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[发明专利]基于Al-N共掺的SiC外延结构及其制备方法-CN202110339341.1有效
发明人：钮应喜;左万胜;王敬;单卫平;朱明兰;张晓洪;袁松;史田超;胡新星;仇成功;史文华 -专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Al‑N共掺的SiC外延结构及其制备方法，所述基于Al‑N共掺的SiC外延结构由下至上依次包括：衬底、Al‑N共掺层一、Al‑N共掺层二、Al‑N共掺层三、N型掺杂层一、Al‑N共掺层四、Al‑N共掺层五、N型掺杂层二、漂移层；各层的生长均是在1580～1680℃温度和50～500mbar压力下流通原料气体和掺杂气体进行的；在衬底与N型掺杂层一之间插入了三层Al‑N共掺层，在N型掺杂层一与N型掺杂层二之间插入了两层Al‑N共掺层，从而提高从基面位错向穿透刃型位错的转换效率，抑制了在形成器件的漂移层中存在基面位错，并降低堆垛层错密度。
基于 al sic 外延结构及其制备方法

[发明专利]一种稀土离子共掺光纤预制棒的制备方法-CN201510055355.5有效
发明人：耿鹏程;梁小红;庞璐;衣永青;潘蓉;高亚明;张佳琦;张慧嘉;李瑞辰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本发明涉及一种稀土离子共掺光纤预制棒的制备方法。分别配制多种稀土离子和铝离子共掺剂的水溶液；选择石英基管并接入MCVD车床，高温抛光后，依次沉积隔离层和疏松芯层；将含有疏松芯层的空心棒体固定在升降装置上，棒体部分浸泡在溶液中；根据预先设计的棒芯轴向离子共掺比例分布与浓度分布改变溶液中各种离子的共掺比例与浓度本方法可灵活精确地控制预制棒芯部轴向上的离子共掺比例与掺杂浓度的分布，为不同种类稀土离子共掺光纤找到最佳的离子共掺比例与掺杂浓度提供一种十分有效的简便方法。
一种稀土离子光纤预制制备方法

[发明专利]硼镓共掺单晶硅片及其制备方法和太阳能电池-CN201310140670.9有效
发明人：杨伟强;魏红军;冯立军;曹建民 -专利权人：晶澳太阳能有限公司;河北宁晋松宫半导体有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼镓共掺单晶硅片，在硼镓共掺单晶硅片中含有硼元素和镓元素，其中硼元素的浓度为10^14~16原子数/立方厘米，镓元素的浓度为10¹³~6×10¹⁶原子数/立方厘米，其降低了单独硼掺杂引起的硼氧复合体浓度，还公开了由上述硼镓共掺单晶硅片制成的硼镓共掺单晶硅太阳能电池，该电池具有与常规掺硼持平的转换效率，并且具有较低的LID水平，并进一步公开了上述硼镓共掺单晶硅片及电池的制备方法，该方法工艺简单，易操作，可规模化生产，不存在成本升高的问题。
硼镓共掺单晶硅及其制备方法太阳能电池

[发明专利]铋镍共掺的透明硅酸盐微晶玻璃及其制备方法-CN200710047760.8无效
发明人：吴伯涛;邱建荣;陈丹平;阮健;乔延波 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： C03C10/02 文献下载
摘要：一种铋镍共掺的透明硅酸盐微晶玻璃及其制备方法，该玻璃的成分及摩尔百分比如下：SiO₂ (45～55)、Al₂O₃ (10～20)、Ga<(5～20)、MgO(15～25)、TiO₂ (5～10)、NiO(0.005～1)、Bi₂O₃ (0.005～2)，本发明通过铋镍共掺得到的铋镍共掺的透明硅酸盐微晶玻璃中镍的近红外荧光强度最高可提高约4.4倍，荧光寿命可从单掺镍的210微秒提高到共掺时的350微秒，使得这种铋镍共掺的透明微晶玻璃有望在宽带光放大器、高功率激光器、可调谐激光器等领域得到应用。
铋镍共掺透明硅酸盐玻璃及其制备方法

[发明专利]铒镱共掺氟硫磷酸盐玻璃单模光纤及其制备方法和应用-CN202110921249.6有效
发明人：张勤远;邝路东;肖永宝;王伟超;叶诣琛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C03C13/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种铒镱共掺氟硫磷酸盐玻璃单模光纤及其制备方法和应用。所述铒镱共掺氟硫磷酸盐玻璃单模光纤包括纤芯以及包覆在所述纤芯表面的包层；所述包层为氟硫磷酸盐玻璃，所述纤芯为铒镱共掺的氟硫磷酸盐玻璃。上述铒镱共掺氟硫磷酸盐玻璃单模光纤增益高，有利于实现低阈值、高效率激光输出。
铒镱共掺氟硫磷酸盐玻璃单模光纤及其制备方法应用

[发明专利]铋铝共掺石英光纤预制棒及其制备方法-CN201910577311.7有效
发明人：芦鹏飞;贾宝楠;朱朋飞 -专利权人：北京涑水科技有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C03B37/018 文献下载
摘要：本申请公开了一种铋铝共掺石英光纤预制棒及其制备方法，涉及光纤领域。铋铝共掺石英光纤预制棒，包括：外层和芯层。外层材料为二氧化硅。芯层材料为共掺杂Bi原子和Al原子的二氧化硅材料，使得Bi原子的分布更为均匀，来产生并增强近红外发光。本申请的铋铝共掺光纤预制棒，其芯层材料为共掺杂Bi原子和Al原子的二氧化硅材料，使得Bi原子的分布更为均匀，来产生并增强近红外发光。铋铝共掺光纤预制棒的制备方法可采用改进型化学气相沉积技术进行制备，该制备方法无需引入其他助掺剂，因此结构和操作工艺简单，易于控制。
铋铝共掺石英光纤预制及其制备方法

[发明专利]一种高精度光纤陀螺用Er3+Yb3+共掺光纤光源-CN201610924095.5在审
发明人：杜勇;陆家兵;刘兵;吕通;宣扬;尹业宏 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶重工集团公司第七一七研究所）
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度光纤陀螺用Er3+/Yb3+共掺光纤光源，它包括泵浦激光器、波分复用器WDM、Er3+/Yb3+共掺光纤、光纤反射镜、光纤隔离器和光纤滤波器。本发明的优点是解决现有技术Er3+离子对泵浦光的吸收有限，造成掺铒光纤光源功率不高的问题，提出一种基于Er3+/Yb3+共掺光纤的宽带光源技术方案，为高精度光纤陀螺用Er3+/Yb3+共掺光纤光源。
一种高精度光纤陀螺 er3 yb3 光源

[发明专利]一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法-CN201010220372.7无效
发明人：叶志镇;张利强;蒋杰;黄靖云;张银珠;张维广;张俊;朱丽萍 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L33/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg-K共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。Mg-K共掺的ZnO基发光二极管包括Al2O3单晶衬底，在所述Al2O3单晶衬底的一个面上沉积有Ga掺杂n型ZnO薄膜层，在所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上沉积有Mg-K共掺p型ZnO薄膜层，且所述Ga掺杂n型ZnO薄膜层上还沉积有负电极，在所述Mg-K共掺p型ZnO薄膜层上沉积有正电极。与V族元素掺杂相比，本发明的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层以金属K离子掺杂，固溶度高，受主能级浅，所得的Mg-K共掺p型ZnO薄膜层具有良好的稳定性和可重复性；且该p型ZnO薄膜层由于使用Mg和K两种元素共掺杂，进一步地提高了p型层性能的稳定性；并使Mg-K共掺p型ZnO薄膜层的空穴浓度可高达1.0×1017cm-3～5.0×1018cm-3。
一种 mg zno 发光二极管及其制备方法

[发明专利]新型铋铒共掺石英光纤预制棒、应用及制备方法-CN202210625144.0在审
发明人：张凡;贾宝楠;关晓宁;孙仕豪 -专利权人：浙江超晶晟锐光电有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C03B37/012 文献下载
摘要：本申请公开了一种新型铋铒共掺石英光纤预制棒、应用及制备方法，涉及光纤领域。所述新型铋铒共掺石英光纤预制棒，由于芯层采用共掺铒离子和铋原子的二氧化硅材料，通过二者间的相互作用，从而得到近红外发光，并拓宽发光带。由新型铋铒共掺石英光纤预制棒制成器件，应用于光纤放大器和光纤激光器中，得到具有近红外发光的光纤放大器和光纤激光器。新型铋铒共掺石英光纤预制棒的制备采用螯合物气相掺杂技术结合改进型气相沉积技术进行制备，结构和操作工艺简单，易于控制。
新型铋铒共掺石英光纤预制应用制备方法

[发明专利]一种共组装人工骨膜及其制备方法-CN202010503883.3有效
发明人：毛杰;周雄;杜莹莹;王一帆;王江林 -专利权人：武汉亚洲生物材料有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： A61L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种共组装人工骨膜及其制备方法，所述共组装人工骨膜包括：由胶原蛋白介导的掺硅羟基磷灰石溶胶和丝素蛋白共组装制备得到的丝素蛋白/掺硅羟基磷灰石/胶原蛋白共组装人工骨膜；和/或：由丝素蛋白介导的掺硅羟基磷灰石溶胶和胶原蛋白共组装制备得到的胶原蛋白/掺硅羟基磷灰石/丝素蛋白共组装人工骨膜。本发明通过胶原蛋白和丝素蛋白的共组装改变丝素蛋白二级结构，使得该共组装人工骨膜具备良好的力学性能，生物相容性以及有序可控的降解性能，且含硅羟基磷灰石具备较低的结晶度，可提高成骨细胞活性，刺激干细胞的成骨分化，且解决了含硅羟基磷灰石，丝素蛋白，胶原蛋白三者共混后不易成型难以共组装缺点。
一种组装人工骨膜及其制备方法

[发明专利]硼磷共掺光纤以及基于硼磷共掺光纤的拉曼光纤激光器-CN202010646624.6在审
发明人：许将明;马小雅;张扬;叶俊;李阳;黄良金;刘伟;姚天甫;杨欢;李灿;马鹏飞;张汉伟;肖虎;冷进勇;潘志勇;周朴 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提出了一种硼磷共掺光纤以及基于硼磷共掺光纤的拉曼光纤激光器，包括泵浦源、第一光纤光栅、硼磷共掺光纤、第二光纤光栅和端帽，泵浦源的输出端与第一光纤光栅的输入端相熔接；第一光纤光栅的输出端与硼磷共掺光纤的一端相熔接；硼磷共掺光纤的另一端与第二光纤光栅的输入端相熔接；所述第二光纤光栅的输出端与端帽相熔接，并通过端帽输出拉曼激光。其中硼磷共掺光纤的纤芯掺杂B2O3和P2O5
硼磷共掺光纤以及基于激光器

[发明专利]原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法-CN201210533124.7有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;张阳;董亚斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法，其包括将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N‑As的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的原子层沉积制备N‑As共掺的氧化锌薄膜的方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N‑As双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。
原子沉积制备 as 氧化锌薄膜方法

[发明专利]一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法-CN201210532041.6有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;李楠;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法，其包括将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次P掺杂源的沉积和氧源的沉积之后引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N‑P的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的一种原子层沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜的方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N‑P双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。
一种原子沉积制备双受主共掺氧化锌薄膜方法

[发明专利]基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210530522.3有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括：将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次As掺杂源的沉积和氧源沉积之前引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的N-As的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的基于氮的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到N-As双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。
基于双受主共掺氧化锌薄膜制备方法

[发明专利]一种P‑N共掺氧化锌薄膜的制备方法-CN201210534080.X有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;董亚斌;解婧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开一种P‑N共掺氧化锌薄膜的制备方法，其包括将基片放入原子层沉积设备的反应腔室中；进行多组分的复合沉积；所述复合沉积包括在锌源沉积之前引入一次P掺杂源的沉积和氧源的沉积之前引入一次氮掺杂源的沉积；循环沉积该多组分复合体，得到原子层沉积制备的P‑N的双受主共掺的氧化锌薄膜。本发明提供的基于氮元素的双受主共掺氧化锌薄膜的制备方法，利用ALD技术，在氧化锌薄膜生长的过程中，完成整个薄膜结构的共掺，得到P‑N双受主的共掺。本发明制备工艺简单，沉积和掺杂过程易于控制，制备所得共掺氧化锌薄膜有利于氧化锌薄膜的p型掺杂和提高p型电学性质的稳定性。
一种氧化锌薄膜制备方法

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