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[发明专利]一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器-CN201910859798.8在审
发明人：卢启军;朱樟明;杨银堂;刘晓贤;尹湘坤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于同轴硅通孔的改进型分支线耦合器，包括从上到下依次相连的顶层模块、硅衬底层模块和底层模块，顶层模块包括顶层第一介质层、顶层接地屏蔽环、顶层第一信号互连柱、顶层接地柱、顶层接地层、顶层介质环、顶层第二信号互连柱、顶层第二介质层、顶层第三信号互连柱、顶层端口信号线、顶层信号线；硅衬底层模块包括硅衬底、第一介质环、接地屏蔽环、第二介质环、后信号互连柱、前信号互连柱；底层模块包括底层第一介质层、底层接地屏蔽环、底层第一信号互连柱、底层接地柱、底层接地层、底层介质环、底层第二信号互连柱、底层第二介质层、底层第三信号互连柱、底层端口信号线、底层信号线。
顶层信号互连介质层互连接地屏蔽介质环底层模块第二信号顶层模块硅衬底层接地层接地柱信号线分支线耦合器端口信号线从上到下底层端口底层介质底层信号依次相连改进型硅衬底硅通孔同轴

[实用新型]一种双频圆极化卫星测控天线-CN202122125166.4有效
发明人：秦建军;李栋;万林涛;章英杰 -专利权人：上海蔚星数据科技有限公司
申请日： 2021-09-04 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01Q1/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双频圆极化卫星测控天线，包括接地板，安装在接地板上的底层底层介质板，安装在底层介质板上的底层贴片，安装在底层贴片上的上层介质板，以及安装在上层介质板上的上层贴片，所述接地板、底层介质板以及底层贴片内开设有金属过孔该双频圆极化卫星测控天线设置的金属过孔设计协同同轴探针的直径构成50Ω同轴探针，金属过孔与天线地相连，与底层贴片隔开，金属过孔作为外导体和同轴线作为内导体构成同轴线传输线，这样缩短介质内裸露内导体的长度，同时屏蔽内导体在底层介质中的能量辐射，缩短了同轴探针的长度，探针长度仅有上层介质的厚度大小，减少了探针引入的感抗；金属过孔可以起到屏蔽电磁波的作用，最大程度减少同轴探针在底层介质中的辐射强度；易于制作
一种双频极化卫星测控天线

[发明专利]一种单点馈电圆极化天线及其轴比特性调整方法-CN201911113239.9在审
发明人：于万宝;何向辉;马飞;刘琛 -专利权人：陕西索飞电子科技有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种单点馈电圆极化天线及其轴比特性调整方法，包括底层微波介质板、顶层微波介质板和同轴线馈电端口。所述双层耦合贴片印刷在顶层微波介质板的上下表面上。所述驱动馈电贴片印刷在底层微波介质板上表面，底层微波介质板下表面为金属地，同轴线馈电端口安装在底层微波介质板下表面，同轴线馈电端口内导体穿过底层微波介质板与印刷在底层介质板上表面的驱动馈电贴片连接。同轴线馈电端口外导体与底层微波介质板的金属地相连接。顶层微波介质板平行正对安装在底层微波介质板上侧。通过调整耦合贴片的形状，可以在不改变产品尺寸和端口匹配特性的情况下，显著提高天线的圆极化特性。
微波介质板馈电端口同轴线顶层馈电贴片耦合贴片金属地上表面下表面印刷底层介质板圆极化特性圆极化天线单点馈电端口匹配上下表面特性调整驱动内导体外导体正对轴比平行天线穿过

[实用新型]一种双层微带天线-CN202222923321.1有效
发明人：杨宁;黄建平;胡万超 -专利权人：西安艾尚智汇电子科技有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01Q1/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及天线设备领域，且公开了一种双层微带天线，有效的解决了目前天线剖面较高，支撑结构不够结实，使得天线结构稳定性不足的问题，包括顶层贴片和底层贴片，所述顶层贴片与底层贴片之间安装有连接件，顶层贴片包括顶层介质板，顶层介质板上下两面均印刷有顶层微带贴片天线，底层贴片包括底层介质板，底层介质板的上表面印刷有底层微带贴片天线，本实用新型，通过顶层介质板和底层介质板的边缘有覆铜，通过焊锡焊接到金属框架，同时金属框架的四个角落留有螺钉孔，从而方便设备的固定安装，其中顶层介质板的上下面和底层介质板的上表面均印刷有微带贴片天线，使得结构稳定，剖面低，重量轻。
一种双层微带天线

[发明专利]一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦-CN201910856444.8有效
发明人：卢启军;朱樟明;杨银堂;刘晓贤;尹湘坤 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01P5/10 文献下载
摘要：本发明一种基于硅通孔的紧凑三维马相巴伦，从上往下依次为顶层输入信号线、顶层第五介质层、顶层第二接地层、顶层第四介质层、顶层第三介质层、顶层第二介质层、顶层第一接地层、顶层第一介质层、硅衬底、底层第一介质层、底层第一接地层、底层第二介质层、底层第三介质层、底层第四介质层、底层第二接地层、底层第五介质层、底层输出第一信号线和底层输出第二信号线。
一种基于硅通孔紧凑三维马相巴伦

[发明专利]一种双通带毫米波基片集成波导滤波器-CN201910321109.8有效
发明人：郭瑜;汪洋;张景辉;余超;毛晓炜 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双通带毫米波基片集成波导滤波器，该滤波器包括：顶层介质层，顶层介质层的上表面设有顶层金属层；底层介质层，底层介质层的下表面设有底层金属层；中间粘和层，设于顶层介质层和底层介质层之间；金属化通孔阵列，金属化通孔阵列贯穿顶层金属层、顶层介质层、中间粘合层、底层介质层和底层金属层，并和顶层金属层和底层金属层共同围成基片集成波导谐振腔；一对输入输出馈线和微带谐振器和一对输入输出端口。
一种双通带毫米波集成波导滤波器

[发明专利]超窄带超表面吸收器-CN202210571503.9在审
发明人：高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；所述超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成；所述介质层紧贴于基底层上方，介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构；所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环；所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体；本发明超窄带超表面吸收器结构简单
窄带表面吸收

[实用新型]超窄带超表面吸收器-CN202221258913.X有效
发明人：刘畅;高扬;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；所述超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成；所述介质层紧贴于基底层上方，介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构；所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环；所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体；本发明超窄带超表面吸收器结构简单
窄带表面吸收

[发明专利]MIM电容器及其制备方法-CN201510080421.4有效
发明人：郭海波;唐永进 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的MIM电容器及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积第一底层金属层、第二底层金属层以及介质层，第一底层金属层与第二底层金属层形成下极板；选择性刻蚀介质层以及第二底层金属层，在介质层以及第二底层金属层中形成若干暴露出第一底层金属层的沟槽；沉积顶层金属层，顶层金属层填充沟槽，并覆盖介质层，顶层金属层形成上极板；去除沟槽所在区域内的顶层金属层以及第一底层金属层。本发明中，刻蚀介质层以及第二底层金属层，形成沟槽，顶层金属层填充沟槽，使得第一底层金属层与顶层金属层连接，将第一底层金属层与第二底层金属层中聚集的电荷通过顶层金属层释放掉，从而避免形成的MIM电容器中产生电弧放电缺陷
mim 电容器及其制备方法

[实用新型]阵列天线和基站-CN202020216867.1有效
发明人：徐海鹏 -专利权人：瑞声精密制造科技（常州）有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型涉及无线技术领域，提供了一种阵列天线和基站，所述阵列天线包括底层介质基板、与所述底层介质基板固定的顶层介质基板、设于所述底层介质基板上的差分馈电网络和设于所述顶层介质基板上的辐射单元，所述顶层介质基板和所述底层介质基板通过中间介质基板固定；所述辐射单元设于所述顶层介质基板远离所述底层介质基板的一面，所述差分馈电网络设于所述底层介质基板朝向所述顶层介质基板的一面，所述辐射单元包括四个H型缝隙。
阵列天线基站

[发明专利]小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器-CN201911029293.5有效
发明人：刘水;许锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导
小型化慢波半模基片集成波导耦合器

[发明专利]双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器-CN201910072293.7有效
发明人：刘水;许锋 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明揭示了一种双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，该宽带滤波耦合器包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片和底层介质基片上设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导
双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器

[发明专利]一种应用于X波段的低可观测天线-CN202010682628.X在审
发明人：刘锦霖;金城;何仲夏;陈国胜 -专利权人：盛纬伦（深圳）通信技术有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种应用于X波段的低可观测天线，包括底层介质基底单元、上层介质基底单元以及设置在底层介质基底单元和上层介质基底单元之间的泡沫层，底层介质基底单元的下表面为金属板，底层介质基底单元的上表面为周期排布的金属单元，上层介质基底单元的上下表面均为金属单元，底层介质基底单元上表面的金属单元为切掉两个对角的矩形，底层介质基底单元上表面中心为矩形金属贴片天线，上层介质基底单元上下表面的金属单元为沿对角线分布的弯折金属条，上层介质基底单元上下表面的金属条中心均设置有至少一个贴片电阻。
一种应用于波段观测天线

[发明专利]磁记录介质和磁记录再现装置-CN202010376998.0有效
发明人：徐晨;张磊;福岛隆之;柴田寿人;山口健洋;丹羽和也;茂智雄;根本广明;梅本裕二;小柳浩 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。
记录介质再现装置

[发明专利]横向同质异质结二极管器件及其制备方法-CN202210946884.4在审
发明人：宁静;张弛;张进成;王东;马佩军;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向同质异质结二极管器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，包括：衬底；第一介质衬底层和第二介质衬底层，位于同层，且位于衬底的一侧；第一介质衬底层和第二介质衬底层相互接触；二维半导体材料层，位于第一介质衬底层和第二介质衬底层背离衬底的一侧；沿垂直于衬底的方向，二维半导体材料层的正投影至少部分与第一介质衬底层的正投影交叠，至少部分与第二介质衬底层的正投影交叠；第一欧姆电极和第二欧姆电极，位于同层
横向同质异质结二极管器件及其制备方法

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