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[发明专利]半导体晶圆盒仓储运输结构系统-CN202110178441.0在审
发明人：邓羽辰 -专利权人：艾迪森科技有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体晶圆盒仓储运输结构系统。主要系由晶圆盒升降运输结构体、晶圆盒储架结构体、手臂结构体、手臂抓取晶圆盒结构体及晶圆盒仓储结构体组成，其中晶圆盒储架结构体系悬挂天花板上，利用晶圆盒升降运输结构体将晶圆盒作为升降至入、出料口，并以手臂结构体抓取晶圆盒利用轨道输送至晶圆盒仓储结构体作为精准晶圆盒的取放，由于晶圆盒储放至悬吊在天花板上的晶圆盒仓储结构体，使本发明系统具有节省空间、晶圆盒方便取放的特性。
半导体晶圆盒仓储运输结构系统

[实用新型]半导体晶圆盒仓储运输结构系统-CN202120367987.6有效
发明人：邓羽辰 -专利权人：艾迪森科技有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： B65G1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体晶圆盒仓储运输结构系统。主要系由晶圆盒升降运输结构体、晶圆盒储架结构体、手臂结构体、手臂抓取晶圆盒结构体及晶圆盒仓储结构体组成，其中晶圆盒储架结构体系悬挂天花板上，利用晶圆盒升降运输结构体将晶圆盒作为升降至入、出料口，并以手臂结构体抓取晶圆盒利用轨道输送至晶圆盒仓储结构体作为精准晶圆盒的取放，由于晶圆盒储放至悬吊在天花板上的晶圆盒仓储结构体，使本实用新型系统具有节省空间、晶圆盒方便取放的特性。
半导体晶圆盒仓储运输结构系统

[发明专利]一种调控非晶合金微结构的方法-CN201910430549.7有效
发明人：董帮少;周少雄;王岩国;邢彦兴;李现涛 -专利权人：江苏集萃安泰创明先进能源材料研究院有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种调控非晶合金微结构的方法，所述方法包括以下方式中的任一种或几种组合：方式①：调整所述非晶合金/纳米晶非晶前驱体合金制备过程中的合金熔体热处理温度；方式②：调整所述非晶合金/纳米晶非晶前驱体合金制备过程中的合金熔体热处理时间；方式③：调整所述非晶合金/纳米晶非晶前驱体合金制备过程中向冷却辊上浇铸熔体时合金熔体的浇铸温度；方式④：调整所述非晶合金/纳米晶非晶前驱体合金制备过程中冷却水的温度，所述冷却水用于改变冷却辊对合金熔体的冷却能力；方式⑤：调整所述非晶合金/纳米晶非晶前驱体合金被制备的带材厚度；方式⑥：对淬态所述非晶合金/纳米晶非晶前驱体合金进行低温弛豫热处理。
一种调控合金微结构方法

[实用新型]一种六氟磷酸锂晶析槽-CN202320027091.2有效
发明人：戴百雄;张建广;刘兵;温志鹏;付娥;王伟 -专利权人：湖北犇星新能源材料有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01D9/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种六氟磷酸锂晶析槽，涉及六氟磷酸锂晶析技术领域，包括晶析槽外筒体，晶析槽外筒体的内部设置有晶析槽内筒体，晶析槽外筒体和晶析槽内筒体的顶面居中处设置有进料口，晶析槽外筒体和晶析槽内筒体的底部一侧设置有出料口，采用在晶析槽内筒体的内部设置有内部冷凝管，并在晶析槽外筒体与晶析槽内筒体之间为中空结构，通过冷却液入口和冷却液出口可以在晶析槽外筒体与晶析槽内筒体之间循环冷却液，可以在外侧对六氟磷酸锂进行降温，通过循环液入口和循环液出口对内部冷凝管的冷却液进行循环流动便于对晶析槽内筒体内部居中处进行降温，使得晶析槽内筒体的内部降温更加快速且均匀提高生产效率。
一种磷酸锂晶析槽

[发明专利]一种用于制备单晶包层的方法及装置-CN202110814718.4有效
发明人：王宇;顾鹏;梁振兴 -专利权人：眉山博雅新材料股份有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C03C25/106 文献下载
摘要：本说明书实施例提供一种用于制备单晶包层的方法及装置，该方法包括：制备非晶相物料；熔化非晶相物料以形成非晶相熔体；将光纤浸没于非晶相熔体中；基于非晶相熔体和光纤，在光纤外周形成非晶相包层；以及对非晶相包层进行晶化处理该装置包括：非晶相物料制备组件、非晶相包层制备组件和单晶包层制备组件。非晶相物料制备组件用于制备非晶相物料。非晶相包层制备组件用于熔化非晶相物料以形成非晶相熔体；将光纤浸没于非晶相熔体中；以及基于非晶相熔体和光纤，在光纤外周形成非晶相包层。单晶包层制备组件用于对非晶相包层进行晶化处理，得到单晶包层。
一种用于制备包层方法装置

[发明专利]一种高球形度三元前驱体晶种的制备方法及使用该晶种制备高球形度三元前驱体的方法-CN202010109284.3有效
发明人：王娟;邱天;王宏刚;高炯信;向波;周勤俭 -专利权人：华友新能源科技（衢州）有限公司;浙江华友钴业股份有限公司
申请日： 2020-02-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01M4/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种高球形度三元前驱体晶种的制备方法及使用该晶种制备高球形度三元前驱体的方法，一种高球形度三元前驱体晶种的制备方法可制备出较好球形度的晶种，并实现连续生产，为生产前驱体源源不断的提供高球形度的晶种，且制备得到的高球形度晶种可进行储备后作为下步生产高球形度前驱体的晶种使用，也可经加工后单独作为小粒径前驱体使用；一种使用晶种制备高球形度三元前驱体的方法，通过引入已生产好的高球形度晶种，控制反应条件，使晶种逐步长大，从而得到满足所需粒径的高球形度前驱体，缩短生产周期。
一种球形三元前驱体晶种制备方法使用

[实用新型]基于多晶圆片体加工用承载装置-CN202121575657.2有效
发明人：朱明明;卢伟 -专利权人：连云港旭晶光电科技有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型的基于多晶圆片体加工用承载装置，包括承载盘；形成在承载盘一侧面上用于容纳晶圆片体的晶圆承载孔，晶圆承载孔的径向尺寸至少有两种；形成在与晶圆承载孔同侧的承载盘上的晶圆片体取出孔，晶圆片体取出孔与晶圆承载孔相交；在承载盘上开设有多个不同内径大小的晶圆承载孔，一定程度上的可以提高产能，即使得多个不同尺寸的晶圆片体被加工，提高了加工效率，置于承载盘上的晶圆片体取出孔可使得晶圆片体更容易的从承载盘上取出，可操作性强
基于多晶圆片体加工用承载装置

[实用新型]真空低温键合用键合夹具-CN201921621677.1有效
发明人：王云翔;冒薇;马冬月;段仲伟;祝翠梅;姚园;许爱玲 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种键合夹具，尤其是一种真空低温键合用键合夹具，属于低温键合的技术领域。按照本实用新型提供的技术方案，所述真空低温键合用键合夹具，包括用于收容上晶圆的上晶圆定位机构、用于支撑下晶圆的下晶圆定位支撑体以及能驱动下晶圆定位支撑体升降的推杆机构；所述上晶圆定位机构包括允许上晶圆嵌置的上晶圆固定板以及用于将上晶圆压紧在上晶圆固定板内的上压块，下晶圆在下晶圆定位支撑体上位于上晶圆的正下方；通过推杆机构推动下晶圆定位支撑体上升时，能使得下晶圆与上晶圆贴合后键合。本实用新型结构紧凑，能确保晶圆片在真空环境中进行等离子体激活后贴合，实现高质量的低温键合，安全可靠。
真空低温合用夹具

[实用新型]一种嵌入式双层结构碳化硅托盘-CN201821121917.7有效
发明人：徐姗姗;吴疆;丁磊 -专利权人：安徽芯瑞达科技股份有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，包括盘体、第一晶圆槽、第二晶圆槽；所述盘体上表面设置有第一晶圆槽，若干第一晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽之间的盘体上表面设置有第二晶圆槽，若干第二晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；所述第一晶圆槽的深度比所述第二晶圆槽的深度深，第一晶圆槽的深度为第二晶圆槽深度的两倍；所述第一晶圆槽一侧设置有夹放缺口槽，夹放缺口槽深度与第一晶圆槽深度相同；所述盘体的形状为立方体。本实用新型具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的特点。
晶圆槽盘体上表面托盘本实用新型矩阵分布双层结构嵌入式缺口槽碳化硅盘体镊子产能晶圆取放制造

[发明专利]晶盒清洗设备-CN201610596315.6有效
发明人：张汝京;赵厚莹 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种晶盒清洗设备，包括：清洗室和晶盒放置架，所述清洗室内设有喷淋装置，所述晶盒放置架设置在所述清洗室内，所述晶盒放置架包含旋转轴、晶盒体固定装置和晶盒盖固定装置，所述晶盒体固定装置和所述晶盒盖固定装置设置在所述旋转轴上本发明提供的晶盒清洗设备，将晶盒体放置在晶盒体固定装置上以及将晶盒盖放置在晶盒盖固定装置上，通过喷淋装置对晶盒进行清洗，从而实现充分清洗，当晶盒放置架旋转进行甩干时，清洗溶液会被甩出，提高了清洗晶盒的效率并降低了清洗晶盒的成本
清洗设备

[实用新型]半导体单晶成长坩埚-CN202023116163.6有效
发明人：刘卫国;周文婉;李志高 -专利权人：朝阳通美晶体科技有限公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体单晶成长坩埚，其从下至上包括晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段，晶种培育段、晶种复壮段、晶种成长段相连通；所述晶种培育段为具有半球形尖端的圆锥体；所述晶种复壮段包括半椭圆体和下圆台体，半椭圆体与晶种培育段的侧部通过曲线面平滑对接，半椭圆体与下圆台体侧部平滑对接；所述晶种成长段包括上圆台体、圆柱体，上圆台体与下圆台体侧部平滑对接，上圆台体与圆柱体侧部平滑对接。通过本实用新型所述半导体单晶成长坩埚其通过形状来限制单晶体晶种的成长过程和速度，其所培育出的单晶体成品率高。
半导体成长坩埚

[实用新型]耐磨刹车盘结构-CN201821265836.4有效
发明人：魏高恒;高国良 -专利权人：辽宁红山玉科技有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： F16D65/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐磨刹车盘结构，其包括上盘体、下盘体、连接盘、第一微晶玻璃层、第二微晶玻璃层和填充物，其中，上盘体和下盘体之间通过散热筋固定连接，连接盘与上盘体固定连接；第一微晶玻璃层和第二微晶玻璃层分别设置在上盘体和下盘体上；第二微晶玻璃层与下盘体的厚度之和大于第一微晶玻璃层与上盘体的厚度之和；填充物填充在微晶玻璃层和上盘体及下盘体之间。本实用新型提供的耐磨刹车盘结构，通过设置微晶玻璃层，提升了刹车盘的耐磨耐腐蚀性；同时，通过使第二微晶玻璃层与下盘体的厚度之和大于第一微晶玻璃层与上盘体的厚度之和，从而可以使第二微晶玻璃层先与制动卡钳上的夹片接触实现初步制动
微晶玻璃层上盘体下盘体耐磨刹车盘结构本实用新型填充物连接盘制动耐腐蚀性制动卡钳散热筋刹车盘夹片填充

[实用新型]硅晶砂声学体-CN202122754687.6有效
发明人：易国文 -专利权人：湖南八方声学新材料股份有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： E04B1/99 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅晶砂声学体，包括两块硅晶砂主体，两块所述硅晶砂主体直接连接呈V字形或不直接连接呈倒“八”字形。本实用新型还提供一种组合式硅晶砂声学体、一种带边框硅晶砂声学体和一种悬挂式硅晶砂声学体。本实用新型的硅晶砂声学体以及带边框硅晶砂声学体包括呈现V字形或呈倒“八”字形的硅晶砂主体，该特殊布置形式的硅晶砂主体可以有效的提高声音扩散功能，尤其适用于教学环境，能够有效解决教育环境声音不清晰的问题，
硅晶砂声学

[发明专利]覆晶封装结构及其制作工艺-CN202110450236.5在审
发明人：袁瑞鸿;陈彧;吴奕备;张智鸿;洪国展;杨皓宇;陈锦庆;朱澄;何坦 -专利权人：福建天电光电有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明揭露一种覆晶封装结构及其制作工艺，该制作工艺包括将第一锡膏体与第二锡膏体(或助焊剂)分别黏着于晶圆的正极与负极；切割晶圆，得到多个独立的覆晶芯片，其中，各个覆晶芯片的正极与负极分别黏着有第一锡膏体与第二锡膏体；将覆晶芯片黏有第一锡膏体与第二锡膏体的一侧设置于基板上；对第一锡膏体与第二锡膏体进行控温加热处理，融化第一锡膏体与第二锡膏体，以将覆晶芯片固定于基板上；对覆晶芯片进行封装处理。借此，可有效控制覆晶芯片上的锡膏用量，避免制程中因锡量不均匀或不当等问题造成覆晶封装结构导通失效的问题，提高覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。
封装结构及其制作工艺

[发明专利]一种纳米晶圆刀及其加工装置和加工方法-CN202211634785.9在审
发明人：王振 -专利权人：苏州耀昱模具有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明涉及模切刀具技术领域，特别是涉及一种纳米晶圆刀及其加工装置和加工方法，刀轴设于晶圆刀体两端中心点处，纳米刀锋设于晶圆刀体的圆周面内，且纳米刀锋凸出晶圆刀体圆周面设置，纳米刀锋为锥形刀锋，且纳米刀锋锥尖朝向远离晶圆刀体方向设置，晶圆刀体两侧刀轴上套接有减震垫环，丝杆驱动件带动所述圆刀放大镜在放大镜滑轨上滑动，通过设置纳米刀锋能够配合晶圆刀体进行切割处理，并且纳米刀锋在晶圆刀体上可以根据实际需要，进行不同轮廓的设置，以实现不同内容的切割，减震垫环的设置能够在晶圆刀体实际实用过程中保证运行稳定性，并且能够减震垫环还能够对晶圆刀体起到保护作用，延长晶圆刀体的使用寿命。
一种纳米晶圆刀及其加工装置方法

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