[发明专利]一种单片集成平衡探测器及其制备方法有效
申请号: | 201611241397.9 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN106684104B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 张莉萌;陆丹;赵玲娟;王圩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/8252 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种MMI输出波导与波导型探测器共下波导的单片集成平衡探测器及其制备方法。该单片集成平衡探测器包括:衬底,其左、中、右三区域分别作为MMI区域、PD区域和共面电极CPW区域;MMI输出波导,呈条状,位于衬底上的所述MMI区域;波导型探测器,呈条状,形成于衬底上PD区域的MMI与PD公用下波导芯层的上方;MMI与PD公用下波导芯层同时作为PD的下接触层,其上用于制作探测器的N电极;PD接触层上用于制作探测器的P电极;金属共面电极,其由两部分组成:接触电极部分,与波导型探测器的PD接触层和MMI与PD公用下波导芯层相连接。本发明实现了MMI与波导型探测器的集成,解决了分立的光学器件过多的耦合损耗并提高了接收机系统的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 单片 集成 平衡 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种MMI输出波导与波导型探测器共下波导的单片集成平衡探测器,其特征在于,包括:衬底(10),其左、中、右三区域分别作为MMI区域、PD区域和共面电极CPW区域;MMI输出波导(20),呈条状,位于衬底上的所述MMI区域,自下而上包括:MMI与PD公用下波导包层(21),MMI与PD公用下波导芯层(22)和MMI上波导层(23);波导型探测器(30),呈条状,形成于衬底上PD区域的MMI与PD公用下波导芯层(22)的上方,自下而上包括:PD收集层(31),PD带隙匹配层(32),PD吸收层(33),PD上盖层(34)和PD接触层(35);其中,MMI与PD公用下波导芯层(22)同时作为PD的下接触层,其上用于制作探测器的N电极;其中,PD接触层(35),其上用于制作探测器的P电极;金属共面电极CPW(40),其由两部分组成:接触电极部分,与波导型探测器(30)的PD接触层(35)和MMI与PD公用下波导芯层(22)相连接;平面电极结构,其形成于衬底(10)之上或之间,其平面结构顺序由三部分组成:CPW的p电极(41),CPW的pn电极(42)和CPW的n电极(43);各分电极之间存在一定的间隙,互为独立金属图形;其中,制作在PD下接触层之上的N电极和制作在PD条形结构之上的P电极通过条形结构与金属共面电极相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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