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[发明专利]用于生成、加速和传播电子束和等离子体束的设备和方法-CN200680011252.8有效
发明人：弗朗西斯科·西诺·马塔科塔 -专利权人：卡罗·塔里亚尼;弗朗西斯科·西诺·马塔科塔
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H05H1/54 文献下载
摘要：一种用于生成、加速和传播高密度电子束和等离子体束的设备和方法，设备包括：含有气体的第一介电管；连接到所述第一介电管的空心阴极；连接到所述空心阴极并向沉积室内凸出并与之连接的第二介电管；在中间位置处布置在所述第二介电管的周围的阳极；用于将电压施加到所述阴极和所述阳极的装置；用于从所述沉积室排空气体的装置；以及用于第一介电管内气体向等离子体的自发转变的装置。
用于生成加速传播电子束等离子体设备方法

[发明专利]用于选择性间隙填充的双等离子体预清洁-CN202080094059.5在审
发明人：徐翼;呼宇飞;大东和也;雷雨;吴典晔;贾勒帕里·拉维 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：描述了用于预清洁具有金属及介电表面的基板的方法。在处理腔室中将包括具有金属底部、介电侧壁和电介质的场的表面结构的基板暴露于双等离子体处理，以从该金属底部、所述介电侧壁、和/或该电介质的该场去除化学残留物和/或杂质，和/或修复所述介电侧壁和/或该电介质的该场中的表面缺陷该双等离子体处理包括直接等离子体和远程等离子体。
用于选择性间隙填充等离子体清洁

[实用新型]一种电池保护板、电池及移动终端-CN201720724433.0有效
发明人：毛星;徐波;王凌云 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01M10/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电池保护板、电池及移动终端，该电池保护板包括两个电极组，以及对应每一电极组设置的层叠结构，层叠结构包括依次层叠设置的第一金属镀层、第一介电层、铜芯层、第二介电层及第二金属镀层，其中贯穿第一介电层设有第一导电体，第一金属镀层通过第一导电体与铜芯层电连接；贯穿第二介电层设有第二导电体，第二金属镀层通过第二导电体与铜芯层电连接；第一金属镀层与一电极组中的输入电极连接，第二金属镀层与电极组中的输出电极连接。这样通过第一介电层和第二介电层之间设置铜芯层，并利用铜芯层实现在高电流下对电池进行充电，相较于增加额外导通层的方式，可以有效降低电池保护板的生产成本。
一种电池保护移动终端

[发明专利]使用含氮前体的介电阻挡层沉积-CN201010180939.2有效
发明人： A·马利卡珠南;R·N·维尔蒂斯;L·M·马兹;M·L·奥尼尔;A·D·约翰森;萧满超 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本发明涉及使用含氮前体的介电阻挡层沉积。本发明提供了一种在集成电路衬底的介电薄膜和金属互连之间形成碳氮化硅阻挡介电薄膜的方法，包括步骤：提供具有介电薄膜的集成电路衬底；使所述衬底与含RxR’y(NR”R’”)zSi的阻挡介电薄膜前体相接触，其中’、R”和R’”各独立地选自氢、直链或支链的饱和或不饱和烷基或芳香基；其中x+y+z＝4；z＝1-3；但是R、R’不能同时为氢；在集成电路衬底上形成C/Si比＞0.8和N/Si比＞0.2的碳氮化硅阻挡介电薄膜
使用含氮前体阻挡沉积

[发明专利]利用了表面保护物质的薄膜形成方法-CN202111172039.8在审
发明人：金才玟;金荷娜;崔雄辰;韩智娟;金河俊 -专利权人：株式会社EGTM
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：根据本发明的一实施例，利用了表面保护物质的薄膜形成方法，包括如下步骤：掺杂用前驱体供应步骤，向置有基板的腔体内部供应掺杂用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；掺杂用薄膜形成步骤，向上述腔体内部供应第一反应物质，与被吸附的上述掺杂用前驱体反应形成掺杂用薄膜；介电膜用前驱体供应步骤，向上述腔体内部供应介电膜用前驱体；净化步骤，对上述腔体内部进行净化；以及介电膜形成步骤，向上述腔体内部供应第二反应物质，与被吸附的上述介电膜用前驱体反应形成介电膜
利用表面保护物质薄膜形成方法

[发明专利]电介体陶瓷及层叠陶瓷电容器-CN201110049617.9有效
发明人：福田惠;矢尾刚之;松田真;神崎泰介 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-02-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种即使薄层化至电介体陶瓷层厚度不足1μm并同时赋予高电场强度，寿命特性也良好的层叠陶瓷电容器，作为构成层叠陶瓷电容器(1)的电介体陶瓷层(2)的电介体陶瓷，使用包含以(Ba1-x/100Cax作为副成分的电介体陶瓷，烧成该电介体陶瓷而得到的烧结体中的结晶粒子的平均粒径为20nm以上且不足100nm。
电介体陶瓷层叠电容器

[发明专利]微波等离子体处理装置-CN201480048097.1有效
发明人：金载浩;神田创 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H05H1/30 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种微波激发等离子体处理装置，其即便在中间气压及高气压下也能够产生较高的均匀性与高密度、且低温的宽幅的等离子体射流，该微波等离子体处理装置的特征在于具备：介电质基板；锥形部，设置在所述介电质基板的一端部，且为该介电质基板的厚度慢慢变小的形状；微波传输带线路；接地导体；微波输入部；气体输入口，用以将气体输入至所述介电质基板内；等离子体产生部；气流宽幅化部，用以对所述等离子体产生部供给具有均匀流速的宽幅的气流而设置在所述介电质基板内部，且以随着气流前进而气流宽度变宽的方式形成；气体流路，用以将气体供给至所述气流宽幅化部；以及喷嘴，用以喷出等离子体。
微波等离子体处理装置

[发明专利]记忆体元件的电荷储存结构的制造方法及记忆体元件-CN200510051137.0有效
发明人：王嗣裕 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-02-28 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明是关于一种记忆体元件的电荷储存结构的制造方法及记忆体元件。是一种制造电荷储存堆叠的方法，包含一底介电层、一位于底介电层上的电荷捕捉层以及一顶介电层，每层均具有氮氧化硅且是于至少含有百分之九十氢的同位素氘的反应气体中所形成。底介电层、电荷捕捉层以及顶介电层电荷捕捉层每层均具有其各自的氧及氮浓度。电荷捕捉结构中相对氮浓度足以使材料具有电荷捕捉特性且该材料所具有的能阶差将低于底介电层以及顶介电层的能阶差。
记忆体元件电荷储存结构制造方法

[发明专利]具有改良的热耦合以用于热敏感处理的静电吸盘-CN201980080012.0在审
发明人：邦妮·T·基亚;罗斯·马歇尔;松下智治;蔡振雄 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在一些实施方式中，静电吸盘包括电极、介电体与气体分配通道，该介电体具有圆盘形状并覆盖该电极，该介电体包含中心区域和周围区域，且该介电体包含下表面与上表面，该下表面具有中心开口，该上表面在该中心区域中具有第一开口以及在该周围区域中具有多个第二开口，其中该上表面包含多个突部，且该多个第二开口中的各者的直径大于25.0密耳，气体分配通道从下表面延伸到上表面，以在介电体内限定气室。
具有改良耦合用于敏感处理静电吸盘

[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN202210672026.5在审
发明人：朴庆敏 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括：在基板上方形成层叠体；在层叠体中形成沟道结构，所述沟道结构包括穿透层叠体的沟道层；在层叠体和沟道结构上方形成接触级介电层；形成穿透接触级介电层的接触孔；在接触孔中形成接触插塞，所述接触插塞联接到沟道结构的沟道层；使接触插塞凹陷以使接触插塞的上表面形成为低于接触级介电层的上表面；在凹陷接触插塞上方形成包括间隔物层的位线级介电层；蚀刻位线级介电层以形成暴露凹陷接触插塞的沟槽；以及在一个或更多个所述沟槽中形成位线
半导体装置制造方法

[发明专利]一种介电弹性体能量收集系统和方法-CN202110771221.9有效
发明人：鄂世举;徐子盛 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H02N1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电弹性体能量收集系统和方法，属于能量收集领域。包括小电荷供给装置、介电弹性体电容、自偏置稳压电路和外接负载；所述的小电荷供给装置提供初始电压，所述介电弹性体电容通过形变改变其电容值，进而使其电压发生变化，在电压变化的情况下，当自偏置电路向介电弹性体电容输出电荷时，所述自偏置电路的内部电容呈并联高电容状态，当介电弹性体电容向自偏置电路输入电荷时，所述自偏置电路的内部电容呈串联高电压状态，以保证自偏置电路输出电荷量大于输入电荷量。
一种弹性体能量收集系统方法

[发明专利]基于活性组织电阻抗信息非均匀重构的电脉冲消融模型精度优化方法-CN202210719777.8在审
发明人：季振宇;张亮;刘本源;徐帆;张坤 -专利权人：中国人民解放军空军军医大学
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： A61B34/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于活性组织电阻抗信息非均匀重构的电脉冲消融模型精度优化方法，根据患者病例信息特征先构建具有群体性特征的器官组织消融模型；在此基础上对患者消融区域进行消融电极布针，经阻抗测量反馈模块获取布针电极组之间阻抗测量数据，并进行在体组织介电特性参数求解；利用所获得的在体组织介电特性参数对群体特征模型中消融电极间组织介电参数进行非均匀重构，形成具有患者在体组织介电特性的个体化消融优化模型，同时基于该优化模型修正高压脉冲源输出的消融电脉冲参数。该方法对于消融模型中消融区组织介电参数依据患者自身组织介电特性进行了非均匀重构，具备个体化特征，模型精度高，利于建立精准的术前手术规划方案。
基于活性组织阻抗信息均匀电脉冲消融模型精度优化方法

[发明专利]相变化记忆体元件的制造方法-CN201510304430.7有效
发明人：吴孝哲;王博文 -专利权人：江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明有关一种相变化记忆体元件的制造方法。相变化记忆体元件包含一介电层、一金属阻隔层、一加热器、一绝缘层以及一相变化层。该介电层具有一表面以及一通道贯穿该介电层。该金属阻隔层内衬该通道。该加热器设置于该通道且包含一针状部以及一柱状部，该针状部凸出于该介电层的表面。该绝缘层设置于介电层表面且遮蔽部分该加热器。该相变化层设置于介电层表面且与该加热器的针状部接触。本发明的方法改变加热器与记忆体之间的接触面积，达到高电流密度以提高加热器热转换效率。
加热器相变化记忆体介电层绝缘层介电层表面金属阻隔层相变化层针状热转换效率记忆体柱状部电层内衬遮蔽制造贯穿

[实用新型]大板级扇出型芯片封装结构-CN201921479612.8有效
发明人：杨斌;崔成强;李潮;匡自亮 -专利权人：广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种大板级扇出型芯片封装结构，包括：介电材料层，其上设置有多个第一通孔；多个芯片，多个芯片设置于介电材料层的下表面，每一芯片的与介电材料层接触的一面设置有输入\输出端口；塑封体层，其设置于介电材料层的下表面并将所述多个芯片的侧壁包裹在内，塑封体层的下表面将所述芯片的下表面露出；散热层，其设置于塑封体层的下表面以及芯片的下表面上；金属线路层，其设置于介电材料层的上表面并通过第一通孔与所述输入\输出端口电连接；第一油墨层，其设置于金属线路层以及所述介电材料层上，油墨层上设置有多个第二通孔；多个导电金属焊盘，其设置于所述第二通孔中并与所述金属线路层电连接。
大板级扇出型芯片封装结构

[发明专利]具有厚底部介电层的沟槽式晶体管及其制作方法-CN201110220528.6有效
发明人：林永发;徐守一;吴孟韦;陈面国;石逸群 -专利权人：茂达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有厚底部介电层的沟槽式晶体管，包含依序层叠且导电性两两相异的第一、二、三层体及沟槽结构，沟槽结构包括延伸至第一层体的沟槽、介电层及导电材，沟槽具有与第三层体连接的周面及与周面底缘连接的底面，介电层附着于周面与底面且包括远离第三层体的底部及自底部往上延伸且厚度较底部小的延伸部，导电材与介电层界定的渠道，本发明利用厚的底部产生较小的栅极到漏极间电容(gate to drain capacitance本发明还提供借例如光刻胶保护将成为厚底部介电层的区域的具有厚底部介电层的沟槽式晶体管的制作方法。
具有底部介电层沟槽晶体管及其制作方法