，固化的导电浆料位于晶体硅片的背面的一端与背面电极电联接而太阳能电池串即通过互联条将上一太阳电池片正面的固化的导电浆料与下一太阳电池片正面的正面电极电联接。本实用新型能够在实现共面互联的基础上，简化工艺难度，且能够降低生产成本。
一种用于共面互联太阳电池太阳能电池

[发明专利]耐弯折柔性电路板-CN202310176894.9在审
发明人：文丽梅;陈亚雪;毕宝 -专利权人：深圳市景旺电子股份有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：所述耐弯折柔性电路板包括层叠且间隔设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层；耐弯折柔性电路板具有连接区和分层区，第一金属层、第二金属层和第三金属层在连接区内压合连接，并在分层区内通过间隙分隔设置；第二金属层在分层区内具有共面波导单元，共面波导单元包括共面波导导带和设于共面波导导带两侧的第一接地电极，第一金属层和第三金属层与共面波导导带相对处均设有第一开窗，相邻的第一开窗之间具有第一金属部。
耐弯折柔性电路板

[发明专利]一种加载铁电薄膜的SSPP传输移相器及其制备方法-CN201810688147.2在审
发明人：王军;娄菁;马华;屈绍波;王甲富;董博文;冯明德 -专利权人：中国人民解放军空军工程大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01P1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种加载铁电薄膜的SSPP传输移相器及其制备方法，该移相器包括：低介衬底、铁电薄膜、金属层；金属层包括电极、阻抗匹配区及SSPP传输结构，电极设在SSPP传输结构两侧，阻抗匹配区设在SSPP传输结构的两端；阻抗匹配区包括共面波导结构及过渡结构。该方法包括：在衬底上依次沉积粘附层、铁电薄膜、金属粘附层及金属层；在金属层上进行电极、共面波导结构、过渡结构及SSPP传输结构刻蚀。
铁电薄膜传输结构移相器金属层阻抗匹配电极加载制备共面波导结构过渡结构衬底传输调谐金属粘附层铁电薄膜层传输效率移相功能可调谐粘附层沉积低介介电刻蚀成型束缚

[发明专利]硅基集成化的差分电光调制器及其制备方法-CN201510573807.9有效
发明人：丁建峰;张磊;杨林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：电极结构采用电容耦合式的共面波导结构，形式是“地极‑信号极‑地极”(G‑S‑G)。马赫‑曾德干涉仪的两个相移臂(内部通过制作的PN结进行相位调制)分别位于地极与信号极的两个间隙之间。电容耦合式的共面波导电极结构不仅负责将高速交流信号耦合到相移臂中的PN结进行调制，而且其电容结构还可以防止输入电极的两个地极将直流偏置电路短路。
集成化电光调制器及其制备方法

[发明专利]850nm波段吸收区部分耗尽光电探测器及其制备方法-CN202011291398.0有效
发明人：陈佰乐;谢治阳 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：所述光电探测器包括半导体主体、阴极、阳极、钝化薄膜、且该两个金属电极的表面与共面波导电极连接；半导体主体的结构包括依次复合的半绝缘GaAs衬底、缓冲层、阴极接触层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs制备方法为：在半绝缘GaAs衬底上依次生长出阴极接触层缓冲层、阴极接触层、过渡层等制得半导体主体；制备环形阳极、第一层台阶、阴极、第二台阶、钝化薄膜、共面波导电极。
850 nm 波段吸收部分耗尽光电探测器及其制备方法

[发明专利]低阀值直交流可分的微电子机械开关及其制造方法-CN200410064683.3无效
发明人：廖小平;蔡洁 -专利权人：东南大学
申请日： 2004-09-20 - 公布日： 2005-03-02 - 主分类号： H01H59/00 文献下载
摘要：低阈值直交流可分的微电子机械开关及其制造方法是通过两个驱动电极的设计，实现一种低阈值电压直交流可分的MEMS开关的结构设计，其制造方法为：a.准备基片：用浓HCl和氨水清洗砷化镓衬底；b.在准备的衬底上淀积并光刻共面波导、以及直流驱动电极，生成开关的共面波导、以及直流驱动电极的结构；c.生长介质保护层：用PECVD工艺生长SiN绝缘层；d.淀积并光刻牺牲层：在GaAs衬底上涂覆聚酰亚胺牺牲层并光刻；e.溅射上极板在聚酰亚胺层上溅射用于电镀的
低阀值直交流微电子机械开关及其制造方法

[实用新型]一种高集成微型化三电极共面电极-CN202122123480.9有效
发明人：奚亚男;胡保帅;崔皓博 -专利权人：广州钰芯传感科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高集成微型化三电极共面电极。包括电极基底、第一电极、第二电极和第三电极，其中电极基底正面设置有第一电极和第二电极，第一电极的下端部和第二电极的下端部均延伸至电极基底侧端，并分别与电极焊盘连接；第一电极的上端部设置有第一检测条，第二电极的上端部设置有第二检测条，第一检测条和第二检测条设置在电极基底正面，第二检测条位于第一检测条的一侧；第一检测条或第二检测条侧边设置有第三电极；电极基底背面设置有金属盘，其下端部延伸至电极基底侧端并与电极焊盘相连，金属盘与第三电极位于电极基底的正反面同一位置
一种集成微型电极

[发明专利]具有U形电极和/或共面电极的电外科装置-CN201180031723.2无效
发明人： B·M·康利;J·J·巴里;R·D·格利雷;C·M·格林劳;L·C·瓦卡瑞拉 -专利权人：美敦力先进能量有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： A61B18/14 文献下载
摘要：电外科装置（30a）包括手柄（101）、位于手柄远侧的轴杆（108）、与轴杆的远侧端部相邻的第一电极末端（102a）和第二电极末端（102b）。第一电极末端可与第二电极末端间隔开，并可包括第一U形电极。第二电极末端可包括第二U形电极。装置（30a）可包括至少一个流体出口，该至少一个流体出口用于在第一和第二电极的表面周围输送流体，并将流体输送到被治疗的组织表面上。第一电极（102a）可以与第二电极（102b）共面。第一电极可包括围绕第二电极的周界的U形线电极，并籍由一孔与第二电极间隔开。第一电极可包括尖末端。
具有电极外科装置

[发明专利]成对电极共面放电等离子体发生装置-CN201510420845.0在审
发明人：李建;王坤;王世庆;常兰 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都理工大学工程技术学院
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体产生和低温等离子体技术领域，具体公开一种成对电极共面放电等离子体发生装置，它包括介质和若干对成对电极；成对电极为两个间距较近、正负极性相同的电极；相邻的成对电极之间的正负极性相反。本发明通过设计间距较近、正负间隔的成对电极形成间隔电极效应，保证了等离子体放电的稳定，有利于介质表面形成均匀放电的等离子体层。
成对电极放电等离子体发生装置

[实用新型]成对电极共面放电等离子体发生装置-CN201520522289.3有效
发明人：李建;王坤;王世庆;常兰 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都理工大学工程技术学院
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及等离子体产生和低温等离子体技术领域，具体公开一种成对电极共面放电等离子体发生装置，它包括介质和若干对成对电极；成对电极为两个间距较近、正负极性相同的电极；相邻的成对电极之间的正负极性相反。本实用新型通过设计间距较近、正负间隔的成对电极形成间隔电极效应，保证了等离子体放电的稳定，有利于介质表面形成均匀放电的等离子体层。
成对电极放电等离子体发生装置