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[发明专利]磁记录介质及磁存储装置-CN202210282511.1在审
发明人： 山口健洋;柴田寿人;福岛隆之;徐晨 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供能够具有优异的电磁转换特性的磁记录介质及磁存储装置。本发明涉及的磁记录介质依次层叠而具备基板、基底层以及包含具有L10型晶体结构的合金的磁性层，上述基底层包含MgO，上述磁性层具有至少3层以上，3层上述磁性层从上述基板侧依次为第1磁记录层、第2磁记录层和第3磁记录层时，上述第2磁记录层的居里温度Tc与上述第1磁记录层和上述第3磁记录层的居里温度Tc相比分别低，低的程度处于30K～100K的范围内，构成上述第1磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径与构成上述第2磁记录层和上述第3磁记录层的磁性粒子的底面部的平均粒径相比分别小15％以上。
记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁记录再现装置-CN202010376998.0有效
发明人：徐晨;张磊;福岛隆之;柴田寿人;山口健洋;丹羽和也;茂智雄;根本广明;梅本裕二;小柳浩 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述磁性层包含具有L10结构的合金。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。所述磁记录再现装置具有所述磁记录介质。
记录介质再现装置

[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置-CN202011381766.0有效
发明人：福岛隆之;张磊;徐晨;柴田寿人;山口健洋;小柳浩;梅本裕二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：本发明提供一种能够使磁性层的(001)取向性提高的磁记录介质，磁记录介质(100)依次具有基板(1)、基底层(2)以及磁性层(30)，基底层(2)具有第一基底层(21)，该第一基底层包括由通式MgO(1－X)表示的化合物，该通式中，X在0.07～0.25的范围内，磁性层(3)包括具有L10构造的合金，具有L10构造的合金具有包括B的第一磁性层(31)，第一基底层(21)与第一磁性层(31)相接。
记录介质及其制造方法以及存储装置

[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁存储装置-CN202110087148.3有效
发明人：长坂浩一;福岛隆之;张磊;徐晨;柴田寿人;山口健洋;小柳浩;梅本裕二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置。所述磁记录介质依次具有基板、底层、及磁性层，其中，所述底层具有包含由通式MgO(1‑X)表示的化合物的第1底层，该通式中，X位于0.07～0.25的范围内，所述磁性层具有包含具有L10结构的合金的第1磁性层，具有所述L10结构的合金包含从由Al、Si、Ga、及Ge组成的群中选出的1种以上的元素，所述第1底层与所述第1磁性层相接。
记录介质及其制造方法以及存储装置

[发明专利]磁记录介质以及磁存储装置-CN202011388537.1有效
发明人： 山口健洋;福岛隆之;张磊;柴田寿人;徐晨;小柳浩;梅本裕二 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
记录介质以及存储装置

[发明专利]磁记录介质及磁存储装置-CN202010269127.9有效
发明人：福岛隆之;徐晨;张磊;柴田寿人;山口健洋;丹羽和也;茂智雄;根本广明;梅本裕二;小柳浩 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11B5/82 文献下载
摘要：本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201910397007.4有效
发明人：福岛隆之;丹羽和也;张磊;柴田寿人;山口健洋;徐晨;神边哲也;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G11B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
记录介质存储装置

[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201910681488.1有效
发明人：福岛隆之;武晃司;柴田寿人;山口健洋;茂智雄;张磊;徐晨;梅本裕二;小柳浩;丹羽和也;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。
辅助记录介质存储装置

[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201910552861.3有效
发明人：齐藤伸;福岛隆之;张磊;柴田寿人;山口健洋;徐晨;神边哲也;茂智雄;丹羽和也;桥本笃志 -专利权人：昭和电工株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
辅助记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质、溅射靶、溅射靶的制造方法、以及磁存储装置-CN201811365060.8有效
发明人：室伏克己;石桥圭孝;福岛隆之;丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;徐晨;神边哲也;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： G11B5/716 文献下载
摘要：提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
记录介质溅射制造方法以及存储装置

[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201910505522.X有效
发明人：张磊;徐晨;福岛隆之;丹羽和也;神边哲也;柴田寿人;山口健洋;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G11B5/48 文献下载
摘要：提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
辅助记录介质存储装置

[发明专利]辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201910543355.8有效
发明人：福岛隆之;柴田寿人;梅本裕二;丹羽和也;张磊;山口健洋;徐晨;茂智雄;小柳浩 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G11B5/68 文献下载
摘要：提供一种辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、包含具有L10型晶体结构的合金的磁性层、及保护层，在所述磁性层和所述保护层之间还具有钉扎层，所述钉扎层包含具有Co的磁性材料和从由Cu、Ag、Au、及Al组成的组中选出的1种以上的金属。
辅助记录介质存储装置

[发明专利]热辅助磁记录介质和磁存储装置-CN201910560274.9有效
发明人：张磊;福岛隆之;徐晨;丹羽和也;柴田寿人;山口健洋;神边哲也;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
辅助记录介质存储装置

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201810521202.9有效
发明人：日向慎太朗;齐藤伸;福岛隆之;大桥荣久;丹羽和也;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也;茂智雄 -专利权人：昭和电工株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L1
结晶粒径控制阻挡层磁记录介质磁存储装置结晶结构平面取向磁性层氮化物结晶质碳化物氧化物基板合金

[发明专利]磁记录介质和磁存储装置-CN201810039987.6有效
发明人：福岛隆之;大桥荣久;张磊;村上雄二;柴田寿人;山口健洋;神边哲也 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L1₀型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
氧化物磁记录介质结晶质基板磁存储装置结晶结构磁性层配向合金

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