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[发明专利]一种异面电极结构芯片的频率响应测试装置-CN201611043995.5在审
发明人：刘宇;张一鸣;张志珂;赵泽平;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种异面电极结构芯片的频率响应测试装置，涉及光电子器件领域。本发明提出的频率响应测试装置包括矢量网络分析仪、探针、探测器，其中，还包括一个测试平台，该测试平台针对异面电极结构芯片，结合了共面波导传输线结构，采用金丝实现电极之间的最短连接，不仅极大的提高了测试结构的截止频率，使得寄生参数的影响大大减小，同时降低了高频传输损耗，使得高频传输特性更好，能够得到精确、真实的异面电极结构芯片的频率响应。
一种电极结构芯片频率响应测试装置

[发明专利]在低温下具有高灵敏度的气体传感器装置及其制造方法-CN201880060826.3在审
发明人： N.凯塞多潘科瓦;D.勒诺布尔;R.勒图尔克;J-S.索曼 -专利权人：卢森堡科学技术研究院
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于生产气体传感器(2)的方法，该方法包括向基板(4)提供两个共面电极(6)的步骤以及在所述两个电极(6)上形成ZnO纳米线网络(8)的步骤。在所述两个电极(6)上形成ZnO纳米线网络(8)的步骤如下执行：用液相顺序生长法合成ZnO纳米线；将所述合成的纳米线分散在溶剂中；在电极上滴铸含有溶剂和ZnO纳米线的溶液；在低于85℃的温度下干燥溶液。
低温具有灵敏度气体传感器装置及其制造方法

[发明专利]场效应晶体管的栅电极-CN201210468202.X有效
发明人：陈能国;万幸仁;林奕安;张骏伟;孙诗平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。
场效应晶体管电极

[发明专利]高性能微制造静电四极透镜-CN200810006812.1有效
发明人：理查德·西姆斯 -专利权人：麦克诺塞伊可系统有限公司
申请日： 2008-01-31 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01J49/42 文献下载
摘要：本发明提供了在微型四极静电透镜的几何形状中排列圆柱电极组的方法，所述微型四极静电透镜可以用作四极质谱仪中的质量过滤器。电极成对安装于由绝缘基底上的导电部分形成的微制造支撑上。导电部分的完全分割提供了在共面圆柱电极之间的低电容耦合，并且允许并入Brubaker预过滤器以提高在给定质量分辨率下的灵敏度。完整的四极由通过另外的导电间隔物间隔开的两个这样的支撑构成。间隔物在电极周围连续以提供导电屏蔽。
性能制造静电透镜

[发明专利]半导体发光器件封装件-CN201610895765.5有效
发明人：金学焕;玉政泰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：提供了半导体发光器件封装件，所述半导体发光器件封装件包括：发光二极管(LED)芯片，包括第一电极和第二电极，LED芯片具有设置有第一电极和第二电极的第一表面以及与第一表面相对的第二表面；坝结构，设置在所述第一表面上，坝结构的外部边缘与LED芯片的外部边缘共面；波长转换层，设置在LED芯片的侧表面上、LED芯片的第二表面上以及坝结构的侧表面上，波长转换层包括波长转换材料。
半导体发光器件封装

[发明专利]场发射装置及其制造方法-CN200410054356.X无效
发明人：崔寅虎 -专利权人：上海乐金广电电子有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种场发射装置及其制造方法，本发明所提供的场发射装置及其制备方法通过将电极和阴极形成于同一平面上，在上述电极和阴极相交差的部分通过丝网印刷方式有选择地形成绝缘层，再在上述绝缘层上形成导电性电极母线的构造来代替通孔，来实现将相互交差的电极导线和阴极导线相互绝缘。本发明省去了复杂的通过冷却工艺形成通孔的过程，简化了生产流程，生产出共面结构的场发射，降低了生产成本，提高了生产效率。
发射装置及其制造方法

[实用新型]柔性电子包裹线-CN201920707479.0有效
发明人：王龙飞 -专利权人：陕西国防工业职业技术学院
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型属于电子技术领域，涉及一种柔性电子包裹线，包括有源器件层，所述有源器件层整体呈管状，所述有源器件层的内、外表面上分别设置内电极层以及外电极层；内电极层以及外电极层均为金层；柔性电子包裹线还包括包裹在外电极层外部的封装层；柔性电子包裹线还包括应变隔绝层，所述内电极层、有源器件层、外电极层以及封装层从内向外套装在应变隔绝层上。本实用新型连接方便、直径小、传输性能稳定，能增强柔性电路板上非共面电路的可靠度及使用寿命。
外电极层隔绝层源器件内电极层柔性电子包裹线本实用新型封装层聚二甲基硅氧烷电子技术领域柔性电路板传输性能连接方便使用寿命非共面可靠度金层电路外部

[实用新型]加工电极用治具-CN202222021057.2有效
发明人：张长保;李心虎 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B23H1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加工电极用治具，属于工装夹具技术领域，加工电极用治具包括导向装置、中心定位装置和连接板，连接板分别连接导向装置和中心定位装置，导向装置设有供电极座移动的导向槽，中心定位装置上设有两个定位面，两个定位面对称且呈夹角布置，两个定位面的对称面与导向槽的对称面共面，当推动电极座沿导向槽向两个定位面的夹角方向移动时，两个定位面定位电极原料块。本实用新型的加工电极用治具能快速地将需要对中电极原料块和电极座对中装配，操作便捷，比传统的使用卡尺反复进行测量找正对中，节约大量时间，并且其结构简单，成本低。
加工电极用治具

[发明专利]针对可调整的间隙等离子体室中的双重限制和超高压的方法和设备-CN200980150990.4有效
发明人：安德里亚斯·费舍尔;艾利克·哈德森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H05H1/34 文献下载
摘要：所述等离子体处理系统包括用于加工所述衬底的至少上电极和下电极。在等离子体处理过程中，所述衬底被置于所述下电极上，其中，所述上电极和所述衬底形成第一间隙。所述等离子体处理系统还包括上电极外围扩展部(UE-PE)。所述UE-PE机械地联接至所述上电极的外围，其中，所述UE-PE被配置成与所述上电极不共面。所述等离子体处理系统还包括盖环。所述盖环被配置成同中心地环绕所述下电极，其中，所述UE-PE和所述盖环形成第二间隙。
针对可调整间隙等离子体中的双重限制超高压方法设备

[发明专利]带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导-CN202211444226.1在审
发明人：钟永春;成泓道;陈哲;朱文国;余健辉;郑华丹 -专利权人：暨南大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种带有弯曲形阵列共面电极的芯层波导，其包括：衬底层；第一掩膜板以及第二掩膜板；所述第一掩膜板与所述第二掩膜板间隔设置在所述衬底层上，并于间隔处形成波导槽；波导芯层，设置在所述波导槽的底部；第一偏转电极，设置在波导槽内，并位于所述波导芯层上；所述第一偏转电极具有多个弯曲部；第二偏转电极，设置在所述第一掩膜板的靠近所述波导槽的边缘处；第三偏转电极，设置在所述第二掩膜板的靠近所述波导槽的边缘处；馈电组件，分别电连接第一偏转电极、第二偏转电极以及第三偏转电极的两端，以向第一偏转电极、第二偏转电极以及第三偏转电极提供电压。
带有弯曲阵列电极波导

[发明专利]介质阻挡放电离子源-CN201711107363.5在审
发明人：左国民;杜正;王学峰;汪小知;高适;刘永静;李鹏;张荣;陈俊祥;张立功 -专利权人：中国人民解放军陆军防化学院;苏州微木智能系统有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种介质阻挡放电离子源，包括第一螺旋电极、第二螺旋电极、第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层设置于所述第一螺旋电极与所述第二螺旋电极相对的侧壁。所述第二绝缘层设置于所述第二螺旋电极与所述第一螺旋电极相对的侧壁。所述第一螺旋电极为带状，且由起始端向外螺旋延伸。所述第二螺旋电极为带状，且由起始端向外螺旋延伸。所述第二螺旋电极与所述第一螺旋电极共面且平行间隔设置。在螺旋状的放电电极之间设置细长连贯的放电沟道，减小了两放电电极之间的间隙。
介质阻挡放电离子源

[实用新型]介质阻挡放电离子源-CN201721503728.1有效
发明人：左国民;杜正;王学峰;汪小知;高适;刘永静;李鹏;张荣;陈俊祥;张立功 -专利权人：中国人民解放军陆军防化学院;苏州微木智能系统有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种介质阻挡放电离子源，包括第一螺旋电极、第二螺旋电极、第一绝缘层和第二绝缘层。所述第一绝缘层设置于所述第一螺旋电极与所述第二螺旋电极相对的侧壁。所述第二绝缘层设置于所述第二螺旋电极与所述第一螺旋电极相对的侧壁。所述第一螺旋电极为带状，且由起始端向外螺旋延伸。所述第二螺旋电极为带状，且由起始端向外螺旋延伸。所述第二螺旋电极与所述第一螺旋电极共面且平行间隔设置。在螺旋状的放电电极之间设置细长连贯的放电沟道，减小了两放电电极之间的间隙。
螺旋电极绝缘层介质阻挡放电放电电极离子源起始端外螺旋侧壁平行间隔设置本实用新型放电沟道样品电离样品流量螺旋状电离延伸减小连贯

[发明专利]芯片封装结构-CN202310656471.7在审
发明人：何寒冰;成彦芸;张芹;徐春燕;陈凤 -专利权人：上海工物高技术产业发展有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种芯片封装结构，芯片封装结构包括基板、共面波导端口、芯片以及密封盖板；基板的正面具有呈凹槽状的腔体及位于腔体外围的台阶；共面波导端口包括输入共面波导端口、输出共面波导端口及本振共面波导端口；输入共面波导端口、输出共面波导端口及本振共面波导端口间隔排布于台阶的表面；芯片位于腔体内，并与输入共面波导端口、输出共面波导端口及本振共面波导端口均电连接；密封盖板位于基板的正面，覆盖腔体及部分台阶，以形成密封腔体；输入共面波导端口、输出共面波导端口及本振共面波导端口自密封腔体内延伸至密封盖板的外侧。
芯片封装结构

[发明专利]一种高性能单细胞电阻抗检测微电极及制备方法-CN202111035463.8有效
发明人：冯慧成;申海龙;周晨阳;吉博文;常洪龙 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能单细胞电阻抗检测微电极及制备方法，在微流体通道两侧分别设置激发电极和检测电极，激发/检测电极可为一对或多对；并在激发电极和检测电极以外的区域设置接地电极。与传统共面电极单细胞电阻抗检测相比，两侧对称电极可以使得检测区域的电场分布更加均匀，提高检测精度；而设置接地电极可以提高检测区域的电场集中度，同时避免多对电极间电场的相互干扰，提升细胞或颗粒检测的信号强度
一种性能单细胞阻抗检测微电极制备方法

[实用新型]电池单体、电池及用电设备-CN202222465851.6有效
发明人：吴泽;刘江;刘贺洋;刘晓梅 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01M50/249 文献下载
摘要：电池单体，包括外壳组件、多个电极组件和第一转接件。外壳组件包括用于输入或输出电能的第一电极引出部和第二电极引出部；多个电极组件，容纳于外壳组件内，每个电极组件包括极性相反的第一极耳和第二极耳；第一转接件用于电连接多个电极组件的第一极耳和第一电极引出部，第一转接件具有互不共面的多个第一连接面，多个第一连接面与多个电极组件一一对应，每个电极组件的第一极耳连接于与该电极组件对应的第一连接面。本申请实施例提供的电池单体能够降低电极组件短路的风险。
电池单体用电设备